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[发明专利]一种避免误读的阻变存储器及其制备方法-CN201510228635.1有效
发明人：闫小兵;陈建辉;陈英方 -专利权人：河北大学
申请日： 2015-05-07 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种避免误读的阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器的结构是在Pt/Ti/SiO2/Si衬底的Pt膜层上依次形成有阻变介质层和Ag电极膜层；所述阻变介质层包括依次所形成的第一层铁酸铋膜层、第二层铁酸铋掺银膜层及第三层铁酸铋膜层。本发明所提供的阻变存储器，呈现出较为稳定的阻值变化，高、低阻态阻值分布非常集中，且高电阻值和低电阻值之间相差较大，因此不容易造成高、低阻值混淆，在数据读取时候不容易造成误读。该阻变存储器具有显著的开关效应，非常有利于存储器的读出。再有，该阻变存储器在高阻态和低阻态下的抗疲劳特性均比较优异。
一种避免误读存储器及其制备方法

[发明专利]阻变存储器及其形成方法-CN202110593160.1在审
发明人：邹荣;沈阳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变存储器及其形成方法，所述阻变存储器包括：半导体衬底，以及依次形成于所述半导体衬底上的阻挡层、第一电极、第一插层、阻变层、第二插层和第二电极，所述阻挡层中具有一开口，所述第一电极填充所述开口，所述第一插层覆盖所述第一电极并延伸覆盖部分所述阻挡层，所述阻变层覆盖所述第一插层，并且所述阻变层中具有氧原子，所述第二插层覆盖所述阻变层并与所述第一插层电连接，所述第二电极覆盖所述第二插层，其中，所述第二插层和所述第一插层的材质均为金属钛所述第一电极和所述第二电极施加正向电压后，所述第二插层吸收所述阻变层中的氧原子，以使所述阻变层中的氧原子均向所述第二电极移动。
存储器及其形成方法

[发明专利]一种阻变层材料、有机忆阻器及其制备方法-CN202110599219.8有效
发明人：王琦;鲜林燕;王正;贺德衍 -专利权人：兰州大学
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变层材料、有机忆阻器及其制备方法，涉及电子器件领域。该阻变层材料包括：聚乙烯亚胺和氮化硼量子点。该有机忆阻器，包括所述阻变层材料形成的阻变层。本发明提供的阻变层材料包括聚乙烯亚胺(PEI)和氮化硼量子点(BNQDs)，将掺杂氮化硼量子点形成的聚乙烯亚胺有机薄膜作为阻变层，形成的有机忆阻器在220℃下测试表现出良好的性能，且在室温下测量时可循环万次以上本发明提供的阻变层材料在将来的存储器件尤其是柔性存储器件上有非常好的应用价值，使得未来存储和未来计算在极端环境下也能正常工作。
一种阻变层材料有机忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法-CN202011614888.X有效
发明人：郭奥 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：一种阻变存储器及其制备方法，该方法包括在CMOS后段工艺的第一金属层表面淀积第一介质层并平坦化；在第一介质层中制备阻变存储器单元的下电极并平坦化；在第一介质层和下电极表面依次淀积氧化物阻变层和上电极层，图形化上电极层制备上电极和图形化氧化物阻变层制备氧化物阻变图形，其中，上电极的投影图形与下电极的投影图形仅有部分区域重叠，氧化物阻变图形上表面和上电极的下表面重合；淀积阻挡层并制备CMOS后段工艺的第二介质层；在第二介质层中制备CMOS后段工艺的接触孔及第二金属层，以引出阻变存储器单元的上电极，阻变存储器单元的下电极通过第一金属层引出。因此，本发明限制阻变层中氧空位导电通道的形成区域，以提升器件一致性。
一种存储器及其制备方法

