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[发明专利]一种阻变存储器及其制作方法-CN201410822915.0在审
发明人：赵鸿滨;屠海令 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器及其制作方法。该阻变存储器包括底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的Al₂O_3-x阻变存储层，其中0.6＜x＜2.4。其制作方法包括以下步骤：(1)衬底的清洗；(2)采用磁控溅射法在衬底上形成底电极；(3)采用磁控溅射法在底电极上沉积Al₂O_3-x阻变存储层；(4)采用磁控溅射法在Al₂O_3-x阻变存储层上形成顶电极。本发明采用磁控溅射法沉积底电极、顶电极以及阻变存储功能层材料，解决了现有阻变存储器制作成本高的问题，同时该阻变存储器的制作工艺简单，与传统的CMOS工艺兼容性好。
一种存储器及其制作方法

[发明专利]阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置-CN201611076209.1有效
发明人：张翼英;陈卓凡 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置，该阻变随机存储器存储单元包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成图形化的第一电极材料层；在第一电极材料层的侧壁上依次形成阻变材料层和第二左电极材料层；在所述半导体衬底形成第一层间介电层，所述第一层间介电层覆盖所述第二电极材料层的侧壁；沿第一方向对述第一电极材料层、阻变材料层和第二左电极材料层进行切割，以形成多个间隔的阻变随机存储器存储单元。该阻变随机存储器存储单元具有改善的工作窗口和存储密度，因而具有更高的存储密度和更低的成本，以及更好地性能。该阻变随机存储器存储单元的制作方法可以提高器件存储密度和工作窗口。该电子装置具有类似的优点。
随机存储器存储单元及其制作方法电子装置

[发明专利]多阻态阻变存储器及利用其实现多阻态的方法-CN201110279718.5无效
发明人：刘力锋;于迪;高滨;陈冰;张飞飞;康晋锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种多阻态阻变存储器，自上而下包括：顶电极、阻变层和底电极，其中所述阻变层为氧化物。本发明还提供了一种利用上述存储器实现多阻态的方法。本发明多阻态阻变存储器是一种基于SiO2材料的MIM结构的器件，在适当的操作方法下该器件可以产生多级电阻态，能够在一个单元内实现多位存储，且能提高存储器的存储密度。多阻态阻变存储器的阻变层采用基于SiO2的材料，具有工艺简单，与CMOS工艺兼容性好的优点。
多阻态阻变存储器利用实现多阻态方法

[发明专利]一种基于二氧化硅薄膜的低功耗阻变存储器及其制备方法-CN201510933546.7在审
发明人：程海峰;刘东青;张朝阳;郑文伟 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二氧化硅薄膜的低功耗阻变存储器，由衬底、Ti粘附层、底电极、阻变层和顶电极依次叠加构成，阻变层为疏松结构的二氧化硅薄膜。该阻变存储器的制备包括以下步骤：在衬底上制备一层Ti粘附层；在Ti粘附层上制备Pt底电极；在Pt底电极上通过射频磁控溅射方法制备二氧化硅薄膜阻变层；其中射频磁控溅射的工艺条件为：以二氧化硅靶为溅射靶材，腔室压力小于5×10^-6Torr，溅射温度、溅射压力、溅射功率、氩气流量和氧气的体积分数都进行适当控制，在阻变层上通过直流磁控溅射法制备点状金属Ag薄膜作为顶电极，即得到阻变存储器
一种基于二氧化硅薄膜功耗存储器及其制备方法

[发明专利]一种基于多元金属氧化物薄膜的阻变储存器及其制备方法-CN201610057578.X有效
发明人：韦敏;邓意峰;邓宏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多元金属氧化物薄膜的阻变储存器及其制备方法，属于储存器技术领域。本发明是在衬底依次集成有底电极层，阻变层和顶电极层的结构，所述底电极材料为掺杂2at％Al的ZnO，所述阻变层材料为CuGaZnO，所述顶电极材料为Cu。本发明制备方法包括以下步骤先采用射频磁控溅射法，在衬底上制备底电极，在所述底电极层上放置金属掩膜，然后在其上制备CuGaZnO薄膜形成阻变层；最后采取真空镀膜技术，在所述CuGaZnO薄膜上制备Cu顶电极，从而构成底电极‑阻变层‑顶电极的结构。本发明阻变储存器具有高开关比、较低的开关电压、稳定的保持特性与抗疲劳特性；有效解决了制备过程中阻变层材料成本高的问题；制备工艺的可移植性强，有利于实现全透明器件。
一种基于多元金属氧化物薄膜储存器及其制备方法

