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[发明专利]自旋轨道力矩磁性存储器电路与其布局-CN202210207577.4在审
发明人：曾俊砚;郭有策;王淑如;王荏滺;黄莉萍;吴奕廷;吴家荣;黄俊宪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提出了一种自旋轨道力矩磁性存储器电路与其布局，其中该自旋轨道力矩磁性存储器电路包含一读取晶体管对，具有两个并联的读取晶体管、一写入晶体管对，具有两个并联的写入晶体管、一自旋轨道力矩磁性存储器单元，具有一磁隧穿结以及一自旋轨道力矩层，其中该磁隧穿结的一端连接到该读取晶体管对的源极而另一端连接到该自旋轨道力矩层，该自旋轨道力矩层的一端连接到一来源线而另一端连接到该写入晶体管对的源极、一读取位线，连接到该读取晶体管对的漏极、以及一写入位线，连接到该写入晶体管对的漏极。
自旋轨道力矩磁性存储器电路与其布局

[发明专利]避免电路短路的改良多晶硅虚置技术-CN202011146335.6有效
发明人：洪庆文;黄志森;邹世芳;陈意维;郑永丰;黄莉萍;黄俊宪;黄家纬;郭有策 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-11-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本发明公开一种避免电路短路的改良多晶硅虚置技术，其中本发明提供一种鳍状晶体管SRAM存储元件，以及制作上述元件的方法，可防止当部分金属接触件靠近相邻虚置边缘单元的虚置栅极时，电流在位单元的金属接触件之间通过虚置栅极所产生的短路现象。本发明一实施例，通过一经改良的栅极空槽图案，延伸邻近位单元的一或多个栅极空槽的长度，以在图案化栅极层的过程中，图案化并区段化靠近主动存储器单元的金属接触件的虚置栅极线。在另一实施例中，图案化栅极层的过程中，调整相邻主动存储器单元的一或多条虚置栅极之间的距离，使得位于虚置边缘单元内的虚置栅极远离主动存储器单元的金属接触件。
避免电路短路改良多晶硅虚置技术

[发明专利]静态随机存取存储器的布局图案-CN202111588319.7在审
发明人：黄俊宪;郭有策;王淑如;陈建宏;黄莉萍;曾俊砚 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种静态随机存取存储器的布局图案，至少包含一PU1(第一上拉晶体管)、一PU2(第二上拉晶体管)、一PD1A(第一下拉晶体管)、一PD1B(第二下拉晶体管)、一PD2A(第三下拉晶体管)、一PD2B(第四下拉晶体管)、一PG1A(第一存取晶体管)、一PG1B(第二存取晶体管)、一PG2A(第三存取晶体管)、一PG2B(第四存取晶体管)位于该基底上，其中该PD1A与该PD1B相互并联，该PD2A与该PD2B相互并联，其中该多个栅极结构中包含有一第一J状栅极结构，且该第一J状栅极结构为一体成形的结构。
静态随机存取存储器布局图案

[发明专利]静态随机存取存储器-CN202010325812.9有效
发明人：黄俊宪;郭有策;王淑如;洪裕祥;傅思逸;许智凯;郑志祥 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本发明提供一种静态随机存取存储器，包含多个静态随机存取存储器单元设于一基底上，其中各该静态随机存取存储器单元包含：至少一栅极结构设于该基底上，多个鳍状结构位于该基底上，其中各该鳍状结构的排列方向垂直于该栅极结构的排列方向，一第一层间介电层环绕该栅极结构，一第一接触插塞以及一第二接触插塞设于该第一层间介电层中，其中该第一接触插塞为长条形，且同时接触两个该鳍状结构，该第一接触插塞接触该第二接触插塞，以及一第二层间介电层设于该第一层间介电层上。
静态随机存取存储器

