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[发明专利]一种基于BCl3-CN202110668197.6有效
发明人：林佳继;梁笑;刘群 -专利权人：拉普拉斯新能源科技股份有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于BCl3气体的LPCVD硼掺杂非晶硅水平镀膜方法及应用，本发明在生长Poly‑Si过程中，通入BCl3实现原位掺杂，然后退火晶化，掺杂的P poly‑Si增加空穴的迁移速率同时抑制电子的迁移速率。同时与SiO2结合，SiO2/P‑poly‑Si引入具有电子和空穴不对称隧穿概率的隧道势垒，显著降低光伏电池界面复合，将电流密度J0降低至15fA/cm2，大幅提高太阳电池发电效率。本发明采用BCl3气态源，BCl3分子极易分解并快速进行硼非晶硅晶体的形成，所以BCl3的利用率非常高，利用本发明的方法可以疏散BCl3气体在炉管内的分布，使得炉管内BCl3分布均匀，并能够与SiH4充分混合参与反应。
一种基于 bcl base sub

[实用新型]外延生长设备的气流调节结构-CN202321268547.0有效
发明人：王华杰;李炜;林明献;曹共柏;潘帅 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本实用新型提供一种外延生长设备的气流调节结构，所述气流调节结构呈环形管状，且具有沿轴向延伸的环壁，所述环壁不同位置具有不同的轴向延伸高度，以调控外延生长工艺中进入半导体衬底上方的气流大小。通过气流调节结构调节外延生长工艺中半导体衬底上方局部气流，进而使外延层薄膜厚度均匀性与平坦度得到优化。本实用新型中，气流调节结构与基座是相互独立的两个装置，无需调整基座，气流调节结构制造工艺简单，加工周期通常仅需基座制造一半时间，降低了设备成本。
外延生长设备气流调节结构

[发明专利]制造含硅材料的方法-CN202080108361.1在审
发明人： M·弗里克;M·贝克尔;C·克莱因莱恩;J·普法伊费尔;S·苏科 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明涉及在流化床反应器中通过由至少一种硅前体在多孔颗粒的孔中和表面上沉积硅来生产含硅材料的方法，其特征在于，流化气体流通过所述流化床反应器中的脉动以波的形式传播并作用在所述流化床上，从而形成特征为至少0.95的流化指数FI的均匀流化床。本发明还涉及通过根据所公开方法获得的含硅材料作为锂离子电池阳极材料中的活性材料的用途，并且对应的锂离子电池在阳极中含有根据所公开方法获得的含硅材料。
制造材料方法

[发明专利]一种用于聚变装置的在线表面涂覆硅化壁处理方法-CN202111047681.3有效
发明人：黄向玫;曹诚志;曹曾;崔成和;高霄燕;胡毅 -专利权人：核工业西南物理研究院
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明属于聚变领域真空技术，具体涉及一种用于聚变装置的在线表面涂覆硅化壁处理方法。采用氘硅烷和氦气的混合气体作为硅化壁处理的工作气体，真空室上布置注入点，利用压电晶体阀送气，其采用脉冲工作模式，送气脉冲时刻位于HL‑2A装置等离子体运行的平顶段300ms‑1800ms。氘硅烷‑氦气混合气进入真空室后，沿径向运动到刮削层区后，在等离子体的作用下，在真空室内壁沉积形成硅化壁。本方法形成的硅化膜对氧气具有很强的吸附性，能实时减少真空室中的氧杂质，优化器壁条件从而提高等离子体运行参数。
一种用于聚变装置在线表面涂覆硅化壁处理方法

[发明专利]共形硅锗膜沉积-CN202180090595.2在审
发明人：王慧圆;S·S·罗伊;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：描述了在基板上沉积硅锗膜的方法。所述方法包括将基板暴露于硅前驱物和锗前驱物，以形成共形硅锗膜。所述基板包括至少一个膜叠层和至少一个特征，所述膜叠层包括硅和硅锗的交替层。硅锗膜具有大于50％的共形度。
共形硅锗膜沉积