[发明专利]阻变存储器及其形成方法-CN201911183890.3在审
发明人：田伟思;邹荣;官郭沁;王奇伟;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种阻变存储器及其形成方法，在本发明提供的阻变存储器及其形成方法中，通过在所述底部电极表面形成插层以避免对阻变材料层造成过氧化，从而提高器件的可靠性，以及使所述阻变材料层通过所述插层与所述底部电极连接以提高器件的可靠性
存储器及其形成方法

[实用新型]一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器-CN202121000154.2有效
发明人：孙堂友;石卉;涂杰;刘云;李海鸥;傅涛;刘兴鹏;陈永和;肖功利;李琦;张法碧 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器，包括衬底层、底电极层、第一阻变层、氧化层、第二阻变层和顶电极层。通过基于过渡金属硫族化合物的3层堆垛结构，一方面可以发挥该族二维材料的优势，优良的机械性和高透性使器件具有柔性光控忆阻器的潜能，通过氧化手段，引入氧化层，增加氧空位含量，可降低器件的转变电压，实现器件低功耗的提高忆阻器的性能，通过第一阻变层和第二阻变层的加入，可以防止底电极层和顶电极层过度氧化影响阻变性能，使忆阻器的性能得到提升。解决目前忆阻器稳定性、耐受性降低的问题。
一种基于过渡金属化合物堆垛式忆阻器

[发明专利]一种可降解阻变存储器及其制备方法-CN201910643462.8有效
发明人：韩素婷;张晨;周晔 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可降解阻变存储器及其制备方法，包括：基底；底电极，设置在所述基底上；阻变活性层，设置在所述底电极上；顶电极，设置在所述阻变活性层上；其中，所述阻变活性层由聚合物和纳米颗粒构成。本发明通过采用生物可降解的聚合物复合材料作为阻变活性层，并采用生物降解的镁或者锌等作为电极，能够制备柔性的全生物可降解阻变存储器，具有生产成本低、易于大规模生产的效果，并为下一代绿色、高性能存储器的开发提供指导
一种降解存储器及其制备方法

[发明专利]一种可实现多值存储的阻变存储器-CN201310753976.1有效
发明人：范春晖;左青云;周伟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种可实现多值存储的阻变存储器，其包括半导体衬底、N‑1组双层结构以及位于N‑1组双层结构上的顶电极；其中，N‑1组双层结构由一个电极和一层位于所述电极上的阻变层组成，N‑1组双层结构位于衬底上且自下而上依次层叠，N为大于等于3的正整数；自下而上所有的第奇数个电极并联作为阻变存储器的下电极，自下而上所有的第偶数个电极并联作为阻变存储器的上电极。因此，本发明通过将多个电极和阻变层交替层叠的方式，使得每一层阻变层发生阻变所需的电压不同且发生阻变后的阻值也不同，从而实现存储器单元结构的多值存储，并且由于采用纵向层叠的结构，本发明的存储器单元不会占用额外的面积
阻变存储器双层结构电极多值存储阻变层电极并联衬底存储器单元结构存储器单元交替层叠依次层叠纵向层叠顶电极下电极正整数半导体占用

[发明专利]一种改进的氧化物薄膜阻变存储器及其改进方法-CN201210333374.6无效
发明人：翟继卫;周歧刚 -专利权人：同济大学
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及微电子存储器领域，具体公开了一种改进的氧化物薄膜阻变存储器及其改进方法，包括自上而下的顶电极、氧化物阻变层、底电极以及绝缘衬底，所述顶电极与所述氧化物阻变层之间，或者所述底电极与所述氧化物阻变层之间设有界面层该氮氧化合物界面层的引入，一方面提高了阻变存储器的低态电阻，从而减小存储操作能耗；另一方面限制了阻变发生的范围，限制阻变方式；达到提高阻变存储器的耐疲劳性、稳定性和均匀性的目的。
一种改进氧化物薄膜存储器及其方法

