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- [发明专利]层-CN202180045242.0在审
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R·利亚;M·兰基宁
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塞瑞斯知识产权有限公司
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2021-06-24
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2023-04-04
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C23C18/12
- 一种基材上的结晶镱掺杂氧化锆层的制造方法，其中该方法包括以下步骤：(i)将包含镱掺杂氧化锆的前体金属盐的溶液沉积到基材的表面上，其中该表面是金属或陶瓷表面；(ii)干燥溶液，从而在表面上形成前体金属盐的膜；(iii)加热前体金属盐的膜，使其分解，形成镱掺杂氧化锆；任选地重复步骤(i)至(iii)；以及烧制所述一层或多层膜，以形成结晶镱掺杂氧化锆层，其中所述镱掺杂氧化锆具有通式：([Yb层，包含该层的固体氧化物燃料电池，用于制造固体氧化物电池层的溶液，以及该溶液在制造固体氧化物电池中的用途。
- 层
- [实用新型]金属层-绝缘层-金属层电容器-CN201721112455.8有效
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丁启源;王富中;杨双越;李建明
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格科微电子（上海）有限公司
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2017-09-01
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2018-05-01
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H01L23/522
- 本实用新型提出一种金属层‑绝缘层‑金属层电容器，适于应用于集成电路的片内电容，由下至上包括第一金属层、层间金属层、第二金属层，各金属层之间由绝缘层彼此间隔；第一金属层包括第一金属层A区域和第一金属层B区域，层间金属层包括层间金属层A区域和层间金属层B区域；MIM_A电容器的下极板第一金属层A区域与MIM_B电容器的上极板层间金属层B区域通过第二金属层的部分连线相连，MIM_A电容器的上极板层间金属层A区域与MIM_B电容器的下极板第一金属层B区域通过第二金属层的另一部分连线相连，降低了电容器上极板的连线阻抗，因此不再需要大面积的第二金属层来降低上极板的连线阻抗，从而节省了第二金属层的占用面积，提高了芯片面积的利用效率
- 金属绝缘电容器
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