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[发明专利]阻变存储器及其制备方法-CN202310450080.X在审
发明人：高飞;仇圣棻;杨芸;陈亮 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变存储器及其制备方法，通过改变研磨停止点，在沉积阻变存储器的阻变层前设置一道预设厚度的通孔填充层。实现化学机械研磨仅需要研磨通孔填充层至预设厚度即可，避免了下电极通孔的填充结构的凹陷或凸起的发生，进而减少了对阻变层的影响；从而达到减少同一片晶圆上阻变结构与阻变结构之间功能和结构之间的差异的技术效果。
存储器及其制备方法

[发明专利]具有结构调节层的阻变式存储器及其制备方法-CN201710372366.5在审
发明人：张磊;白雪冬;许智 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变式存储器，包括：惰性下电极层、所述惰性下电极层之上的硫族化合物阻变层、所述硫族化合物阻变层之上的金属掺杂的硫族化合物调节层、以及所述金属掺杂的硫族化合物调节层之上的活性金属上电极层。本发明的阻变式存储器具有结构调节层，可以实现导电丝通段的局域化，从而大大提高阻变式存储器的稳定性。
硫族化合物存储器结构调节金属掺杂下电极层调节层阻变层活性金属导电丝电极层局域化制备

[发明专利]一种降低阻变存储器电铸电压的方法-CN201410222652.X有效
发明人：龙世兵;王国明;张美芸;李阳;王明;许晓欣;刘红涛;孙鹏霄;吕杭炳;刘琦;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低阻变存储器电铸电压的方法，该方法是在对阻变存储器进行电铸操作之前，通过阻变存储器的上电极向阻变存储器的阻变功能层施加恒定的小电流，在阻变存储器的阻变功能层中形成部分导电细丝，使阻变存储器处于中间态之后对阻变存储器的电铸过程，可以发现电铸电压明显降低。本发明操作方法简单，降低成本低，有利于本发明的广泛推广与应用。
一种降低存储器电铸电压方法

[发明专利]一种基于硫化钨纳米片的阻变存储器及其制备方法-CN201811172693.7有效
发明人：闫小兵;秦翠亚;任德亮 -专利权人：河北大学
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于硫化钨纳米片的阻变存储器及其制备方法，所述忆阻器的结构从下到上依次包括Pt衬底、在所述Pt衬底上形成的第一ZrO2阻变层、在所述第一ZrO2阻变层上形成的WS2纳米片介质层、在所述WS2纳米片介质层上形成的第二ZrO2阻变层以及在所述第二ZrO2阻变层上形成的Ag电极层。本发明提供的阻变存储器通过性能检测证明其具有良好的阻变特性，呈现出较为稳定的阻值变化，高电阻值和低电阻值之间相差较大，不容易造成误读，而且该WS2纳米片阻变存储器在高阻态和低阻态下的抗疲劳特性均比较优异
一种基于硫化纳米存储器及其制备方法

[发明专利]一种有机电极阻变存储器及其制备方法-CN201611206793.8有效
发明人：闫小兵;张磊;赵建辉 -专利权人：河北大学
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电极阻变存储器，其结构是在衬底上依次形成有PCBM有机电极介质层、Zr0.5Hf0.5O2阻变转换层和Ag电极层。同时公开了该阻变存储器的制备方法：包括清洗、干燥衬底；将PCBM溶液旋涂于衬底上真空干燥后形成PCBM有机电极介质层；在PCBM有机电极介质层上通过磁控溅射法生长Zr0.5Hf0.5O2阻变转换层；在Zr0.5Hf0.5O2阻变转换层上生长Ag电极层。本发明提供的阻变存储器使用了PCBM薄膜作为阻变存储器的有机电极介质层，其有别于传统使用氧化物制备的存储器件，其结构独特，性能表现良好，是一种存储性能更为稳定、耐久性强、应用前景更为广阔的阻变存储器。
一种有机电极存储器及其制备方法

[发明专利]具有可控迁移路径的阻变存储器及其制作方法-CN202010995203.4在审
发明人：唐建石;牟星;吴华强;高滨;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提出一种具有可控迁移路径的阻变存储器及其制作方法，其中，阻变存储器包括：上电极、阻变层、下电极和衬底；其中，所述上电极、所述阻变层、所述下电极和所述衬底依次叠放；所述阻变层具有晶体结构，所述衬底具有特定晶向
具有可控迁移路径存储器及其制作方法

