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[发明专利]阻变存储器件-CN202010130112.4有效
发明人：刘力锋;王泽昊;马跃驰;于傲;丁向向;冯玉林;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种阻变存储器件，包括依次层叠设置的第一电极层、绝缘介质层、阻变层、氧存储层和第二电极层，其中，所述阻变层包括多个子阻变层。本发明实施例提供的阻变存储器件，通过设置具有多个子阻变层的阻变层，在多个相互贴合的子阻变层之间形成局部导电细丝，能够提供均匀可靠的高低阻态，使得阻变存储器件拥有良好的均匀性和可靠性。
存储器件

[发明专利]阻变存储器件-CN202111391563.4在审
发明人：高滨;赵美然;吴华强;唐建石;钱鹤 -专利权人：北京超弦存储器研究院;清华大学
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种适于三维堆叠的阻变存储器件，包括至少一个阻变存储单元，每个单元包括晶体管和阻变存储元件。阻变存储元件包括沿第一方向延伸的第一电极层、至少部分环绕第一电极层的阻变功能层和至少部分环绕阻变功能层的第二电极层。多边形顶点和棱边的电场较强，能提升存储器件的可靠性和一致性、降低阻变存储元件的操作电压和功耗。该器件在空间上可三维延展，能实现三维垂直型堆叠的存储器。
存储器件

[发明专利]阻变存储器件-CN202010049296.1在审
发明人：李基远;朴镇寿 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：阻变存储器件可以包括多个存储单元和控制电路块。存储单元可以连接在全局字线和全局位线之间。控制电路块可以控制存储单元。控制电路块可以包括写入脉冲控制块。写入脉冲控制块可以包括连接在全局字线与选定存储单元之间的高电阻路径电路和旁通电路。写入脉冲控制块可以根据选定存储单元的位置来选择性地将高电阻路径电路和旁通电路中的任意一个使能。
存储器件

[发明专利]阻变存储器件-CN201810536610.1有效
发明人：李相宪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种阻变存储元件包括：下电极；可变电阻层，其设置在下电极上，并且被配置为包括含氧碳结构；阻挡层，其设置在可变电阻层上，并且被配置为包括能够被可逆地氧化和还原的含氧物质；以及上电极，其设置在阻挡层上。
存储器件

[发明专利]阻变存储器件-CN201810584378.9有效
发明人：李相宪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种阻变存储器件包括：下电极；铁电材料层，其设置在下电极上；电阻切换材料层，其设置在铁电材料层上；以及上电极，其设置在电阻切换材料层上。
存储器件

[发明专利]一种自供电阻变存储器及其制备方法-CN201910867184.4在审
发明人：韩素婷;吕子玉;周晔;王燕;周黎;邢雪朝 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种自供电阻变存储器及其制备方法，其包括阻变存储器件和压电器件，所述阻变存储器件与压电器件串联以驱动所述阻变存储器件。本发明采用同时具有阻变效应和压电效应的苯丙氨酸二肽分别制备阻变存储器件和压电器件，并将两者串联，利用压电器件产生的电能驱动阻变存储器的开启和关闭，使得阻变存储器件在不需要外加电压的情况下也能实现电阻转变从而实现数据的存储，进而通过自供电降低了所述阻变存储器件的工作功耗。同时，本发明采用的阻变层和压电层的材料为苯丙氨酸二肽，生物相容性好且可降解，提高了器件整体的可降解属性。
阻变存储器件压电器件苯丙氨酸可降解二肽制备串联生物相容性阻变存储器电能驱动电阻转变工作功耗外加电压压电效应存储器压电层自供电阻变层电阻存储驱动

[发明专利]一种降低阻变存储器器件Reset电流的方法-CN201210026103.6无效
发明人：刘明;李颖弢;龙世兵;刘琦;吕杭炳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-02-07 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术以及存储器器件技术领域，公开了一种降低阻变存储器器件Reset电流的方法，该阻变存储器器件从下至上依次包括下电极、阻变存储层和上电极，该Reset电流是阻变存储器器件由低阻态向高阻态转变所需的电流，该方法是在下电极与阻变存储层之间和/或阻变存储层与上电极之间插入一热保护层，用以减小阻变存储器器件在由低阻态向高阻态转变过程中的热损失，进而降低阻变存储器器件的Reset电流。本发明通过加入热保护层能够有效减小阻变存储器器件在Reset过程中的热损失，因此降低了器件的Reset电流。
一种降低存储器器件 reset 电流方法

[发明专利]阻变存储器件及其制备方法-CN201210555309.8有效
发明人：蔡一茂;毛俊;黄如;王宗巍;刘业帆;余牧溪 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阻变存储器件及其制备方法。该阻变存储器件包括设置在衬底上的底电极、设置在所述底电极上的第一阻变层、设置在所述第一阻变层上的控制层及设置在所述控制层上的顶电极，所述控制层包括位于所述第一阻变层表面上的第一电极、第二电极及填充在所述第一电极和所述第二电极之间的第二阻变层，所述顶电极设置在所述第二阻变层上。本发明实施例所提供的阻变存储器件及其制备方法，可以实现阻变存储器件的多值存储，从而可以大幅度增加由阻变存储器件构成的存储器的存储密度。
存储器件及其制备方法

