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[发明专利]基于视觉的测量机器人精确测量方法-CN202310411066.9有效
发明人：衣忠强;刘继红;蔡书洪;郭奇;戴龙;高群;陈明;高振男;王庆贺;郑杨;李仁强;路林翰 -专利权人：中铁九局集团第一建设有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06T7/73 文献下载
摘要：本发明涉及测量机器人视觉测量领域，具体涉及基于视觉的测量机器人精确测量方法，包括：获取待测目标的RGB图像；构建损失函数；根据损失函数得到高质量亮度通道图像；根据高质量亮度通道金字塔图像序列和色调通道金字塔优化图像序列结合引导滤波算法得到各层高质量色调通道金字塔图像；获取高质量色调通道图像以及高质量饱和度通道图像；最终提取高质量待测目标RGB图像；根据高质量待测目标RGB图像对待测目标信息进行测量，得到待测目标的测量信息。
基于视觉测量机器人精确测量方法

[发明专利]一种提高半导体激光器腔面镀膜质量的方法-CN201811266047.7在审
发明人：张秀萍;赵军华;徐现刚 -专利权人：潍坊华光光电子有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：一种提高半导体激光器腔面镀膜质量的方法，通过激光淬火装置对bar条的前腔面和后腔面进行淬火，使膜层内部原子结构重新排列组合，得到致密的、应力小的高质量薄膜。在镀膜机内部直接进行激光淬火处理，工艺方法简单易操作，就可以得到致密性高、应力小的高质量薄膜。激光淬火的方式可以使材料材料表面迅速升温和降温，提高注入杂质的激活率与迁移率的同时不对腔面膜造成损伤。
一种提高半导体激光器镀膜质量方法

[发明专利]一种立方结构MgZnO薄膜及其制备方法-CN201610387144.6在审
发明人：韩舜;吕有明;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;刘新科;朱德亮 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料制备领域，提供了一种立方结构MgZnO薄膜的制备方法，包括如下步骤：制备Mg_0.5Zn_0.5O靶材；将衬底放入腔体内，加热所述衬底至700℃，通入氧气以控制所述腔体压强，然后采用所述靶材，在所述衬底上进行进行脉冲沉积，获得立方结构(111)取向MgZnO薄膜；所述衬底为(111)取向单晶MgO衬底。本发明还提供了一种立方结构MgZnO薄膜，采用所述的制备方法制成。本发明利用脉冲激光沉积(PLD)技术，采用Mg_0.5Zn_0.5O陶瓷靶制备立方相MgZnO薄膜，通过生长温度、氧气压强和氧气流量的精确控制，实现了高质量(111)取向立方MgZnO薄膜的生长，为制备不同取向高质量MgZnO基多元合金薄膜提供了便捷有效的手段。
一种立方结构 mgzno 薄膜及其制备方法

[发明专利]一种层数均匀且高质量二硫化钼薄膜的制备方法-CN201810225492.2在审
发明人：张志勇;李展;许曼章;赵武;闫军锋;王英楠;贠江妮;翟春雪;王雪文;马驰;吴民财;邓鹏;张艺凡 -专利权人：西北大学
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种层数均匀且高质量二硫化钼薄膜的制备方法，即使用氯化钾辅助化学气相沉积法在覆盖有300nm厚度二氧化硅层的硅衬底上制备出大面积单层二硫化钼薄膜，通过控制不同氯化钾的量获得不同尺寸的单层二硫化钼薄膜该发明的优势在于利用氯化钾能够有效制备出均匀性较好的高质量二硫化钼薄膜，并且该实验方法工艺简单，成本低廉，适合大规模生产，所制备的二硫化钼薄膜可作为二维透明半导体薄膜被运用于光电器件、柔性透明器件、光探测器等领域
二硫化钼薄膜制备氯化钾单层种层透明半导体薄膜二氧化硅层气相沉积法电子材料辅助化学光电器件光探测器透明器件硅衬底均匀性量获得二维覆盖应用生产

[发明专利]一种高质量掺钪氮化铝薄膜模板的制备方法-CN202110347760.X在审
发明人：吴亮;王琦琨;付丹扬;龚建超;刘欢 -专利权人：奥趋光电技术（杭州）有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种高质量掺钪氮化铝薄膜模板的制备方法，包括如下步骤：S1、准备衬底；S2、在所述衬底上采用镀膜技术沉积薄膜过渡层；S3、采用高温面对面热处理技术对所述薄膜过渡层在纯氮气气氛下进行高温热处理形成高质量缓冲层；S4、采用反应式磁控溅射沉积法在所述缓冲层上沉积掺钪氮化铝薄膜。使用本发明的方法，能制备出高结晶性能的掺钪氮化铝薄膜，解决了高Sc浓度的掺入对氮化铝薄膜取向严重恶化的重要难题，并能实现不同膜厚下远超现有技术水平的结果，为更高频、增强型压电响应、更高机电耦合系数及更高
一种质量氮化薄膜模板制备方法

