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[发明专利]一种过渡金属硫族化合物晶圆及其制备方法和装置-CN202310687180.4在审
发明人：刘开辉;刘灿;吴慕鸿;薛国栋;殷鹏 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种过渡金属硫族化合物晶圆及其制备方法和装置，属于二维材料技术领域。该制备方法，包括：S1.组装生长模块；S2.将组装好的生长模块进行垂直堆叠，得到组合生长模块；将组合生长模块置于容器中，在惰性气体保护氛围下，升温至预定温度，进行化学气相沉积，得到晶圆。该方法采用“面对面”局域元素供应技术且选择高反应活性前驱体，能够有效解决传统模式“点对面”扩散生长源供应不均匀的问题；采取本申请的前驱体元素供应方法，能够大幅度扩展制备晶圆尺寸，扩展单片过渡金属硫族化合物晶圆尺寸至12英寸及以上，达到与当代半导体工艺兼容水平；且能够通过连续堆叠生长模块实现多片晶圆批量化生产。
一种过渡金属化合物及其制备方法装置

[发明专利]一种去除电解铜箔单晶化过程中存在多晶区域的方法-CN202310546574.8在审
发明人：刘开辉;李兴光;张志斌;吴慕鸿;王恩哥 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：一种去除电解铜箔单晶化过程中存在多晶区域的方法，属于金属材料技术领域；方法包括：施加压力使多晶电解铜箔和单晶铜箔或压延铜箔紧密贴合，后进行退火处理，以使所述多晶电解铜箔完全转变为单晶电解铜箔；通过施加压力使多晶电解铜箔和单晶铜箔或压延铜箔紧密贴合，再通过退火处理，可使得多晶电解铜箔完全转变为单晶电解铜箔，进而实现铜箔的性能提升。
一种去除电解铜箔单晶化过程存在多晶区域方法

[发明专利]一种超高导电多层单晶压合铜材料的制备方法及铜材料-CN202010123961.7有效
发明人：刘开辉;吴慕鸿;俞大鹏;王恩哥 -专利权人：北京大学
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种超高导电多层单晶压合铜材料的制备方法，将多层单晶铜箔叠合在一起形成层叠体，采用在加压的同时高温退火的方式将所述层叠体加压退火成一体，或者是采用直接热轧的方式将所述层叠体压合成一体，制备出超高导电多层单晶压合铜材料。该方法用多层单晶铜箔作为原料，利用热轧或压合退火的方法制备出超高导电多层单晶压合铜材料，其电导率大于等于105％IACS。本发明提出的方法，解决了单晶铜材料制备成本高昂，技术复杂，价格昂贵，无法大规模生产等一系列问题，通过非常简单的方法，实现了超高导电多层单晶压合铜材料的制备。
一种超高导电多层单晶压合铜材料制备方法

[发明专利]一种米级大单晶高指数面铜箔的制备方法-CN201910179992.1有效
发明人：刘开辉;吴慕鸿;张志斌;俞大鹏;王恩哥 -专利权人：北京大学
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明提供一种米级大单晶高指数面铜箔的制备方法，所述方法为商业多晶铜箔作为原料，利用预先氧化保护然后退火的工艺制备出Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面等一系列米级大单晶高指数面铜箔。本发明提出的方法，解决了Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面单晶铜箔价格和制备成本高昂且市场上没有产品供应的问题，通过非常简单的方法，实现了高质量米级大单晶Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面铜箔的宏量制备。
一种米级大单晶高指数铜箔制备方法

[发明专利]一种克隆生长单晶金属的方法-CN201910144704.9有效
发明人：刘开辉;张志斌;吴慕鸿;俞大鹏;王恩哥 -专利权人：北京大学
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明提出一种克隆生长单晶金属的方法，以铜为例，利用已有的任意指数面单晶铜箔，放置在需要单晶化的铜箔上，通过退火工艺处理，克隆得到与母体晶面指数相同的大面积(米级)单晶铜箔。本发明提出的方法，解决了单晶铜箔难以制备的问题，通过退火工艺处理，利用极小尺寸(～0.25cm2)的单晶铜箔母体克隆制得了大面积(～700cm2)的单晶铜箔。面积扩大了约3000倍。
一种克隆生长金属方法

[发明专利]一种元素辅助快速制备大尺寸单晶二维材料的方法-CN201810493951.5有效
发明人：刘灿;徐小志;吴慕鸿;俞大鹏;王恩哥;刘开辉 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种元素辅助快速制备大尺寸单晶二维材料的方法，涉及单晶石墨烯及其它二维材料的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用含特定元素的衬底与金属箔片紧密接触，然后利用常压化学气相沉积法，快速获得大尺寸高质量单晶石墨烯及其它二维材料。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备大尺寸单晶二维材料生长周期长的技术问题，通过非常简单的方法，实现了极其快速地制备出高质量大尺寸的单晶石墨烯及其它二维单晶样品。
一种元素辅助快速制备尺寸二维材料方法