[发明专利]含硅材料-CN202080107585.0在审
发明人： C·德雷格;E·黑内尔特;A·卡尔雅基纳;C·克莱因莱恩 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于一种或多种多孔颗粒和硅的含硅材料，其中硅布置在多孔颗粒的孔中和表面上，并且该含硅材料具有至多50m2/g的通过氮吸附和BET评估测定的比表面积，其特征在于，所述多孔颗粒具有至少2kOhm的平均颗粒电阻和至多100mAh/g的可逆脱锂容量β。本发明还涉及生产根据本发明的含硅材料的方法，其作为锂离子电池的阳极中的活性材料的用途，包含根据本发明的含硅材料的阳极以及包括包含根据本发明的含硅材料的阳极的锂离子电池。
材料

[发明专利]镀膜装置及载物机构-CN202111623488.X有效
发明人：李振;陈昊;王荣;朱双双 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种镀膜装置及载物机构，该载物机构包括：载板，包括用于放置待镀膜产品的承载面；阻挡机构，位于所述载板周侧，且所述阻挡机构和所述载板之间具有间隙；在垂直于所述承载面的方向上，所述间隙具有预设深度；在平行于所述承载面的方向上，所述间隙具有预设宽度；调节组件，位于所述间隙内，用于调节所述间隙的所述预设深度和/或所述预设宽度；所述调节组件与所述载板和/或所述阻挡机构相连接。本申请实施方式提供的镀膜装置及载物机构，能够改善镀膜装置的反应腔内的流场分布，从而提高镀膜均匀性。
镀膜装置机构

[发明专利]铝硅防腐蚀层-CN202180081624.9在审
发明人： J·拉姆 -专利权人：欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种涂覆在基材上的层体系，其中，层体系包含功能层和中间层，中间层布置在基材和功能层之间，其中，功能层包含不一定必须呈元素形式的铝元素以及硅元素两者，并且功能层包含氧或氮或两者，其特征在于，比之所述功能层，所述中间层包含就以at％为单位测得的百分数而言更多的硅和/或就百分数而言更多的铝。
铝硅防腐蚀

[发明专利]一种低温条件下在金刚石表面镀覆硅的方法-CN202310419801.0在审
发明人：王启亮;刘正帅;吕宪义;李柳暗;许洪新;邹广田 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温条件下在金刚石表面镀覆硅的方法，属于金刚石/碳化硅复合材料合成技术领域，包括将金刚石颗粒用去离子水反复清洗直至水质电导率为000uS/cm，于200℃烘干1h～3h；将烘干的金刚石颗粒放入配置好的浓度为0.15g/mL～0.3g/mL的NaOH溶液中于70℃～90℃进行水浴加热持续搅拌1h～2h，将碱处理后的金刚石颗粒用去离子水清洗至水质中性；取碱处理后的金刚石颗粒以及硅粉加入进配好的硅烷偶联剂醇溶液中，60℃～70℃水浴加热，反应1h～2h；反应结束后表面经处理的金刚石颗粒用无水乙醇清洗2～3次，用鼓风干燥箱进行烘干处理，使得金刚石表面涂层硅物质对金刚石表面改性。
一种低温条件下金刚石表面镀覆方法

[发明专利]外延生长设备的气流调节结构及外延层的生长方法-CN202310589909.4在审
发明人：王华杰;李炜;林明献;曹共柏;潘帅 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长设备的气流调节结构及外延层的生长方法，所述气流调节结构呈环形管状，且具有沿轴向延伸的环壁，所述环壁不同位置具有不同的轴向延伸高度，以调控外延生长工艺中进入半导体衬底上方的气流大小。通过气流调节结构调节外延生长工艺中半导体衬底上方局部气流，进而使外延层薄膜厚度均匀性与平坦度得到优化。本发明中，气流调节结构与基座是相互独立的两个装置，无需调整基座，气流调节结构制造工艺简单，加工周期通常仅需基座制造一半时间，降低了设备成本。
外延生长设备气流调节结构方法

