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[发明专利]一种铁电存储器的控制方法以及相关装置-CN202210333051.0在审
发明人：刘晓真;卜思童;方亦陈;谭万良;吕杭炳;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种铁电存储器的控制方法以及相关装置，用于使得铁电存储器在写入与读取操作过程中稳定的进入铁电器件的部分翻转，从而提升铁电器件的耐久性能，同时可以有效地平衡铁电材料的正负应力平衡，从而减轻印迹效应。其具体操作如下：该铁电存储器的控制装置在写入操作的第一时间段内，将预充线的电压设置为第一电压并将浮栅的电压预充至第二电压，其中，该第一电压大于该第二电压，该第一电压减去该第二电压的差值用于导通该预充线上的晶体管；在该写入操作的第二时间段内，将该预充线的电压设置为0，并设置选中字线的电压为第三电压，该第三电压与该第二电压用于写入待写入数据。
一种存储器控制方法以及相关装置

[发明专利]铁电存储阵列的控制器、控制方法及相关设备-CN202210304392.5在审
发明人：李昊;贾秀峰;张敏;杨喜超;张恒;吕杭炳;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-03-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请提供了一种铁电存储阵列的控制器、控制方法及相关设备，该控制器用于控制铁电存储阵列，铁电存储阵列包括阵列部署的多个铁电存储单元；控制器用于在向目标行中各所述存储单元连接的第一WL输入全选导通电平且向各所述存储单元连接的PL输入的传输电平小于0时，将第一数据写入目标行中各所述存储单元；控制器还用于在向目标行中各所述存储单元连接的WL输入片选导通电平时，向目标行中各所述存储单元连接的BL和PL输入传输电平，将第二数据写入目标存储单元。采用本申请，可在传输电平较低时向存储单元写入数据，并防止控制器向目标存储单元写入数据时对非目标存储单元存储的数据产生干扰，提高数据存储的存储密度。
存储阵列控制器控制方法相关设备

[发明专利]铁电存储器及其控制方法、电子设备-CN202180086911.9在审
发明人：景蔚亮;吕杭炳;殷士辉;方亦陈;卜思童;黄凯亮;刘晓真;徐亮;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种铁电存储器及其控制方法、包含有该铁电存储器的电子设备。主要用于提升铁电存储器的存储密度。该铁电存储器包括：衬底和形成在衬底上的多个存储单元，每个存储单元包括第一晶体管、第二晶体管和浮栅，以及第一铁电电容；其中，浮栅沿与衬底相垂直的方向延伸，还有，第一晶体管和第二晶体管沿浮栅的延伸方向排布，并位于浮栅的相对的两端，且第一晶体管和第二晶体管均与浮栅电连接，也就是说，第一晶体管通过浮栅与第二晶体管电连接；第一铁电电容设置在浮栅的外围，并与浮栅电连接。这样的话，通过将浮栅与衬底相垂直设置，可以减少每个存储单元在衬底上所占据的面积，进而提升存储密度。
存储器及其控制方法电子设备

[发明专利]一种退火装置及退火方法-CN202180030653.2在审
发明人：谭万良;李宇星;蔡佳林;吕杭炳;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种退火装置和退火方法，退火装置包括加热部件和电场提供部件，加热部件可以为包括铁电膜层的待退火样品进行退火使铁电膜层结晶，铁电膜层内部由非晶、非铁电晶相经过热处理后结晶成铁电晶相，从而使铁电膜层具有铁电性，在对待退火样品进行热退火的过程中，电场提供部件可以为铁电膜层提供辅助电场，辅助电场的方向与铁电膜层的表面之间的夹角为预设夹角，使铁电膜层中晶粒的朝向在辅助电场的作用下趋于一致，提升铁电膜层铁电性，以提高基于铁电膜层的器件的性能，满足更多的应用场景。
一种退火装置方法

[发明专利]芯片和终端-CN202180041697.5在审
发明人：谭万良;李宇星;蔡佳林;吕杭炳;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种芯片和终端，涉及芯片技术领域，尤其涉及一种芯片和终端，可以调节第一电极、铁电功能层和第二电极的电学对称性和开关电流比。该芯片包括依次层叠设置的第一电极、第一铁电功能层、第二铁电功能层和第二电极；第一铁电功能层和第二铁电功能层均包括铁电氧化层，第一铁电功能层和/或第二铁电功能层还包括掺杂层，掺杂层的电负性与铁电氧化层的电负性不同；第一铁电功能层中的掺杂层的掺杂浓度，与第二铁电功能层中的掺杂层的掺杂浓度不同。
芯片终端

