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[发明专利]具有反常阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法-CN201510565633.1有效
发明人：汪琳;张淑玮;吴白羽;周家伟;任兵;黄健;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有反常阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于衬底层上的下电极层、位于下电极层上的阻变层、位于阻变层上的上电极层，阻变层为在非晶碳膜中掺杂有Fe的a‑C/Fe薄膜阻变层，其中Fe的掺杂量为4 at%。本发明通过在非晶碳中掺杂Fe，使得不含氧的a‑C/Fe薄膜阻变层具有磁性、具有反常阻变特性，且阻变性能稳定，使薄膜具有较高的矫顽力和巨磁阻等独特的磁性质和磁输运特性；结构简单，成本低廉。
具有反常特性基材料阻变存储单元及其制备方法

[发明专利]阻变存储器及其制备方法-CN201210359880.2有效
发明人：蔡一茂;毛俊;武慧薇;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括衬底以及衬底之上的多个相互间隔的存储单元，每个存储单元包括下电极、阻变层和上电极，其中，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层位于所述下电极之上，所述上电极位于所述阻变层之上，所述阻变层包括：阻变材料部分和掺有用于调节电阻状态的元素的至少一个掺杂阻变部分。本发明还公开了阻变存储器的制备方法。本发明所提供的阻变存储器及其制备方法，由于阻变层并非单一的阻变材料，在阻变器set操作过程中，根据电压大小不同，会产生多个稳定的阻态，从而增加了阻变器的存储密度，同时，无需增大阻变器的体积。
存储器及其制备方法

[发明专利]阻变存储器件及其制备方法-CN201210555309.8有效
发明人：蔡一茂;毛俊;黄如;王宗巍;刘业帆;余牧溪 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阻变存储器件及其制备方法。该阻变存储器件包括设置在衬底上的底电极、设置在所述底电极上的第一阻变层、设置在所述第一阻变层上的控制层及设置在所述控制层上的顶电极，所述控制层包括位于所述第一阻变层表面上的第一电极、第二电极及填充在所述第一电极和所述第二电极之间的第二阻变层，所述顶电极设置在所述第二阻变层上。本发明实施例所提供的阻变存储器件及其制备方法，可以实现阻变存储器件的多值存储，从而可以大幅度增加由阻变存储器件构成的存储器的存储密度。
存储器件及其制备方法

[发明专利]阻变存储器、阻变元件及其制备方法-CN202010904835.5有效
发明人：刘宇;沈鼎瀛;康赐俊;邱泰玮;王丹云;单利军 -专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变元件的制备方法，包括以下步骤：采用刻蚀工艺、沉积工艺和磨平工艺交叉进行，以制备所述底电极、所述阻变层和所述顶电极；在制备所述底电极和所述阻变层的过程中，采用侧墙工艺对所述底电极、所述阻变介质层和所述储氧层中的至少一个进行优化处理，以使所述底电极与所述阻变介质层之间的接触面积变小，和/或，所述阻变介质层与所述储氧层之间的接触面积变小。本发明的制备方法能够在阻变层中形成导电丝，从而通过导电丝的形成和断裂来实现低阻态和高阻态。本发明还公开了一种阻变元件以及具有其的阻变存储器。
存储器元件及其制备方法

[发明专利]阻变存储器及其制造方法-CN201911255220.8有效
发明人：官郭沁;邹荣;田志 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变存储器及其制造方法，在本发明提供的阻变存储器及其制造方法中，通过在半导体衬底表面形成第一电极，在所述第一电极上形成插层；在所述插层上形成阻变层；在所述阻变层上形成阻挡层以及在所述阻挡层上形成第二电极所述插层能够与所述阻变层配合形成较好的器件性能，能够通过所述插层调制阻变存储器的初始电阻，从而能够增大所述阻变存储器的存储窗口，由此改善所述阻变存储器的工艺均匀性以及性能。
存储器及其制造方法

