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[发明专利]制备金属碳化物薄膜及其复合薄膜的方法-CN201310341394.2无效
发明人：邹贵付;赵杰 -专利权人：常熟苏大低碳应用技术研究院有限公司
申请日： 2013-08-07 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C01B31/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属碳化物及其复合薄膜的制备方法，包括将水溶性金属前驱体、水溶性聚合物和适当溶剂的均一涂敷溶液沉积于基底或将该涂敷溶液渗透于碳纳米管的基底，再将最终的基底置于含有碳源气的气氛中进行加热处理，形成高质量的金属碳化物或其复合薄膜。本发明的有益效果是：可以在基底上直接制备高质量的金属碳化物及其复合薄膜，具有高度结晶、低缺陷、硬度和杨氏模量高等优点，另外，金属碳化物/碳纳米管复合薄膜也具有高度有序的结构和优良的超导性能。这种聚合物辅助沉积制备金属碳化物及其复合薄膜的方法简单易行，具有广阔的应用前景。
制备金属碳化物薄膜及其复合方法

[发明专利]生产、确保、获取和销售高质量数据的方法-CN201580082183.9在审
发明人：陈雪琴 -专利权人：陈雪琴
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： G06Q30/06 文献下载
摘要：这是在一种通讯网络上生产高质量数据、确保生成数据的质量、买家获取高质量数据以及卖家销售高质量数据的一种方法。潜在卖家通过使用一家站点上的一种定制信息系统，提供所请求的高质量数据。定制信息系统生成一个高质量数据包，并与一些预先设定的分类标准相链接。潜在卖家设定销售价格，并将高质量数据包提交给站点出售。定制信息系统将销售价格和潜在卖家的用户名附加给高质量数据包，并将其存入数据库。为了确保生成数据的质量，可以使用现有的质量控制手段和以下方式潜在卖家承诺提供高质量的数据；特殊的条款，比如限制一位潜在卖家在任何时候都只能有一个高质量数据包可供出售；定制信息系统；以及潜在买家在购买前预览由一个高质量数据包的关键部分所随机组成的一个有限版本潜在买家可以方便地获取高质量数据，从而做出更明智的决定。潜在卖家可以方便地分享所持有的高质量数据并从中获取经济收入。
生产确保获取销售质量数据方法

[发明专利]一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用-CN201910236361.9在审
发明人：许福军;沈波;王明星;王嘉铭;康香宁;秦志新 -专利权人：北京大学
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用。所述AlN外延薄膜的制备方法，包括：(1)对蓝宝石衬底进行氮化预处理；(2)对在氮化预处理后的蓝宝石上生长得到的AlN薄膜进行高温退火处理。本发明首次提出对蓝宝石衬底进行氮化预处理的构想，采用这一工序可使衬底表面形成特殊的微观结构，同时配合高温退火技术的使用，不仅使所得的AlN外延薄膜的位错密度得到有效降低，而且改善了AlN薄膜的应力状态，使其从张应力状态转变为压应力状态，解决了AlN薄膜外延过程中的开裂行为，最终获得表面平整、位错密度低、无裂纹的高质量AlN外延薄膜。本发明提供的AlN外延薄膜的制备方法具有效率高、重复性好的特点，适合大力推广。
外延薄膜预处理蓝宝石氮化制备方法和应用高温退火衬底位错制备表面平整衬底表面外延过程微观结构应力状态状态转变压应力张应力构想生长配合

[发明专利]一种在硅片上制备钛酸锶钡多晶薄膜的磁控溅射方法-CN202310439409.2在审
发明人：张辉;毛飞龙;侯永琪;朱一凡;殷国栋;倪中华 -专利权人：东南大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B28/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅片上制备钛酸锶钡多晶薄膜的磁控溅射方法，涉及高质量纳米多晶薄膜制备技术领域，解决了钛酸锶钡薄膜在硅基片上结晶差的问题的技术问题，其技术方案要点是在硅片上通过磁控溅射直接制备钛酸锶钡多晶薄膜，在硅基片上长出的钛酸锶钡薄膜结晶效果良好，体现在X光衍射图谱中，在(100)、(110)、(111)、(200)和(211)面有较高的强度。SEM电子扫描显微镜结果显示，薄膜致密光滑，厚度可以达到240纳米。其工艺简单，设备简易；直接在硅基片上生长多晶钛酸锶钡纳米薄膜，成本低，可大批量生产。应用本发明制备的薄膜可实现高质量的结晶效果，在可调电容器、MFS晶体管等领域有很大的应用前景。
一种硅片制备钛酸锶钡多晶薄膜磁控溅射方法