[发明专利]基于7T1C结构的存储单元及其操作方法、存储器-CN202010957666.1有效
发明人：杨建国;刘超;吕杭炳;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C11/411 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于7T1C结构的存储单元及其操作方法、存储器。其中，该存储单元包括：6T结构和1T1C结构，6T结构用于数据1或0的输入和存储；1T1C结构与6T结构的第一存储节点连接，用于在6T结构断电时，存储数据1或0，并在6T结构通电时将数据1或0恢复至6T结构。通过本发明的1T1C结构，在不改变现有技术中的SRAM的读写电路的情况下，以简单的电路设计，保持了良好的结构兼容性，防止了漏电流的出现，同时避免了存储单元面积尺寸的增加，操作速度更快，静态功耗更低。
基于 t1c 结构存储单元及其操作方法存储器

[发明专利]存储器及电子设备-CN202180042090.9在审
发明人：张敏;赵杰;张恒;杨喜超;吕杭炳;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B53/20 文献下载
摘要：一种存储器及电子设备，涉及存储技术领域，能够减小存储单元的面积，提高存储密度。该存储器包括位于前道工序的第一晶体管(T1)；第一晶体管(T1)的源极和漏极中一个为第一极，另一个为第二极；存储器中还包括第一电容(C1)以及字线(WL)；第一电容与第一晶体管的第一极电连接。字线(WL)与第一晶体管的金属栅极(G)为位于同层的一体结构。
存储器电子设备

[发明专利]反铁电存储器-CN202010643344.X有效
发明人：罗庆;王渊;吕杭炳;姜鹏飞;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种反铁电存储器，包括：衬底；源电极和漏电极，设置于衬底的两端；反铁电薄膜结构层，设置于衬底上，且该反铁电薄膜结构层自衬底向上依次包括第一反铁电层、中间电极、第二反铁电层和顶电极；其中，顶电极、中间电极和衬底之间具有功函数差。本发明提供的该反铁电存储器，利用双反铁电夹层结构，同时实现两个反铁电薄膜层极化滞回曲线向Y轴平移，使反铁电薄膜极化滞回曲线的两个窗口都位于零外电压位置。
反铁电存储器

[发明专利]用于选通管疲劳特性测试的装置及方法-CN202010860291.7有效
发明人：罗庆;吕杭炳;余杰;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于选通管疲劳特性测试的装置及方法，其中，该装置包括：分压元件和计数器，分压元件与待测选通管相连接，用于在测试过程中为待测选通管进行分压；计数器与待测选通管相连接，用于检测待测选通管的电压和/或电流变化。通过将待测试的选通管作为震荡器的组成部分，使得本发明的装置结构更加精简，从而省去了脉冲发生器、判断电路等复杂电路组成，此外基于选通管的特性实现周期性的电压和/或电流的震荡，使得测试周期更短，节约了测试时长，而且该装置的组成极为简单，成本极低，具有重要的商业应用价值。
用于选通管疲劳特性测试装置方法

[发明专利]神经网络计算电路、芯片及系统-CN201910932314.8有效
发明人：殷嘉浩;许晓欣;倪磊滨;吕杭炳;王侃文 -专利权人：华为技术有限公司;中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本申请公开了一种神经网络计算电路、芯片及系统，属于神经网络技术领域。该神经网络计算电路包括第一计算单元、第二计算单元和处理电路。所述第一计算单元用于根据第一计算单元的输入端电压、第一计算单元的输出端电压以及设置的第一权重值获得第一电流。所述第二计算单元用于根据第二计算单元的输入端电压、第二计算单元的输出端电压以及设置的第二权重值获得第二电流。所述处理电路，分别与第一计算单元的输出端和第二计算单元的输出端连接，用于根据第一电流和第二电流获取目标电流差，并根据目标电流差获取用于指示目标计算结果的输出电压，其中，目标计算结果用于指示神经元基于输入数据的权重值对输入数据的计算结果。
神经网络计算电路芯片系统