[发明专利]全透明阻变存储器及锡酸钡在做为透明的具有稳定阻变特性材料方面的应用-CN201210155959.3无效
发明人：张婷;马文海;张伟风;魏凌;孙健 -专利权人：河南大学
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种全透明阻变存储器及锡酸钡在做为透明的具有稳定阻变特性材料方面的应用，属于半导体非挥发性存储器技术领域。本发明的阻变材料为宽禁带半导体透明氧化物锡酸钡（BaSnO3）薄膜,所述阻变存储器由下电极、设于所述下电极上的阻变存储层和沉积于所述阻变存储层上的上电极组成；所述上电极和下电极为氧化铟锡透明导电薄膜、氟掺杂氧化铟透明导电薄膜；所述阻变存储层为锡酸钡（BaSnO3）薄膜。本发明提供的透明有机阻变存储器具有透光性好、存储密度高和稳定性好等优点，具有广阔的应用前景。
透明存储器锡酸钡做为具有稳定特性材料方面应用

[发明专利]掺杂二维材料的阻变式随机存取存储器及其制备方法-CN202011267838.9在审
发明人：沈棕杰;赵春;赵策州;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种掺杂二维材料的阻变式随机存取存储器及其制备方法，该阻变式随机存取存储器包括由上至下设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述阻变氧化层为掺杂二硫化钼粉末的氧化石墨烯层，所述基底包括上下层叠设置的底电极层和绝缘层该掺杂二维材料的阻变式随机存取存储器及其制备方法实现了低成本的RRAM制备，能满足大批量低成本的工业化生产需求。
掺杂二维材料阻变式随机存取存储器及其制备方法

[发明专利]一种无机-有机杂化纳孔薄膜阻变存储器及其制备方法-CN202310066764.X在审
发明人：李爱东;孙松;雷锦;刘畅;吴迪 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多级存储功能的无机‑有机杂化纳孔薄膜阻变存储器，属于半导体微电子器件领域，本发明的阻变存储器结构从下往上依次为衬底、活性电极、阻变功能层、惰性电极；所述阻变功能层为无机‑有机杂化纳米多孔薄膜材料本发明利用分子层沉积和原子层沉积技术来制备具有多级存储功能的无机‑有机杂化纳孔薄膜阻变存储器，所采用的分子层沉积和原子层沉积技术能够与微电子工艺兼容、适合大规模集成。
一种无机有机杂化纳孔薄膜存储器及其制备方法

[发明专利]阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置-CN201611076217.6有效
发明人：张翼英;陈卓凡;郑二虎 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置，该阻变随机存储器存储单元的制作方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成第一层间介电层，在第一层间介电层中形成沟槽；在所述沟槽的侧壁上形成第一电极材料层；在第一电极材料层的侧壁上形成阻变材料层；形成填充所述沟槽的第二电极材料层；沿第一方向对第一电极材料层、阻变材料层和第二电极材料层进行切割，以形成阻变随机存储器存储单元。该阻变随机存储器存储单元具有改善的工作窗口和存储密度，因而具有更高的存储密度和更低的成本，以及更好地性能。该阻变随机存储器存储单元的制作方法可以提高器件存储密度和工作窗口。该电子装置具有类似的优点。
随机存储器存储单元及其制作方法电子装置

[发明专利]一种阻变结构单元的制备方法-CN201810430005.6在审
发明人：陈祺来;李润伟;刘钢;薛武红 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种阻变结构单元的制备方法。该方法在阻变层表面选择一定区域，在该区域与底电极之间通电进行预处理，对阻变层表面除该区域以外的区域表面进行绝缘处理，使阻变层中特定局域的氧元素变成氧气逸出至空气中，增加氧空位数量，同时在阻变层的处理表面留下倒锥型的凹坑，制备顶电极后，可获得倒圆锥形的电极，从而形成有利于氧空位纳米导电丝形成的垂直通道，使氧空位纳米导电丝形成的位置和数量固定，实现阻变结构单元中量子电导特性的可控性与提高阻变结构单元中量子电导稳定性的目的
变结构阻变层氧空位制备导电丝量子预处理处理表面垂直通道倒圆锥形电导特性绝缘处理区域表面倒锥型底电极顶电极可控性氧元素电极凹坑电导逸出氧气通电

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