[发明专利]能源高质量发展临界点获取方法、系统、介质及计算设备-CN202310974978.7在审
发明人：赵冬;姜世公;王晓晨;贾淯方;张鹏飞;刘哲;刘鹏;刘懿莹;范姗姗 -专利权人：国网经济技术研究院有限公司;国网上海市电力公司;国家电网有限公司;华北电力大学扬中智能电气研究中心
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06Q10/0637 文献下载
摘要：本发明涉及一种能源高质量发展临界点获取方法、系统、介质及计算设备，其包括：通过构建的用于反映能源系统的特性并能够描述临界点行为的简易Potts模型，与多个影响因素相结合，得到能源高质量发展的临界点模型；对能源高质量发展的临界点数学模型进行优化，得到能源高质量发展临界点，作为能源高质量发展的最优参数配置，进而优化能源配置和资源利用。本发明通过建立数学模型和能量函数，综合考虑多个影响因素，得到能源高质量发展的最优参数配置，以实现能源高质量发展；可以在能源开发领域中应用。
能源质量发展临界点获取方法系统介质计算设备

[发明专利]一种电子浓度稳定的高质量氧化镓薄膜及其制备方法-CN202010613147.3有效
发明人：董鑫;焦腾;张源涛;张宝林;李赜明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/365 文献下载
摘要：一种电子浓度稳定的高质量氧化镓(β‑Ga2O3)薄膜及其制备方法，属于半导体材料及其制备技术领域。本发明能够实现电子浓度稳定的高质量氧化镓薄膜的快速制备，1小时可以获得厚度约为1微米的Ga2O3薄膜。本发明解决了掺杂Ga2O3薄膜电子不稳定的问题，同时提高了薄膜生长速度与Ga2O3薄膜的晶体质量。该发明能够快速制备高质量、高电子浓度稳定性的Ga2O3薄膜，为Ga2O
一种电子浓度稳定质量氧化薄膜及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿量子点复合偏振发光薄膜的制备方法-CN201710660902.1有效
发明人：刘瑞扩;曹超伟 -专利权人：致晶科技（北京）有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种钙钛矿量子点复合偏振发光薄膜的制备方法，采用配料‑涂覆‑干燥‑拉伸的简单工序获得高质量的具有偏振发光特性的钙钛矿量子点/聚合物复合薄膜。
一种钙钛矿量子复合偏振发光薄膜制备方法

[发明专利]一种图像高质量和谐化模型训练及装置-CN202310251048.9在审
发明人：童仁玲;邱晗若;朱凯 -专利权人：支付宝（杭州）信息技术有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本说明书实施例公开了一种图像高质量和谐化模型训练方法，所述方法包括：获取高质量样本图像，转化为低质量样本图像输入生成网络中；通过编码器提取出低质量样本图像的多尺度图像特征，通过融合模块融合多尺度图像特征和预先获取的人脸先验特征，由解码器解码得到对应的高质量重构图像；根据高质量重构图像与高质量样本图像计算生成损失；采用判别网络判断高质量重构图像是否为高质量样本图像，计算判别损失；以判别损失最小化为目标，训练判别网络；以生成损失最小化为目标本说明书实施例还公开了提高生物图像质量的方法。相应地，本说明书实施例公开了图像高质量和谐化模型训练装置和提高生物图像质量的装置。
一种图像质量和谐模型训练装置

[发明专利]约瑟夫森结、超导电路及其制备方法-CN202111492417.0在审
发明人：应利良;张雪;何桂香;任洁;王镇 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明提供一种约瑟夫森结、超导电路及其制备方法，该方法通过对约瑟夫森结的下电极采用分步溅射沉积的方法，在制备超导材料层之前，先对不同条件下单次溅射薄膜的应力和粗糙度进行表征，得到不同溅射条件下薄膜应力和粗糙度的关系图；然后再选用合适的压/张应力的条件分步溅射薄膜，再对分步溅射的薄膜的应力和粗糙度进行表征，得到此条件下薄膜粗糙度和应力，从而同时对薄膜应力和粗糙度进行了调控，获得应力和粗糙度极好的条件，使多次溅射的超导薄膜上粗糙度降低，可在保证约瑟夫森结质量的前提下使后续形成的势垒材料层厚度得到有效降低，从而可在高临界电流密度下依然获得高质量的约瑟夫森结，突破现有临界电流密度越高质量越差的情况。
约瑟夫超导电路及其制备方法