[发明专利]基于斜切角衬底的Ⅲ族氧化物薄膜制备方法及其外延片-CN202110759245.2有效
发明人：孙海定;方师;汪丹浩;梁方舟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供一种基于斜切角衬底的III族氧化物薄膜制备方法及其外延片，制备方法包括：在具有斜切角的连续台阶形衬底(1)上外延缓冲层(2)；在缓冲层(2)上制备外延层(3)；其中，外延层(3)为单晶III族氧化物薄膜通过在具有斜切角的连续原子级台阶形衬底上外延缓冲层，可以促使反应源的吸附原子在台阶边缘处生长，形成一致取向的生长模式，得到完整的单晶缓冲层薄膜，进而在单晶缓冲层薄膜上同质外延出高质量的单晶外延层薄膜。本方法工艺兼容性强，降低了生产高质量单晶III族氧化物薄膜的成本，便于对其进行推广使用。
基于斜切衬底氧化物薄膜制备方法及其外延

[发明专利]一种改善低压化学气相淀积多晶硅薄膜质量的方法-CN201711286582.4在审
发明人：施炜青;贺贤汉 -专利权人：上海申和热磁电子有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：随着加工设备的老化，现有工艺无法高质量地制备多晶硅薄膜，针对现有技术存在的问题，本发明提供一种改善低压化学气相淀积多晶硅薄膜质量的方法，采用SiH₄在610～630℃的温度下进行热分解淀积，能够解决当前工艺条件下多晶硅薄膜雾点的质量问题。
多晶硅薄膜淀积低压化学制备多晶硅薄膜工艺条件加工设备质量问题热分解老化

[发明专利]一种大面积高质量钙钛矿薄膜的真空气相沉制备方法及利用该钙钛矿薄膜制备的光伏器件-CN202211117998.4在审
发明人：吴绍航;刘雅晴;麦耀华 -专利权人：暨南大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本申请涉及太阳能光伏组件技术领域，尤其是一种大面积高质量钙钛矿薄膜的真空气相沉制备方法及利用该钙钛矿薄膜制备的光伏器件。大面积高质量钙钛矿薄膜的真空气相沉制备方法，首先利用纳米颗粒对基底进行修饰，之后在修饰的基底上利用真空蒸发方法制备钙钛矿薄膜。本申请的制备方法利用氧化物纳米颗粒修饰基底从而调控薄膜质量，有利于大面积高性能钙钛矿光电器件的实现。光伏器件，包括依次层叠的透明衬底、透明底电极、第一传输层、钙钛矿吸光层、第二传输层和背电极。本申请中的钙钛矿器件，在第一传输层上进行纳米颗粒修饰，从而改善钙钛矿层质量，实现大面积高性能器件。
一种大面积质量钙钛矿薄膜空气制备方法利用器件

[发明专利]用等离子体辅助分子束外延以准范德华外延生长高质量ZnO单晶薄膜的方法-CN202010099954.8有效
发明人：叶志镇;王宁;潘新花;何海平;黄靖云 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用等离子体辅助分子束外延以准范德华外延生长高质量ZnO单晶薄膜的方法。10‑6～1×10‑5Torr，以纯金属Zn为金属源，在衬底上外延ZnO单晶薄膜采用本发明方法可以以准范德华外延方式生长高质量的ZnO单晶薄膜，为低成本、大尺寸、柔性、自支撑ZnO基量子阱光电器件奠定基础。
等离子体辅助分子外延准范德华生长质量 zno 薄膜方法

[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法-CN02120461.6无效
发明人：宫坂光敏 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 1996-08-07 - 公布日： 2003-08-06 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：为了通过可使用廉价的玻璃基板的低温工艺来制造高性能的薄膜半导体器件，在通过使用了作为原料气体的硅烷和作为稀释气体的氩的PECVD法形成结晶性高的混晶质半导体膜之后，用激光照射等方法提高结晶性来制造薄膜半导体器件，使用该薄膜半导体器件制成液晶显示装置或电子设备。在将本发明应用于有源矩阵基板的液晶显示装置的制造时，可容易地而且稳定地制造大型和高质量的液晶显示装置。此外，在应用于其他的电子电路的制造时，也可容易地而且稳定地制造高质量的电子电路。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]薄膜半导体器件、薄膜半导体器件的制造方法、液晶显示装置、液晶显示装置的制造方法、电子设备,电子设备的制造方法和薄膜淀积方法-CN96191902.7无效
发明人：宫坂光敏 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 1996-08-07 - 公布日： 1998-02-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：为了通过可使用廉价的玻璃基板的低温工艺来制造高性能的薄膜半导体器件,在通过使用了作为原料气体的硅烷和作为稀释气体的氩的PECVD法形成结晶性高的混晶质半导体膜之后,用激光照射等方法提高结晶性来制造薄膜半导体器件,使用该薄膜半导体器件制成液晶显示装置或电子设备。在将本发明应用于有源矩阵基板的液晶显示装置的制造时,可容易地而且稳定地制造大型和高质量的液晶显示装置。此外,在应用于其他的电子电路的制造时,也可容易地而且稳定地制造高质量的电子电路。
薄膜半导体器件制造方法液晶显示装置电子设备