[发明专利]一种快速宏量制备超大尺寸二维材料薄膜的方法及装置-CN201810233438.2有效
发明人： 吴慕鸿;张志斌;徐小志;张智宏;俞大鹏;王恩哥;刘开辉 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速宏量制备超大尺寸二维材料薄膜的方法及装置，涉及超大尺寸二维材料薄膜的制备方法。所述方法为将金属箔或其他柔性耐高温衬底与柔性耐高温隔层复卷成大卷，放在支架上，并在材料生长腔中同时整体生长的方法，在金属箔或其他柔性耐高温衬底表面快速宏量制备出尺寸大，易裁剪，易加工，成本低的高质量超大尺寸二维材料薄膜。本发明提出的方法及装置，解决了传统方法制备的二维材料薄膜工艺复杂、设备昂贵，以及所制备二维材料薄膜尺寸受限、质量不高导致性能大大降低，卷对卷制备方法生长效率较低，且所需设备复杂成本较高，无法满足大规模应用的需要等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速宏量制备高质量超大尺寸二维材料薄膜样品。
一种快速宏量制备超大尺寸二维材料薄膜方法装置

[发明专利]一种精确标定石墨烯超快生长速率的装置及方法-CN201810493954.9有效
发明人：刘灿;徐小志;吴慕鸿;俞大鹏;王恩哥;刘开辉 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种精确标定石墨烯超快生长速率的装置及方法。本发明的目的在于克服现有技术之不足，将同位素标定法和局部碳源供给法结合起来，并利用脉冲控制电路能够快速准确地标定出石墨烯超快生长的速率，整个过程操作简便，程序可控，探测灵敏度高。
一种精确标定石墨烯超快生长速率装置方法

[发明专利]一种快速连续制备超大单晶薄膜的方法及装置-CN201710278012.4有效
发明人： 吴慕鸿;张智宏;徐小志;俞大鹏;王恩哥;刘开辉 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速连续制备超大单晶薄膜的方法及装置，涉及超大单晶薄膜的制备方法。所述方法为将原材料(如金属箔片)或所需耐高温衬底放在耐高温隔离支架中，置于局部高温加热体上，然后利用常压化学或物理气相沉积法，采用局部高温加热，并在非熔融状态下利用高温驱动单个小晶畴或成核位点长大的原理，通过两端的转动装置，直接或在各类耐高温衬底表面快速连续获得高质量超大单晶薄膜。本发明提出的方法，解决了传统方法制备的单晶薄膜能耗高、工艺复杂、设备昂贵，以及所制备单晶薄膜尺寸受限、质量不高导致性能大大降低等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速连续制备高质量超大单晶薄膜样品。
单晶薄膜连续制备耐高温制备局部高温物理气相沉积法非熔融状态衬底表面尺寸受限高温驱动隔离支架金属箔片转动装置加热体常压衬底成核加热晶畴位点能耗

[发明专利]一种大尺寸单晶铜箔的制备方法-CN201710020397.4有效
发明人：徐小志;张智宏;吴慕鸿;俞大鹏;王恩哥;刘开辉 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种大尺寸单晶铜箔的制备方法。所述方法为多晶铜箔作为原料，一端剪成尖端，利用特殊退火工艺制备出大尺寸单晶铜箔。本发明提出的方法，解决了单晶铜箔价格昂贵的问题，通过非常简单的方法，实现了大尺寸单晶铜箔的制备。
一种尺寸铜箔制备方法

[发明专利]超大尺寸多层单晶石墨烯和大尺寸单晶铜镍合金的制备方法-CN201710028076.9有效
发明人：张智宏;徐小志;吴慕鸿;俞大鹏;王恩哥;刘开辉 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种超大尺寸多层单晶石墨烯和大尺寸单晶铜镍合金的制备方法。所述方法为用镀镍的单晶铜箔作为原料，利用退火制备出超大尺寸单晶铜镍合金，然后利用常压化学气相沉积法，以单晶铜镍合金为衬底获得超大尺寸高质量多层单晶石墨烯。本发明提出的方法，用简单的方法获得大尺寸单晶铜镍合金，并利用衬底的调控作用制备出超大尺寸多层单晶石墨烯，解决了多层石墨烯生长中单晶尺寸小、生长过程复杂等技术问题，通过非常简单的方法，实现了高质量大尺寸的多层单晶石墨烯样品和单晶铜镍合金和的制备。
超大尺寸多层晶石单晶铜镍合金制备方法

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