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- [发明专利]光电器件-CN201611264440.3在审
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林岳明
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苏州爱彼光电材料有限公司
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2016-12-30
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2017-04-26
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H01L31/0392
- 本发明涉及一种光电器件，其包括复合衬底，包括硅衬底层以及键合在所述硅衬底层上的蓝宝石衬底层；器件主体结构，形成所述蓝宝石衬底层上；以及驱动芯片，位于所述硅衬底层远离所述蓝宝石衬底层的一侧。上述光电器件，采用蓝宝石衬底层与硅衬底层键合而成的复合衬底，这样可以在蓝宝石衬底层上生长高质量的外延层(例如高质量的氮化镓层)，从而有利于获得高质量的器件主体结构，进而有利于制造出性能优异的光电器件；同时该复合衬底的硅衬底层，可以满足大尺寸主流生产线的需求，与现有的硅衬底工艺兼容；另外，还避免使用大尺寸的蓝宝石片，可以有效降低光电器件的成本。
- 光电器件
- [发明专利]光电器件-CN202011633955.2在审
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王天锋;杨一行
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TCL科技集团股份有限公司
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2020-12-31
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2022-07-01
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H01L51/50
- 本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述空穴传输层中至少包含两种空穴传输材料，其中，至少一种空穴传输材料的价带顶能级的绝对值小于等于5.3eV本申请提供的光电器件中空穴传输层为混合材料，通过浅能级空穴传输材料、深能级空穴传输材料之间的相互搭配，实现对空穴传输材料与量子点外壳层之间的空穴注入势垒的精细调控，有利于构建≥0.5eV的能级势垒，降低空穴的注入效率，从而平衡发光层中空穴与电子的注入平衡，提高器件发光效率，同时避免电荷积累对器件寿命的影响。
- 光电器件
- [发明专利]光电器件-CN202011634860.2在审
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杨一行;王天锋;周礼宽
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TCL科技集团股份有限公司
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2020-12-31
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2022-07-01
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H01L51/50
- 本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、第二空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述空穴传输层中空穴传输层材料的价带顶能级与所述第二空穴注入层中第二空穴注入材料的功函差值小于本申请提供的光电器件，通过在空穴传输层材料与第二空穴注入材料之间构筑小于‑0.2eV的注入势垒，增大阳极向HIL的空穴注入势垒，有效控制进入QLED器件内的空穴数量，使发光层中空穴电子注入速率平衡，提高载流子复合效率保证载流子在器件稳定工作状态下注入平衡的基础上，充分有效地利用器件中注入的空穴，保证器件的发光效率，实现器件效率和寿命的同时提升。
- 光电器件
- [发明专利]光电器件-CN202011637533.2在审
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王天锋;杨一行
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TCL科技集团股份有限公司
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2020-12-31
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2022-07-01
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H01L51/50
- 本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述空穴传输层中至少包含两种空穴传输材料，所述空穴传输材料的价带顶能级的绝对值均小于等于5.3eV。本申请提供的光电器件中空穴传输层为混合材料，空穴传输材料的价带顶能级均小于等于5.3eV，与壳层能级较深的量子点发光材料可形成大于等于0.5eV的能级差，实现对于构造HTL与EML中量子点外壳层之间的空穴注入势垒更精细的调控从而实现QLED器件在进入稳定工作状态后，最佳电荷注入平衡以及器件效率保持，实现器件寿命的最优化。同时，通过不同混合比例可精细调控空穴传输层的空穴迁移率。
- 光电器件
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