[发明专利]一种HfO2-CN202010564042.3有效
发明人：罗庆;姜鹏飞;吕杭炳;王渊;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种HfO2基铁电电容器及其制备方法和HfO2基铁电存储器，属于微电子技术领域，通过在铁电电容的介质层和上电极(TiN)之间插入热膨胀系数小于TiN的Al2O3插层，达到增大铁电存储器存储窗口的目的。本发明HfO2基铁电电容器，从下到上包括衬底层(1)、下电极(2)、介质层(3)、Al2O3插层(4)、上电极(5)和金属保护层(6)。本发明可提高存储窗口大小，有效防止信息误读，从而提高存储器的可靠性。
一种 hfo base sub

[发明专利]互补型存储单元及其制备方法、互补型存储器-CN202010860293.6有效
发明人：罗庆;陈冰;吕杭炳;刘明;路程 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：本发明公开了一种互补型存储单元及其制备方法、互补型存储器。其中，互补型存储单元包括：控制晶体管、上拉二极管和下拉二极管，控制晶体管，用于控制存储单元的读写；上拉二极管，一端连接于正选择线，另一端连接于控制晶体管的源端，用于控制高电平输入；下拉二极管，一端连接于负选择线，另一端连接于控制晶体管的源端，用于控制低电平输入；其中，上拉二极管与下拉二极管在第一方向上相互对称设置。基于上述互补型存储单元的设计，使得本发明的互补型存储器能够实现原有功能特性的情况下，极大降低了存储器的电路复杂度，减小了存储器的面积尺寸，提高了存储器存储密度，而且还降低了存储器功耗。
互补存储单元及其制备方法存储器

[发明专利]阻变存储器的制备方法-CN201910166430.3有效
发明人：卢年端;姜文峰;李泠;耿玓;刘琦;吕杭炳;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底的上表面沉积第一金属层；在所述第一金属层的上表面沉积阻变功能层；在所述阻变功能层的上表面沉积具有低迁移率的材料层；在所述具有低迁移率的材料层上制备一个以上通孔；在所述具有低迁移率的材料层的上表面沉积第二金属层。本发明提供的阻变存储器的制备方法，制备出的阻变存储器可以控制导电细丝的大小。由于导电细丝的生长方位、数量以及大小均可以控制，因而能够降低导电细丝生长的随机性，减小所述阻变存储器的电流波动性，从而减小所述阻变存储器的参数波动，提高所述阻变存储器的可靠性。
存储器制备方法

[发明专利]对称型存储单元及BNN电路-CN202010860294.0有效
发明人：罗庆;陈冰;吕杭炳;刘明;路程 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种对称型存储单元及BNN电路。其中，对称型存储单元包括：第一互补结构和第二互补结构，第二互补结构，与所述第一互补结构在第一方向上对称相连；其中，所述第一互补结构包括：第一控制晶体管，用于与所述第二互补结构相连；所述第二互补结构包括：第二控制晶体管，所述第二控制晶体管的漏极与所述第一控制晶体管漏极在第一方向上对称设置同时与位线相连接；所述对称型存储单元用于存储权值1或0。通过本发明的对称型存储单元可以使得BNN电路的断点数据保持同时降低功耗，而且极大降低了存储器面积、减少延时，可以使得BNN电路实现大规模的并行推理操作。
对称存储单元 bnn 电路

[发明专利]一种金属氧化物场效应晶体管及其制作方法-CN201910806653.1有效
发明人：刘宇;刘明;胡媛;张凯平;张培文;路程;赵盛杰;刘琦;吕杭炳;谢常青 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属氧化物场效应晶体管的制作方法，包括：在衬底上由下至上依次形成有绝缘层、第一电极、牺牲层、第二电极、结构层，牺牲层的厚度按照沟道的预设长度来确定；刻蚀牺牲层的边缘，使得在牺牲层的边缘以及在第一电极与第二电极之间形成横向沟槽；在横向沟槽内形成金属氧化物半导体层，使得横向沟槽形成金属氧化物的沟道；在所述沟道所在的区域形成栅电极，通过牺牲层的厚度来控制沟道长度，通过控制沟道的长度，使场效应晶体管对操作电压进行有效控制。
一种金属氧化物场效应晶体管及其制作方法

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