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[发明专利]高质量钙钛矿薄膜的真空气相沉积及其光伏应用-CN202310198901.5在审
发明人：吴绍航;麦耀华;刘冲;罗钦荣 -专利权人：广东脉络能源科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本申请涉及钙钛矿太阳能电池制备技术领域，尤其是高质量钙钛矿薄膜的真空气相沉积及其光伏应用。高质量钙钛矿薄膜的真空气相沉积是利用PbCl2和CsCl对钙钛矿薄膜进行组分调控制成，具体如下：在碘化铅薄膜上旋涂有机卤化铵溶液，随后进行热处理、冷却得到目标钙钛矿薄膜本申请中的钙钛矿膜采用PbCl2和CsCl对钙钛矿无机组份进行调控，氯化物前驱体的引入导致更大的晶粒尺寸，在形成高质量碘化铅薄膜的同时实现了五分钟快速蒸发，改善了蒸发工艺时间过长的缺点
质量钙钛矿薄膜空气沉积及其应用

[发明专利]基于范德华外延获得大面积高质量柔性自支撑单晶氧化物薄膜的方法-CN201810315141.0有效
发明人：陆小力;王涛;吴飞虎;王贺;黄玉瑶;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C30B23/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于范德华外延获得大面积高质量柔性自支撑单晶氧化物薄膜的方法，主要解决现有技术制备氧化物薄膜流程复杂的问题。其实现步骤是：1.在云母衬底上通过脉冲激光沉积技术生长氧化物薄膜；2.在氧化物薄膜表面旋涂上聚甲基丙烯酸甲酯，再浸入弱酸性溶液，待薄膜边角微微翘起时，将其取出至清水中，利用水的张力使薄膜脱离云母衬底，再转移至后续所需要的衬底上，得到大面积高质量柔性自支撑单晶氧化物薄膜。本发明通过采用云母衬底及弱酸性溶液，可获得基于范德华外延的大面积高质量柔性氧化物薄膜，且大大缩短了薄膜制备时间，可用于为柔性电子器件制备多种功能的氧化物薄膜。
基于范德华外延获得大面积质量柔性支撑氧化物薄膜方法

[发明专利]一种YBCO薄膜表面制备高质量银电极的方法-CN202111010606.X有效
发明人：熊杰;李秀丽;杨超;黄建文;王建东;王勇;王丝爽;邱东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种YBCO薄膜表面制备高质量银电极的方法，属于电极制备技术领域。该制备方法采用热蒸发法在YBCO薄膜表面制备银电极，并在蒸发过程中根据银电极的膜厚调控蒸发速率，得到高质量的银电极，且电极的附着性好、接触电阻小。
一种 ybco 薄膜表面制备质量电极方法

[发明专利]一种薄膜封装方法-CN201310753312.5在审
发明人：刘杰;刘键;冷兴龙;屈芙蓉;李超波;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜封装方法，包括如下步骤通过PECVD方法沉积有机功能层；通过PECVD方法沉积无机功能层；通过ALD方法沉积无机功能层；沉积包括若干有机功能层和若干无机功能层结构的薄膜。该方法同时采用PECVD方法和ALD方法，使本发明兼具PECVD方法可快速沉积的优势以及ALD方法可沉积高质量薄膜的优势，实现了快速沉积较高质量的薄膜。
一种薄膜封装方法

[发明专利]一种高质量金属纳米点阵列的制备方法-CN202111490714.1在审
发明人：侯志鹏;王亚栋;徐娇;卫智健;徐联星 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种高质量金属纳米点阵列的制备方法，其包括以下步骤：S1：采用磁控溅射工艺在衬底上制备金属薄膜；S2：在步骤S1制得的金属薄膜表面采用热蒸镀制备抗刻蚀保护层；S3：采用聚苯乙烯小球辅助离子刻蚀的方法制备高质量金属纳米点阵列相比于现有技术，本发明通过制备抗刻蚀保护层对金属薄膜起到有效的保护作用，避免了金属薄膜与PS小球的直接接触，从而不会产生界面反应，而且避免了物理刻蚀对金属薄膜表面造成损坏，从而制得高质量、高密度的有序纳米点阵列结构
一种质量金属纳米阵列制备方法