[发明专利]半导体存储装置的布局-CN202111571043.1在审
发明人：曾俊砚;郭有策;王淑如;黄俊宪;余欣炽;庄孟屏;黄莉萍;陈玉芳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C11/41 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体存储装置的布局，包括基底以及三元内容可寻址存储器。三元内容可寻址存储器设置在基底上并包括多个三元内容可寻址存储器位单元，且其中至少两个沿着一对称轴呈镜像对称，其中各三元内容可寻址存储器位单元包括分别电连接至两条字线的两个存储单元，以及电连接至该些存储单元的逻辑电路。逻辑电路包括两个第一读取晶体管，以及两个第二读取晶体管，各第二读取晶体管包括栅极以及两个源极/漏极区，第二读取晶体管的源极/漏极区分别电连接至两条匹配线以及第一读取晶体管，其中，字线平行地设置于匹配线之间。
半导体存储装置布局

[发明专利]静态随机存取存储器单元阵列-CN202010781720.1有效
发明人：黄俊宪;郭有策;王淑如 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本发明公开一种形成静态随机存取存储器单元阵列的方法，包含有下述步骤。首先，图案化而形成多个鳍状结构于一基底上，其中此些鳍状结构包含多个主动鳍状结构以及多个牺牲鳍状结构，各通道晶体管(PG FinFET)与对应的一降压晶体管(PD FinFET)至少共享一主动鳍状结构，在一存储器单元中二相邻的升压晶体管(PU FinFET)跨设的二主动鳍状结构之间设置有至少一牺牲鳍状结构。接着，移除此些牺牲鳍状结构的至少一部分。本发明更提出一种以此方法形成的静态随机存取存储器单元阵列。
静态随机存取存储器单元阵列

[发明专利]静态随机存取存储器的布局图案-CN202111411027.6在审
发明人：王淑如;郭有策;陈建宏;黄俊宪;黄莉萍;曾俊砚 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静态随机存取存储器(static random‑access memory，SRAM)的布局图案，包含基底、PL1(第一上拉晶体管)、PD1(第一下拉晶体管)、PL2(第二上拉晶体管)及PD2(第二下拉晶体管)位于基底上，另包含PG1A(第一存取晶体管)、PB1B(第二存取晶体管)、PG2A(第三存取晶体管)及PG2B(第四存取晶体管)，PG1A与PG1B包含相同的第一鳍状结构，PG2A与PG2B包含相同的第二鳍状结构，第一局部互连层位于PG1A与PG1B之间，且位于PL1与PD1所包含的鳍状结构上，及第二局部互连层位于PG2A与PG2B之间，且位于PL2与PD2所包含的鳍状结构上。
静态随机存取存储器布局图案

[发明专利]半导体布局图案及其形成方法-CN202110696593.X在审
发明人：曾俊砚;郭有策;王淑如;黄俊宪;余欣炽;庄孟屏;黄莉萍 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体布局图案及其形成方法，其中该半导体布局图案包含一基底，基底上有多个三元内容可定址存储器(Ternary contentaddressable memory,TCAM)，其中至少两个TCAM的布局沿着一对称轴相互镜射对称，且该两个TCAM共同连接到同一搜寻线(SL)。
半导体布局图案及其形成方法

[发明专利]半导体存储元件-CN201710275226.6有效
发明人：陈建宏;庄孟屏;陈东郁;郭有策 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体存储元件，包含一存储列，多个存储单元，一第一P型阱区，一第二P型阱区，以及一N型阱区，该N型阱区位于该第一P型阱区以及该第二P型阱区之间。该半导体存储元件定义有多个第一区域以及多个第二区域，每一个第一区域以及每一个第二区域内都包含有一个该存储单元，各该第二区域内还包含有至少两个第一电压提供接触件，以及至少一第二电压提供接触件，其中该第一电压提供接触件以及该第二电压提供接触件并不位于各该第一区域内。
半导体存储元件