[发明专利]基于掺银氮氧化硅和氧化钛的忆阻突触器件及制备方法-CN201910795555.2在审
发明人：李伟;赵昕;刘诚;袁余涵;伊海;李东阳;蒋向东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于掺银氮氧化硅和氧化钛的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述基于掺银氮氧化硅和氧化钛的忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极
阻变层制备突触磁控溅射氮氧化硅电极下电极氧化钛掺银单晶抛光硅片磁控共溅射采用直流从上至下单晶硅片干燥处理金属离子依次设置阻挡层清洗

[发明专利]基于掺银氮氧化硅和氧化钽的忆阻突触器件及制备方法-CN201910795808.6在审
发明人：李伟;陈鹏宇;刘诚;赵昕;袁余涵;李东阳;顾德恩 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于掺银氮氧化硅和氧化钽的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述基于掺银氮氧化硅和氧化钽的忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极
阻变层制备突触磁控溅射氮氧化硅电极下电极氧化钽掺银单晶抛光硅片磁控共溅射采用直流从上至下单晶硅片干燥处理金属离子依次设置阻挡层清洗

[发明专利]基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件及制备方法-CN201910795348.7在审
发明人：李伟;伊海;袁余涵;赵昕;刘诚;李东阳;顾德恩 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件的制备方法包括如下步骤：(1)准备p型重掺杂单晶抛光硅片，并进行清洗和干燥处理；(2)采用磁控溅射方法在p型重掺杂单晶硅片上制备第二阻变层；(3)采用反应磁控共溅射方法在第二阻变层上制备第一阻变层；(4)采用直流磁控溅射方法在第一阻变层上制备上电极
阻变层制备突触氮氧化硅氧化铝掺银磁控溅射电极下电极单晶抛光硅片磁控共溅射采用直流从上至下单晶硅片干燥处理金属离子依次设置阻挡层清洗

[发明专利]一种阻变存储器及其制作方法-CN202110319822.6有效
发明人：许晓欣;孙文绚;余杰;董大年;赖锦茹;吕杭炳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种阻变存储器及其制作方法，在底电极与阻变层之间形成底缓冲层，且底缓冲层的热膨胀系数位于底电极的热膨胀系数和阻变层的热膨胀系数之间；及在上电极和阻变层之间形成上缓冲层，且上缓冲层的热膨胀系数位于上电极的热膨胀系数和阻变层的热膨胀系数之间，进而，通过底缓冲层和上缓冲层的设置，消除阻变存储器的电极与阻变层之间的热应力失配情况，提高阻变存储器的可靠性和良率。
一种存储器及其制作方法

[发明专利]一种改善工作稳定性及存储窗口的阻变存储器及制备方法-CN202010429100.1有效
发明人：赵毅;沈阳 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善工作稳定性及存储窗口的阻变存储器及制备方法，存储器单元自下而上分别为底电极、下阻变层、氧化物缓冲介质层、上阻变层，顶电极。制备方法为：在制作底电极之后生长下阻变层对应金属，然后通过化学气相淀积、原子层沉积等方法生长氧化物缓冲介质层如氧化硅，再生长一层上阻变层对应金属，之后通过氧化的方法利用氧气在氧化物缓冲介质层的扩散系数与阻变层的扩散系数不同，氧化之前淀积的两层阻变层金属以获得高氧化态上阻变层和低氧化态下阻变层，最后生长顶电极。本发明可有效改善阻变器件的工作稳定性及存储窗口，制备简单且与标准工艺良好兼容。
一种改善工作稳定性存储窗口存储器制备方法

[发明专利]一种电极结构复用的阻变存储器及其制备方法-CN201910309479.X在审
发明人：魏凌;尹延锋;孙献文 -专利权人：河南大学
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变存储器及其制备方法,该阻变存储器从上到下依次是多个上电极，热导率低的绝缘介质层，阻变层，多个下电极层；其中下电极层与阻变层为欧姆接触，绝缘介质薄膜的热击穿电压E_T1小于阻变层薄膜的热击穿电压E_T2，阻变层需要施加触发电压E_TC将阻变层材料的电阻开关功能触发,使阻变层位于高阻态或低阻值态，其中E_TC＜E_T2，未触发和疲劳时的阻变层为绝缘介质层，本发明得到很小的实际电极，降低了成本，优化了器件，在操作电流/电压大大减小的同时还使阻变存储器的性能参数更加集中，减小波动。该存储器结构解决了目前的当存储器电极下的阻变材料局部失效时，不能够再次利用该电极的问题。
阻变层阻变存储器绝缘介质层下电极层热击穿电极减小制备绝缘介质薄膜存储器电极存储器结构操作电流触发电压从上到下电极结构电阻开关功能触发欧姆接触实际电极性能参数再次利用阻变材料高阻态热导率触发复用薄膜疲劳施加优化