[发明专利]一种在Si(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法-CN200610064977.5无效
发明人：杜小龙;王喜娜;曾兆权;袁洪涛;梅增霞;薛其坤;贾金锋 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2006-03-20 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅(111)衬底上制备高质量氧化锌单晶薄膜的方法，即分五步依次在超高真空环境下热处理硅衬底获得清洁的Si(111)面：1.低温沉积1～10nm厚的金属单晶薄膜如镁、钙、锶、镉等，2.低温氧化金属膜以获得金属氧化物单晶层，3.低温沉积氧化锌缓冲层，4.以及高温沉积氧化锌层，5.制备高质量氧化锌单晶薄膜；其优越的光电性能表明该薄膜非常适合于高性能光电子器件的制作。高质量硅基氧化锌薄膜在光电集成方面具有巨大的应用前景，因此，本发明具有重大的工业应用价值。
一种 si 111 衬底制备质量 zno 薄膜方法

[发明专利]一种高质量砷化镉薄膜的制备方法-CN201911312013.1有效
发明人：修发贤;杨运坤;张恩泽 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种高质量砷化镉薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：1)采用分子束外延技术，先在衬底上生长一层碲化镉缓冲层，之后在碲化镉缓冲层上生长砷化镉薄膜；2)采用原子层沉积技术，在步骤1)中的砷化镉薄膜上生长一层氧化铝覆盖层；3)采用快速退火技术，在0.5‑3min内将温度升高至550‑650℃并保持3‑7min，之后降至室温，得到高质量砷化镉薄膜。与现有技术相比，本发明采用原子层沉积技术和快速退火技术提高了砷化镉薄膜的晶体质量，衬底处理工艺简单，对设备要求低，可以获得更高质量、更高迁移率的晶圆级单晶砷化镉薄膜。
一种质量砷化镉薄膜制备方法

[发明专利]一种优化的在硅衬底上外延生长β-碳化硅薄膜的方法-CN201510398440.1有效
发明人：赵志飞;李赟;朱志明 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种优化的在硅衬底上化学气相沉积生长高质量β‑碳化硅薄膜的方法。本方法采用非常低的碳化压力通入大流量丙烷碳化形成高质量的碳化硅缓冲层。然后保持大流量的氢气气氛，以较低速率生长一层薄的β‑碳化硅薄，再加入一个刻蚀过程来降低缺陷和提高晶体质量，最后以高速率生长得到高质量β‑碳化硅薄膜。采用本方法可以获得高质量的β‑碳化硅薄膜。本发明方法工艺简单易行、成本低廉，具有重要应用价值。 1
碳化硅薄膜生长刻蚀过程外延生长大流量硅衬底碳化硅丙烷化学气相沉积外延层结构外延碳化硅氢气气氛生长过程碳化压力外延过程重要应用氢气纯硅烷缓冲层生长源外延层源流量碳化载气优化

[发明专利]一种制备高质量氮化铝模板的方法-CN202010719096.2在审
发明人：吴亮;付丹扬;王琦琨;朱如忠;龚建超;刘欢 -专利权人：奥趋光电技术（杭州）有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高质量氮化铝模板的方法，主要解决的问题为衬底材料与氮化铝的晶格失配和热失配大，使得氮化铝在衬底材料上的初期形核层结晶质量和表面质量差，且高温存在大量残余应力，导致高密度缺陷和裂纹，对后续制备器件产生极其不利的影响本发明制备高质量氮化铝模板具体步骤为：1)准备高质量衬底材料、高质量氮化铝单晶片；2)使用剥离键合技术转印氮化铝薄膜；3)使用热处理技术提高模板质量。通过以上步骤本发明实现了高品质氮化铝模板的制备。
一种制备质量氮化模板方法