[发明专利]一种柔性基底上II-VI族半导体薄膜的制备方法-CN201810851361.5有效
发明人：王敏;贾良鹏;徐志勇;杨金华 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性基底上II‑VI族半导体薄膜的制备方法，在柔性基底上制备出高质量的II‑VI族半导体薄膜，且在一定弯曲程度和弯曲次数后仍具有良好的光电性能；其中采用电子束蒸发镀膜法可以保证基底在较低温度下进行目标材料的沉积，有效解决了柔性基底PET存在不耐高温及尺寸稳定性差的问题，同时利用电子束蒸发法可以在柔性基底PET上得到高质量的II‑VI族半导体薄膜，构筑的II‑VI族半导体光电探测器具有良好的光电性能。本发明提供的柔性基底上II‑VI族半导体薄膜的制备方法工艺简单，成本低廉。
一种柔性基底 ii vi 半导体薄膜制备方法

[发明专利]一种氧化钒单晶薄膜的制备方法-CN201811383414.1有效
发明人：罗震林;杨远俊;洪宾;高琛 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化钒单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：A)磁控溅射的准备工作；B)对样品台进行加热，再通入氧气和氩气，调节真空腔的压力；C)采用射频电源对金属钒靶起辉以产生等离子体，预溅射后进行正式溅射；D)溅射结束后依次关闭射频电源、氧气、挡板阀、分子泵和机械泵，再进行退火处理，得到氧化钒单晶薄膜。本发明可精准可控制备、大尺寸、高质量的各种晶相的氧化钒单晶薄膜。本发明极大的简化了可控制备高质量大面积氧化钒单晶薄的工艺，大幅降低了制备成本，为氧化钒薄膜在光电探测、相变存储、激光防护等领域的应用打破了产业瓶颈。
一种氧化钒单晶薄膜制备方法

[发明专利]一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法-CN201210385259.3有效
发明人：王浩敏;张有为;沈大伟;杨喜超;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法，先将石墨烯置于氧化物分子束外延室，并使所述氧化物分子束外延室保持预设的气压及预设的温度；然后向所述氧化物分子束外延室通入金属蒸气束流与氧化剂气流，使其于所述石墨烯表面反应并沉积形成金属氧化物薄膜本发明通过控制气压及温度，选择合适的金属及氧化剂，可在石墨烯上制备出高k栅介质单层膜或多层膜；薄膜的厚度、组分等可以从原子尺寸精确控制；可以制备出沉积均匀、高质量高k栅介质薄膜；可以作为成核层再通过如原子层沉积法等继续生长获得所需厚度的高质量高
一种石墨表面制备介质薄膜方法

[发明专利]一种单晶钽酸钾薄膜的制备方法-CN201910561077.9有效
发明人：任召辉;王飞;武梦姣;陈嘉璐;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C01G35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶钽酸钾薄膜的制备方法。该方法以五氧化二钽和氢氧化钾作为主要原料，同时氢氧化钾也作为矿化剂，在室温下强力搅拌，加入掺铌钛酸锶基板，然后将其在高温下进行水热处理，得到单晶钽酸钾薄膜。本发明采用水热法首次制得了单晶钽酸钾薄膜。本发明的制备方法工艺过程简单，易于控制，无污染，成本低，易于规模化生产；制备的产品为高质量的大面积单晶薄膜，并且与基板形成了高质量的异质结界面，在信息存储、自旋电子器件、传感器等领域具有广泛的潜在应用前景
一种单晶钽酸钾薄膜制备方法

[发明专利]在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法-CN200810222662.8无效
发明人：张希清;孙建;黄海琴;刘凤娟;胡佐富;赵建伟 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2008-09-22 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01L21/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。氧等离子体处理30－50分钟；步骤3，在400－500℃下生长厚度为1.5－6nm的MgO柔性层；步骤4，在700－850℃下，退火处理10－20分钟；步骤5，在500－600℃下进行外延生长ZnMgO合金薄膜ITO代替蓝宝石和硅衬底生长高质量ZnMgO合金薄膜，生长出高质量的ZnMgO合金薄膜。优点是工艺简单、成本低，器件结构简单，有利于光电子器件的应用。
ito 衬底生长 znmgo 合金薄膜方法

[发明专利]实现低温高质量薄膜生长的薄膜及其沉积方法-CN202310508229.5在审
发明人：陈长鸿;孙一军;王妹芳;谢石建;刘艳华;孙颖;孙家宝;刘志 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请涉及实现低温高质量薄膜生长的薄膜及其沉积方法，该方案包括以下步骤：S00、将衬底材料传至双电极等离子设备的腔室内，并将温度控制在设定温度范围内，抽真空；S10、抽真空时，通入惰性气体；S20、通过惰性气体载入通过惰性气体吹扫腔室；S70、循环S20～S60步骤多次；S80、循环完毕后，往腔室通入O2；S90、通过惰性气体吹扫腔室；S100、循环S20～S90步骤直至薄膜达到目标厚度有效减小了薄膜生长过程中产生的位阻效应和反应物残留问题。
实现低温质量薄膜生长及其沉积方法