[发明专利]一种初始周期高低阻态稳定的阻变存储器及其制备方法-CN202210224538.5在审
发明人：高海霞;钱梦依;段毅伟;孙宇昕;武书良 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种初始周期高低阻态稳定的阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器从下至上依次包括：衬底层、底电极层、阻变介质层、量子点层、顶电极层和保护层。本发明通过在阻变介质层和顶电极层之间旋涂量子点层，能够提高顶电极层对阻变介质层中氧离子的捕获能力，并引导导电细丝的形成与断裂，从而提高阻变存储器的稳定性，降低器件的功耗，进一步消除器件的初始化过程，使阻变存储器初始周期中的高低阻态保持稳定
一种初始周期高低稳定存储器及其制备方法

[发明专利]获取阻变器件导电通道分布的方法-CN202310263816.2在审
发明人：吴华强;孙雯;高滨;唐建石 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本申请公开了获取阻变器件导电通道分布的方法，该方法包括提供阻变器件，该器件具有多个阵列排布的阻变器件单元；调控阻变器件的外界电压，剥离第一阵列电极层和/或第二阵列电极层暴露阻变层，获得不同阻态的待测阻变器件单元；扫描不同阻态的待测阻变器件单元的阻变层的表面信息，以获得不同阻态的待测阻变器件单元的电流分布；对阻变层进行平面取样，获得待测平面；令待测平面沿轴向旋转，扫描待测平面多个不同角度的结构信，对结构信息二维数据集进行三维重构，获得不同阻态的待测阻变器件单元的微观结构三维分布。由此，可以获得阵列级别阻变器件导电通道的电流分布与导电通道的微观结构的三维分布之间的对应关系。
获取器件导电通道分布方法

[实用新型]一种电极结构复用的阻变存储器-CN201920523320.3有效
发明人：魏凌;尹延锋;孙献文 -专利权人：河南大学
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电极结构复用的阻变存储器,该阻变存储器从上到下依次是多个上电极，热导率低的绝缘介质层，阻变层，多个下电极层；其中下电极层与阻变层为欧姆接触，绝缘介质薄膜的热击穿电压ET1小于阻变层薄膜的热击穿电压ET2，阻变层需要施加触发电压ETC将阻变层材料的电阻开关功能触发,使阻变层位于高阻态或低阻值态，其中ETC＜ET2，未触发和疲劳时的阻变层为绝缘介质层，本实用新型得到很小的实际电极，解决了目前的当存储器电极下的阻变材料局部失效时，不能够再次利用该电极的问题。
一种电极结构存储器

[发明专利]一种基于多阻变层的阻变存储器件及其制备方法-CN202111385644.3在审
发明人：蔡一茂;王宗巍;王錡深;杨宇航;黄如 -专利权人：北京大学;北京超弦存储器研究院
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公布了一种基于多阻变层的阻变存储器及其制备方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明基于传统CMOS工艺来实现具有高retention的阻变存储器件，其核心在于，阻变层由拦截特性薄膜和具有阻变特性的阻变材料薄膜交替叠加构成，形成多层阻变层结构。本发明通过调整界面处势垒以期降低甚至消除阻变存储器的crossbar结构中存在的阻变层离子迁移问题，可有效地抑制器件的低保持力。同时，多层阻变层结构也有利于增加器件的状态数，为实现阻变存储器大规模集成以及商业化铺平了道路。
一种基于多阻变层存储器件及其制备方法