[发明专利]一种存储器件及其制作方法、存储器及电子设备-CN202010082910.4在审
发明人：高建峰;刘卫兵;项金娟;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器件及其制作方法、存储器及电子设备，涉及非易失性存储器件技术领域，以便于存储器件与CMOS后段工艺兼容，提高存储器件性能。所述存储器件包括形成在衬底上的阻变元件。阻变元件包括底电极，顶电极，以及位于底电极和顶电极之间的阻变层，底电极、阻变层和顶电极所含有的材料均为钽材料。所述存储器件的制作方法用于制作所述存储器件。本发明提供的存储器件用于电子设备中。
一种存储器件及其制作方法存储器电子设备

[发明专利]阻变存储器件的制备方法、装置、电子设备和存储介质-CN202110727631.3在审
发明人：刘力锋;丁向向;冯玉林;黄鹏;康晋锋;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变存储器件的制备方法、装置、电子设备和存储介质，其中方法包括：在经过热氧化处理后的硅片上采用射频磁控溅射方式，制备得到阻变存储器件的衬底；在衬底上采用直流溅射方式，制备得到阻变存储器件的底电极；在底电极上采用PECVD工艺淀积预设厚度的二氧化硅，得到阻变存储器件的阻变介质层，并通过调节PECVD工艺的射频功率调控阻变介质层中缺陷的含量；在阻变介质层上采用直流溅射方式，制备得到阻变存储器件的活性电极；在活性电极上采用直流溅射方式，制备得到阻变存储器件的顶电极。本发明能够通过调节PECVD工艺的射频功率调控阻变介质层中缺陷的含量，制备出满足特定驱动电流或特定功耗的阻变存储器。
存储器件制备方法装置电子设备介质

[发明专利]一种存储器器件-CN201210285423.3无效
发明人：刘明;李颖弢;龙世兵;吕杭炳;刘琦 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器器件，属于微电子技术以及存储器器件技术领域。该存储器器件结构由阻变存储单元和位于阻变存储单元之上的选择单元构成。其中，阻变存储单元结构包括：底层电极、位于底层电极之上的阻变存储层、位于阻变存储层之上的上电极。选择单元结构是由两个反向并联的肖特基二极管构成。本发明提出的存储器器件能够有效抑制双极性阻变器件在交叉阵列中的读串扰问题，可以实现双极性阻变存储器的高密度集成。
一种存储器器件

[发明专利]阻变存储器件及其制造方法-CN201210274243.5有效
发明人：朴南均;崔康植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种阻变存储器件及其制造方法，其能提高集成密度。所述阻变存储器件包括半导体衬底；多个阻变存储器单元，所述多个阻变存储器单元被配置成层叠在半导体衬底上且彼此绝缘，其中所述多个阻变存储器单元每个都包括开关晶体管和与开关晶体管电连接的阻变器件层；公共源极线，所述公共源极线与层叠的所述多个阻变存储器单元电连接；以及位线，所述位线与层叠的所述多个阻变存储器单元电连接并与公共源极线绝缘。
存储器件及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器件及其操作方法-CN202210368985.8在审
发明人：吴华强;席悦;唐建石;高滨;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件和其操作方法。该非易失性存储器件包括阻变存储器和与该阻变存储器串联的第一电阻，其中，阻变存储器包括在第一方向上依次叠层的第一电极、阻变层和第二电极，并且阻变层被配置为在第一电极和第二电极上施加的电压信号的控制下实现不同电阻值的转变该非易失性存储器件的设计有效地缓解了阻变存储器的弛豫效应，同时保持了原有阻变存储器低功耗的特性。
非易失性存储器及其操作方法

[发明专利]存储器件的读取方法-CN201810721290.7有效
发明人：罗庆;吕杭炳;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器件的读取方法，所述存储器件包括阻变存储器和与阻变存储器串联的选通管，该方法包括：选择读取电压，使得当阻变存储器处于低阻态时选通管开启，以及当阻变存储器处于高阻态时选通管不开启；以及根据读取得到的电阻值来判断阻变存储器的存储状态根据本发明的存储器件的读取方法避免了读取电压大于阻变存储器的转变电压从而使阻变存储器被误操作的问题；同时，还降低了选通管的开启次数，从而延长了选通管的寿命或降低了对选通管的疲劳特性要求。
存储器件读取方法

[发明专利]阻变存储器单元-CN201110101033.1有效
发明人：刘琦;刘明;龙世兵;吕杭炳;谢常青 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种阻变存储器单元，该阻变存储器单元包括：阻变存储器和双态电阻器，其中，所述阻变存储器串接所述双态电阻器，所述双态电阻器为具有双向非对称整流特性的选通器件。通过以双态电阻器为选通器件，由于双态电阻器具有双向非对称整流特性，可以在正反两个电压极性下提供足够的电流，同时，既可以作为单极性阻变存储器的选通器件，也可以作为双极性阻变存储器的选通器件，从而解决双极性和单极性阻变存储器的串扰问题
存储器单元

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