[发明专利]双端口三态内容可寻址存储器及其布局图案及存储器装置-CN201910408706.4有效
发明人：黄俊宪;龙镜丞;郭有策;王淑如;曾俊砚 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种双端口三态内容可寻址存储器及其布局图案及存储器装置。该双端口三态内容可寻址存储器可包含一第一存储单元、一第二存储单元、一组第一搜寻端子、一组第二搜寻端子、一第一比较电路、一第二比较电路、一第一匹配端子以及一第二匹配端子，其中该第一比较电路分别耦接至该第一存储单元、该第二存储单元、该组第一搜寻端子以及该第一匹配端子，而该第二比较电路分别耦接至该第一存储单元、该第二存储单元、该组第二搜寻端子以及该第二匹配端子。另外，第一搜寻数据以及第二搜寻数据可同时被输入至该双端口三态内容可寻址存储器以供判断该第一搜寻数据以及该第二搜寻数据是否与该双端口三态内容可寻址存储器中的内容数据匹配。
端口三态内容寻址存储器及其布局图案装置

[发明专利]三态内容可定址存储器以及两端口静态随机存取存储器-CN202110095452.2在审
发明人：黄俊宪;郭有策;王淑如;曾俊砚;张竣杰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G11C11/411 文献下载
摘要：本发明公开一种三态内容可定址存储器与双端口静态随机存取存储器，其包括存储单元以及两晶体管。存储单元包括沿着第一方向延伸的第一主动区、第二主动区、第三主动区与第四主动区、以及沿着第二方向延伸的第一栅极线、第二栅极线、第三栅极线与第四栅极线。第一栅极线横跨第三主动区与第四主动区，第二栅极线横跨第四主动区，第三栅极线横跨第一主动区，且第四栅极线横跨第一主动区与第二主动区。晶体管电连接到存储单元，其中晶体管与存储单元沿着第一方向排列。
三态内容定址存储器以及端口静态随机存取存储器

[发明专利]半导体元件与半导体装置-CN201810005924.9有效
发明人：黄俊宪;龙镜丞;郭有策;陈昌宏;王淑如;李伟齐;曾俊砚 -专利权人：蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2018-01-03 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件与半导体装置。该半导体元件包括第一电路结构与第二电路结构。第一电路结构具有第一线端。第二电路结构具有第二线端。所述第一线端与所述第二线端是形成在第一电路层，但是以一个间距分离。导电结构形成在位于所述第一电路层的上方或是下方的第二电路层中，电连接所述第一线端与所述第二线端。
半导体元件装置

[发明专利]八晶体管静态随机存取存储器的布局图案与形成方法-CN202010606738.8有效
发明人：吕添裕;陈昌宏;郭有策;黄俊宪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-06-17 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明公开一种八晶体管静态随机存取存储器(8T‑SRAM)的布局图案与形成方法，其布局图案包含一第一扩散区、一第二扩散区以及一第三扩散区位于一基底上，其中该第三扩散区与该第一扩散区之间存在有一极限间距区，且该极限间距区直接接触该第一扩散区与该第三扩散区，以及一第一增设扩散区、一第二增设扩散区与一第三增设扩散区，分别沿着该第一扩散区、该第二扩散区与该第三扩散区的外围排列，并分别直接接触该第一扩散区、该第二扩散区与该第三扩散区，其中该增设扩散区不位于该极限间距区的范围内。
晶体管静态随机存取存储器布局图案形成方法

[发明专利]双端口静态随机存取存储器单元-CN201810007557.6有效
发明人：吕添裕;黄俊宪;龙镜丞;郭有策;陈寿贤;新居浩二;石井雄一郎 -专利权人：联华电子股份有限公司;瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明公开一种双端口静态随机存取存储器单元，其包含一第一电源线、一第一位线以及一第二位线。第一电源线设置于一第一字线及一第二字线之间。第一位线设置于第一电源线及第一字线之间。第二位线设置于第一电源线及第二字线之间。
端口静态随机存取存储器单元

[发明专利]磁阻式随机存取存储器的布局图案-CN202010770916.0在审
发明人：曾俊砚;王淑如;郭有策;陈昌宏;吴奕廷;叶书玮;邱雅兰;黄俊宪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器的布局图案，其主要包含第一单元区、第二单元区、第三单元区以及第四单元区设于基底上以及一扩散区设于基底上并延伸至该第一单元区、该第二单元区、该第三单元区以及该第四单元区，其中该扩散区依据上视角度包含一H形。
磁阻随机存取存储器布局图案

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