[发明专利]一种生长硅薄膜的工艺方法及半导体设备-CN202310404491.5在审
发明人：林政勋;卜伟杰 -专利权人：无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种生长硅薄膜的工艺方法及半导体设备，涉及半导体领域。生长硅薄膜的工艺方法所述生长硅薄膜的工艺方法包括：对衬底片进行预处理；将所述衬底片放置于反应腔室内，调整所述反应腔室的压力至预设压力，其中，预设压力为720mTorr～880mTorr；在所述反应腔室处于所述预设压力的条件下对所述衬底片进行硅薄膜淀积。在此压力状态下对衬底片进行淀积，可使得衬底片的积淀均匀性高，保证非晶硅薄膜或多晶硅薄膜表面平滑，厚度均匀无明显凹凸起伏，非晶硅薄膜或多晶硅薄膜与衬底片表面的二氧化硅结合紧密，无间隙空洞产生，满足了工艺要求。
一种生长薄膜工艺方法半导体设备

[发明专利]LPCVD工艺中薄膜沉积时负载效应程度表征方法及沉积方法-CN202110235076.2有效
发明人：胡志诚 -专利权人：和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种LPCVD工艺中薄膜沉积时负载效应程度表征方法及沉积方法，根据第一比值与负载效应补偿沉积时间的相对关系，获得负载效应补偿沉积时间；其中，第一比值为实际沟槽体积与晶圆面积的比值，或者，所述第一比值为实际沟槽面积与晶圆面积的比值。硅沉积根据负载效应补偿沉积时间完成。本发明解决了现有技术的由小批次逐渐扩大批量以确定负载效用程度的效率低下问题，以及由此导致的产能低下，劳动力浪费，产品厚度稳定性差等问题，在生产中仅需要将需要的参数代入公式，即可得到负载效应补偿沉积时间，从而依次实现硅沉积。
lpcvd 工艺薄膜沉积负载效应程度表征方法

[发明专利]外延反应器系统及其使用方法-CN202211663443.X在审
发明人： A.德莫斯;H.马萨德;林兴;C.米斯金;S.佩德蒂;A.卡杰巴夫瓦拉 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：一种反应器系统可以包括第一反应室和第二反应室。第一和第二反应室可以各自包括封闭在其中的反应空间、设置在反应空间内的基座和与反应空间流体连通的流体分配系统。每个反应室中的基座可以配置为支撑衬底。反应器系统可以还包括第一反应物源，其中第一反应室和第二反应室至少部分通过第一反应物共享管线流体联接到第一反应物源。反应器系统可以配置为通过第一反应物共享管线将第一反应物从第一反应物源输送到第一反应室和第二反应室。
外延反应器系统及其使用方法

[发明专利]一种PIN开关器件用硅外延片的制备方法-CN202111004220.8有效
发明人：李明达;居斌;王楠;薛兵;唐发俊 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所;中电晶华（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：一种PIN开关器件用硅外延片的制备方法，反应腔体基座升温；通入氢气携带的气态三氯氢硅；用氢气将反应副产物排除；将硅衬底片装在基座上，升温，对其表面高温烘焙；用氢气将硅衬底片和基座的各类杂质排除；反应腔体降温，通入氢气携带的气态三氯氢硅，在硅衬底片上进行硅外延层生长；设定反应腔体温度，通入氯化氢气体对硅外延层进行刻蚀，对前期沉积的硅外延层用刻蚀方式去除，反应腔体降温，用氢气将反应副产物排除；反应腔体内通入氢气携带的气态三氯氢硅，继续硅外延层生长；用氢气将生长过程中的反应副产物排除；降温，硅外延片从基座上取出。获得在薄硅外延层厚度内快速提升电阻率指标且工艺简单、适合工业化生产的制备方法。
一种 pin 开关器件外延制备方法

[发明专利]用于化学气相沉积多晶硅的电极以及制造晶体硅材料的方法-CN202310048993.9在审
发明人：穆恩·春 -专利权人：迈可晟太阳能有限公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：提供了用于化学气相沉积多晶硅的电极以及制造晶体硅材料的方法。本发明公开了用于制造可用作生长晶体硅材料直接原料的高通量、低成本管状多晶硅棒料的工艺和系统。在一个实例中，化学气相沉积(CVD)工艺包括在管状电极上沉积多晶硅以形成管状多晶硅棒料。所述管状多晶硅棒料可在浮区工艺中熔化以生长单晶硅材料。
用于化学沉积多晶电极以及制造晶体材料方法

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