[发明专利]一种双模阻变存储器件及其制备方法-CN201910903216.1在审
发明人：王宗巍;蔡一茂;康健;鲍盛誉;凌尧天;喻至臻;陈青钰;鲍霖;吴林东;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种双模阻变存储器，包括衬底和位于衬底上的底电极‑阻变层‑自选择层‑顶电极结构。本发明还提供一种双模阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：1)定义底电极图形，按照该图形在衬底上制备底电极；2)采用PVD、ALD或CVD的方法在底电极上淀积阻变层；3)采用PVD或ALD的方法在阻变层上淀积自选择层，并施加退火处理工序；4)定义底电极引出孔图形，按照该图形在阻变层和自选择层刻蚀出底电极引出孔；5)定义顶电极图形，按照该图形在自选择层上制备顶电极。本发明基于采用传统CMOS工艺来实现具有自选择的阻变存储器件，以期降低甚至消除阻变存储器的crossbar结构中存在的串扰问题。
底电极选择层阻变层阻变存储器衬底制备顶电极引出孔淀积双模阻变存储器件顶电极结构退火处理串扰刻蚀施加

[发明专利]阻变存储器的制备方法-CN201910166430.3有效
发明人：卢年端;姜文峰;李泠;耿玓;刘琦;吕杭炳;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底的上表面沉积第一金属层；在所述第一金属层的上表面沉积阻变功能层；在所述阻变功能层的上表面沉积具有低迁移率的材料层；在所述具有低迁移率的材料层上制备一个以上通孔；在所述具有低迁移率的材料层的上表面沉积第二金属层。本发明提供的阻变存储器的制备方法，制备出的阻变存储器可以控制导电细丝的大小。由于导电细丝的生长方位、数量以及大小均可以控制，因而能够降低导电细丝生长的随机性，减小所述阻变存储器的电流波动性，从而减小所述阻变存储器的参数波动，提高所述阻变存储器的可靠性。
存储器制备方法

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN202010697207.4有效
发明人：邱泰玮;沈鼎瀛;钱鹤 -专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及半导体器件的制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的底部电极金属层和顶部电极金属层；位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的阻变层，所述阻变层的横向宽度大于所述底部电极金属层和/或顶部电极金属层的横向宽度，所述阻变层具有可变电阻；位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的阻氧层，所述阻氧层位于所述阻变层之上；位于所述底部电极金属层和顶部电极金属层之间的抓氧层，所述抓氧层的横向宽度小于所述阻变层的横向宽度，所述抓氧层位于所述阻氧层之上。
半导体器件制造方法

[发明专利]阻变存储器单元及其制造方法-CN201310487881.X有效
发明人：苗君;张容;姜勇;徐晓光;徐泽东 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器单元及其制造方法。所述阻变存储器单元包括：底电极；顶电极；以及位于底电极和顶电极之间的阻变材料叠层，其中所述阻变材料叠层包括由不同阻变材料组成、并且直接接触的至少两层。该阻变存储器单元可以用于高开关电阻比和高稳定性的非易失性存储器。
存储器单元及其制造方法

[发明专利]阻变存储器件及其制造方法-CN201810751145.3在审
发明人：李相宪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器件及其制造方法。阻变存储器件包括：第一电极层和第二电极层，其被设置为彼此间隔开；以及阻变材料层，其设置在第一电极层与第二电极层之间并且包括无定形碳结构。阻变材料层包括附着在无定形碳结构上的杂质元素，并且杂质元素具有沿着阻变材料层的厚度方向的浓度梯度。
阻变存储器件阻变材料层第二电极第一电极无定形碳杂质元素浓度梯度附着制造

[发明专利]一种细丝机制的小面积电极阻变存储器及其制备方法-CN201910310305.5在审
发明人：魏凌;刘平安;付春玲 -专利权人：河南大学
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种细丝机制小面积电极的阻变存储器及其制备方法，阻变存储器的结构从上到下依次是多个上电极，绝缘介质薄膜，阻变层薄膜，下电极层，衬底层，其中下电极层与阻变层为欧姆接触，绝缘介质薄膜的热击穿电压E_T1小于阻变层薄膜E_T2。通过形成导电通路有效面积缩小上电极与阻变材料的接触面积，从而实现操作电流/电压的缩小。且该结构对电极材料的选择是否能够与阻变层接触直接形成欧姆接触无要求，能够实现电极通路产生位置的控制。
阻变层阻变存储器绝缘介质薄膜面积电极欧姆接触下电极层电极细丝制备薄膜操作电流产生位置从上到下导电通路电极通路有效面积直接形成阻变材料衬底层对电极热击穿