[实用新型]视线外磁过滤金属蒸气真空弧等离子体沉积源-CN03200996.8无效
发明人：吴先映;李强;张荟星;张胜基;张孝吉 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2003-01-15 - 公布日： 2003-12-24 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：为了得到高质量的沉积薄膜，过滤器管道内壁有特殊的凹槽设计以防止液滴或颗粒的反射，过滤器可串联。过滤器管道上加正偏压以提高过滤器的等离子体传输效率。同时在过滤器管道出口附加桶形磁场等离子体均化器。本实用新型适用于高光洁度、高密度、良好的薄膜与基体结合等高质量快速沉积薄膜。
视线过滤金属蒸气真空等离子体沉积

[发明专利]一种通过氢化物气相外延法制备高质量单晶GaN的方法-CN202210689600.8在审
发明人：乔焜 -专利权人：国镓芯科（深圳）半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及单晶GaN制备技术领域，具体涉及一种通过氢化物气相外延法制备高质量单晶GaN的方法，包括如下步骤：S1、金属镓与氯化氢反应形成氯化镓蒸气；S2、将S1中得到的氯化镓蒸气伴随氨气快速通入到装有衬底材料的反应釜中并使其内部快速降温至173–223K形成液氨；S3、将步骤S2中反应釜一段快速升温至263‑303K；然后二段快速升温至773‑1273K后保持，并保持其内部10‑200MPa的压强1‑48小时，实现高质量单晶GaN快速生长；本发明操作方便，降低了晶格失配度和位错裂纹等缺陷的几率，促进了高质量GaN单晶的电子传输率，减小材料合成流程的能耗，能够用于大规模生产GaN薄膜，进而获得大尺寸的高质量单晶GaN，具有较大的推广价值和市场前景
一种通过氢化物外延法制质量 gan 方法

[发明专利]一种快速宏量制备超大尺寸二维材料薄膜的方法及装置-CN201810233438.2有效
发明人：吴慕鸿;张志斌;徐小志;张智宏;俞大鹏;王恩哥;刘开辉 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速宏量制备超大尺寸二维材料薄膜的方法及装置，涉及超大尺寸二维材料薄膜的制备方法。所述方法为将金属箔或其他柔性耐高温衬底与柔性耐高温隔层复卷成大卷，放在支架上，并在材料生长腔中同时整体生长的方法，在金属箔或其他柔性耐高温衬底表面快速宏量制备出尺寸大，易裁剪，易加工，成本低的高质量超大尺寸二维材料薄膜本发明提出的方法及装置，解决了传统方法制备的二维材料薄膜工艺复杂、设备昂贵，以及所制备二维材料薄膜尺寸受限、质量不高导致性能大大降低，卷对卷制备方法生长效率较低，且所需设备复杂成本较高，无法满足大规模应用的需要等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速宏量制备高质量超大尺寸二维材料薄膜样品。
一种快速宏量制备超大尺寸二维材料薄膜方法装置

[发明专利]在(La,Sr)(Al,Ta)O₃上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法-CN200410071047.3无效
发明人：杜小龙;薛其坤;英敏菊;梅增霞;曾兆权;郑浩 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2004-07-28 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： H01L21/365 文献下载
摘要：本发明公开了一种在(La，Sr)(Al，Ta)O₃上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法，其步骤为：对LSAT(111)衬底表面进行低温氧等离子体预处理；然后在超高真空及低温下沉积镁超薄层，再升高衬底温度对镁超薄层进行退火处理，让镁原子在LSAT(111)衬底上迁移、脱附，最后获得极薄镁吸附层，从而实现ZnO薄膜按晶格小失配外延取向生长，制备得到单一O极性、单一畴的原子级光滑的高质量ZnO薄膜。本发明首次提出LSAT(111)衬底表面的镁吸附方法，有效地控制了ZnO的外延取向，克服了现有方法ZnO薄膜按大失配(18.9％)外延取向生长所造成的薄膜应变大、缺陷密度高等问题，所得的光滑ZnO薄膜具有很高的晶体质量与光电性能
la sr al ta sub 制备质量 zno 薄膜方法