[发明专利]包装薄膜制造机-CN201510872620.9有效
发明人：罗齐汉;刘田;李壮;陈立;关法硕;柯旭鹏;段谦 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： B29D22/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种包装薄膜制造机，其包括：底板(1‑6)，以及按工艺流程排列在该底板上的薄膜供给机构、充气泵(1‑1)、薄膜热轧机构(1‑2)、薄膜切断机构(1‑3)和夹持装置(1‑4)。本发明能够快速制造量化，高质量，自适应的充气包装薄膜，从热轧、充气、热封和切割一气呵成，与现有的薄膜制造机相比，本发明自动化程度高，能实现高质量PA PE共挤充气包装薄膜的制作。
包装薄膜制造

[发明专利]一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法-CN201910938320.4有效
发明人：柯少颖;陈松岩;黄东林;周锦荣 -专利权人：闽南师范大学;厦门大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法，首先利用多晶Ge薄膜作为Ge/SOI键合中间层实现SOI基Ge薄膜的智能剥离，再将SOI基Ge薄膜放置在N2氛围内进行高温热退火，实现Ge薄膜中不均匀应变的释放、点缺陷的修复和无气泡坑Ge表面的获得，是一种简单、低成本且极其有效的高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法。
一种耐高温质量 soi 剥离 ge 薄膜制备方法

[发明专利]一种在绒面衬底上溶液制备钙钛矿薄膜及太阳电池的方法-CN202110194741.8在审
发明人：李跃龙;刘凡 -专利权人：南开大学
申请日： 2021-02-21 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种在绒面衬底上基于溶液法制备高质量钙钛矿薄膜及太阳电池的方法，属于太阳电池领域。其特征在于将钙钛矿墨水均匀可控地涂布在绒面衬底上，形成充分填充金字塔谷底、完全覆盖金字塔尖、表面平整的高质量钙钛矿薄膜，且钙钛矿薄膜高于金字塔尖厚度精确可控。该方法也适用于平面衬底上制备高质量薄膜及太阳电池等光电器件。
一种衬底溶液制备钙钛矿薄膜太阳电池方法

[发明专利]氢氧火焰法制备石墨烯粉体以及石墨烯透明导电薄膜的方法-CN201210016253.9在审
发明人：黄富强;林天全 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高质量石墨烯粉体和石墨烯透明导电薄膜的制备方法，其包括：利用氢氧火焰快速加热的方法分解有机物产生高活性碳原子，然后由活性碳原子在绝缘或催化剂衬底上重构成石墨烯。本发明可以在绝缘衬底上直接生长高质量的石墨烯，并且通过超声等方法可以得到无衬底支撑的高质量石墨烯粉体。与传统的用化学剥离法得到的石墨烯相比，本发明操作简单，成本低廉，可得到缺陷少、导电性好、质量高的石墨烯。本发明还可在催化剂薄膜衬底上制备高质量的石墨烯透明导电薄膜，其质量和导电性接近于传统CVD法的最优值。
火焰法制石墨烯粉体以及透明导电薄膜方法

[发明专利]一种制备GaN薄膜材料的方法-CN201210316953.X有效
发明人：修向前;华雪梅;林增钦;张士英;谢自力;张荣;韩平;陆海;顾书林;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：制备GaN薄膜材料的方法，在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍（Ni）薄膜，退火得到纳米Ni颗粒，然后采用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN，形成纳米结构的在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延（HVPE）生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。
一种制备 gan 薄膜材料方法

[发明专利]一种基于氮化镓衬底的高质量氮化镓外延薄膜的生长方法-CN201210193466.9有效
发明人：李亮 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明是一种基于氮化镓衬底的高质量氮化镓外延薄膜的生长方法，本发明是在MOCVD设备中进行的，包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入MOCVD反应腔内，升温烘烤衬底；通入氨气（NH3）对衬底进行氮化处理；降温至生长温度，同时通入三甲基镓（TMG）、氨气（NH3），采用低压及高V/III生长第一层氮化镓（GaN）优化层，而后升压并降低V/III生长第二层高质量GaN外延薄膜。本发明的优点：方法简单易行，生长周期短，材料性能好，是实现GaN外延薄膜高质量、低成本生长的有效解决方案。
一种基于氮化衬底质量外延薄膜生长方法