[实用新型]一种细丝机制的小面积电极阻变存储器-CN201920522337.7有效
发明人：魏凌;刘平安;付春玲 -专利权人：河南大学
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种细丝机制的小面积电极阻变存储器，阻变存储器的结构从上到下依次是多个上电极，绝缘介质薄膜，阻变层薄膜，下电极层，衬底层，其中下电极层与阻变层为欧姆接触，绝缘介质薄膜的热击穿电压ET1小于阻变层薄膜ET2。通过形成导电通路有效面积缩小上电极与阻变材料的接触面积，从而实现操作电流/电压的缩小。且该结构对电极材料的选择是否能够与阻变层接触直接形成欧姆接触无要求，能够实现电极通路产生位置的控制。
一种细丝机制面积电极存储器

[发明专利]以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法-CN201810288366.1有效
发明人：徐文彬;李明逵 -专利权人：集美大学
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法，包括以下步骤：1)制作层叠设置的底电极和阻变材料层，其中底电极在阻变材料层的下方；2)在阻变材料层的上表面制备单层或多层纳米遮蔽层，所述纳米遮蔽层中具有层阵列设置的纳米尺寸间隙，所述纳米尺寸间隙的密度与等离子处理工艺参数相匹配，使得所述纳米尺寸间隙形成供等离子处理时，经由表面等离子处理产生的离子流作用的定位通道；3)对纳米遮蔽层阵列中纳米间隙下的阻变材料层进行表面等离子定位处理及氧空位活化处理，在阻变材料层中形成以氧空位为基础的导电丝，所述导电丝沿着阻变材料层的厚度方向延伸，连接阻变存储器的顶电极和底电极。
纳米遮蔽进行定位等离子处理存储器制备方法

[发明专利]一种透明阻变存储器及其制备方法-CN201310200068.X有效
发明人：闫小兵;郝华;娄建忠;刘保亭 -专利权人：河北大学
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明阻变存储器，是在透明衬底上依次集成有下电极层、阻变层和上电极层，所述下电极层和上电极层为非晶的铟镓锌氧化物薄膜，所述阻变层为非晶的氧化镓薄膜。本发明同时提供了所述透明阻变存储器的制备方法，采用射频磁控溅射的方法依次在透明衬底上沉积下电极层—阻变层—上电极层。本发明所提供的透明阻变存储器，具有良好的透光性，其在可见光波段范围内的透光率均在76%以上，最高可达92%左右。
一种透明存储器及其制备方法

[发明专利]一种二维纳米硫化钼片层/二元氧化物叠层结构阻变器件-CN201610370598.2在审
发明人：张楷亮;李悦;冯玉林;王芳;方明旭;唐登轩;苗银萍;马峻 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种二维纳米硫化钼片层/二元氧化物叠层结构阻变器件及其制备方法，提供了一种新型阻变器件由下电极、阻变层和上电极依次叠加构成，其中阻变层由二维纳米硫化钼片层和二元氧化物叠层结构构成。本发明利用插入的二维纳米硫化钼片层与二元氧化物叠层结构作为阻变功能层，在保持单独二元氧化物阻变器件的优良性能的同时，调节了氧空位导电细丝的形成和断裂；同时在set过程中抑制了过度氧空位的产生提高了低阻态的电阻值与单独二元氧化物阻变器件相比，本发明中的阻变器件表现出了更好的一致性和更低的功耗。进一步丰富了二维纳米硫化钼片层的应用领域，为进一步提高阻变器件的性能提供了新的方向。
一种二维纳米硫化钼片层二元氧化物结构器件

[发明专利]阻变存储器件的制备方法及阻变存储器件-CN201810896709.2在审
发明人：郭万国;蒋秉轩;宋海洋;王宽冒;高晓丽;刘菲菲 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器件制备方法和阻变存储器件。包括在沉积有第一电极的衬底上形成含有多种金属元素和氧元素的阻变材料层；将所述阻变材料层进行退火处理。通过诸如磁控溅射技术等工艺沉积得到包含有多种金属元素和氧元素的阻变材料层，能够很好地保持材料的化学计量比，通过退火处理改善了所形成的阻变材料层的缺陷状态，提高了阻变存储器件的转变一致性。此外，阻变存储器件具有存储窗口宽、数据保持时间长、耐久性高的优点。
存储器件制备方法