专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于DMD的原子荧光多通道检测光源杂质干扰校正方法-CN201810477122.8有效
  • 田地;张雅茹;陶琛;李春生;王宏霞 - 吉林大学
  • 2018-05-18 - 2020-09-01 - G01N21/64
  • 本发明涉及一种基于DMD的原子荧光多通道检测光源杂质干扰校正方法,该方法如下:建立原子荧光元素特征谱线库;利用色散原子荧光检测系统对含有杂质的待测元素的荧光信号进行采集并生成谱图;利用色散原子荧光检测系统对杂质元素的荧光信号进行采集并生成谱图;根据含有杂质的待测元素荧光信号中杂质元素谱峰的强度及杂质元素的荧光信号谱图,计算干扰系数;利用非色散原子荧光检测系统,对元素进行多通道检测;根据多通道检测得到的含有杂质的待测元素杂质元素的荧光强度和计算得到的干扰系数,便可对光源杂质干扰进行校正。本发明能够对检测过程中的光源杂质干扰进行有效地识别和扣除,提高了原子荧光光谱仪定量检测结果的准确性。
  • 基于dmd原子荧光通道检测光源杂质干扰校正方法
  • [发明专利]一种铀锆合金中锆及杂质元素含量的测定方法-CN201811509886.7在审
  • 马妍琳;代燕;赵竹霞 - 中核北方核燃料元件有限公司
  • 2018-12-11 - 2020-06-19 - G01N21/73
  • 本发明涉及一种铀锆合金中锆及杂质元素含量的测定方法,包括以下步骤:步骤一、样品溶解;(1)测定锆元素含量样品的溶解;(2)测定杂质元素含量样品的溶解;步骤二、萃取分离铀基体;(1)测定锆元素含量样品的萃取分离铀基体;(2)测定杂质元素含量样品的萃取分离铀基体;步骤三、样品测定;(1)锆元素的测定;(2)杂质元素的测定。本发明成功建立了等离子体发射光谱法测定铀锆合金中组分及杂质元素含量的检测方法,利用发明内容中列举的实验条件可以精确测定待测元素杂质的含量,报出了准确的检测数据,有效配合了专项生产的进行。
  • 一种合金杂质元素含量测定方法
  • [发明专利]一种金属纯化方法-CN202111667509.8在审
  • 李安军 - 湖南金坤新材料有限公司
  • 2021-12-31 - 2022-04-01 - C22B9/02
  • 本发明提供一种金属纯化方法,所述金属纯化方法为:将含有杂质的待纯化目标金属与合金金属元素混合,并高温蒸馏,以获取纯化后的目标金属;所述合金金属元素熔点高于目标金属,所述合金金属元素至少可与杂质中的部分形成合金,且所述合金金属元素与该杂质中的部分形成合金趋势高于所述合金金属元素与目标金属形成合金的趋势。本发明通过添加合金金属元素,利用合金金属元素杂质形成合金,确保该部分杂质不会随目标金属蒸出,使该部分杂质保留在坩埚中,从而达到纯化效果。
  • 一种金属纯化方法
  • [发明专利]太阳能电池的制造方法-CN201610982274.4在审
  • 米泽雅人;西村邦彦;太田成人;森川浩昭 - 三菱电机株式会社
  • 2012-08-09 - 2017-02-15 - H01L31/0216
  • 本发明提供一种太阳能电池的制造方法,包括第一工序,对半导体基板的一面侧的一部分涂敷含有杂质元素的浆料;第二工序,在处理室内对半导体基板实施不含有杂质元素的气体的环境下的第一热处理,使杂质元素从浆料扩散到所述浆料的下部区域而在所述浆料的下部区域形成以第一浓度扩散了杂质元素的第一杂质扩散层;第三工序,在处理室中保持半导体基板的状态下,在处理室内,接着第一热处理以与第一热处理不同的杂质元素的扩散条件对半导体基板实施含有杂质元素的含掺杂物气体的环境下的第二热处理,使杂质元素从含掺杂物气体扩散到未涂敷浆料的露出区域,从而在露出区域形成以低于第一浓度的第二浓度扩散了杂质元素的第二杂质扩散层。
  • 太阳能电池制造方法

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