[发明专利]一种小尺寸阻变存储器及其制备方法-CN201210018873.6无效
发明人：张丽杰;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器结构及制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器包括衬底，衬底上设有下电极，下电极上设有阻变层，在阻变层上设置带有侧墙的隔离层和上电极。本发明通过减小阻变存储器上电极的面积，来有效地控制阻变存储器的阻变发生的区域，从而改善阻变存储器参数的波动性。
一种尺寸存储器及其制备方法

[发明专利]一种卟啉忆阻器及其制备方法-CN201611186337.1有效
发明人：黄维;仪明东;朱颖;王智勇;王来源;解令海 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种卟啉忆阻器，该卟啉忆阻器为阳极、阻变层、阴极的三层结构，阻变层位于阳极和阴极的中间，其包含卟啉作为活性薄膜层，该活性薄膜层提供传输电子和离子的双重功能，阻变层还包括氧化物缓冲层，以提供离子源本发明还提出一种制备上述卟啉忆阻器的方法，包括以下步骤：首先制备所述阳极，然后在阳极上制备阻变层，随后在阻变层上制备阴极，氧化物缓冲层通过低真空度原位方法形成，以提高所述阻变层的质量，保证含氧量低于整数比本发明的卟啉忆阻器是由真空蒸镀制备得到，具有易于设计，工艺简单，器件产率高、输出可重复性、性能稳定以及抗饱和能力强等优势。
一种卟啉忆阻器及其制备方法

[发明专利]阻变随机存取存储器的结构及其形成方法-CN201910403390.X在审
发明人：杨芸;仇圣棻 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种阻变随机存取存储器的结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成底部电极；在底部电极上形成阻变层；在所述阻变层上形成顶部电极；在所述顶部电极的顶部表面、顶部电极的侧壁表面和所述阻变层的侧壁表面形成第一保护层所形成的阻变随机存取存储器性能得到提升。
随机存取存储器结构及其形成方法

[发明专利]一种掺杂金属氧化物的阻变式随机存取存储器及制备方法-CN201910559817.5在审
发明人：沈棕杰;赵春;赵策洲;杨莉;罗天;张艺;黄彦博 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂金属氧化物的阻变式随机存取存储器及制备方法，包括由上至下设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述顶电极层包括若干个设置在阻变氧化层上的顶电极；所述阻变氧化层为掺杂金属氧化层；制备具体步骤包括：a）基底清洗；b）制备阻变氧化层；c）制备顶电极层；d）制备保护层。本案中的金属氧化层以及掺杂粉末均采用溶液法工艺制备，实现低成本RRAM的制备，相较于单层或双层纯金属氧化层的RRAM器件，掺杂RRAM器件阻变特性更好，且设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。
制备阻变氧化层顶电极层掺杂金属氧化物随机存取存储器氧化层掺杂制备具体步骤金属氧化层掺杂金属工业应用工艺制备基底清洗阻变特性保护层纯金属低成本顶电极溶液法单层基底投资

[发明专利]一种三维阻变存储器及制造方法-CN202010425143.2在审
发明人：左青云;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维阻变存储器，包括：形成在衬底上的多层水平导电电极，以及形成在所述水平导电电极之间的隔离介质层；所述水平导电电极和隔离介质层之间竖直设有两个阻变存储层，两个所述阻变存储层的内侧设有连接所述阻变存储层的竖直导电电极，所述阻变存储层侧壁与所述水平导电电极端部之间通过与所述水平导电电极同层设置的选通材料层相连接，所述隔离介质层将所述选通材料层上下隔断。本发明的三维阻变存储器具有自选通特性，能够有效提升存储密度，且与CMOS工艺兼容，有利于推广应用。本发明还公开了一种三维阻变存储器制造方法。
一种三维存储器制造方法

[发明专利]一种有机阻变存储器及其制备方法-CN201310154664.9有效
发明人：许积文;王华;何玉汝;戴培邦 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。
一种有机存储器及其制备方法

[发明专利]阻变存储器及其制备方法-CN202310450651.X在审
发明人：高飞;仇圣棻;杨芸;陈亮 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变存储器及其制备方法，在研磨后的膜层上增加了一层金属层；实现了隔离研磨后的膜层的平整度对阻变层的影响，达到使得阻变层尽量少受到环境因素的影响，从而改善阻变存储器的电性和工艺的稳定性技术效果
存储器及其制备方法

[发明专利]一种非线性自整流阻变存储器及其制备方法-CN201610183126.6有效
发明人：蔡一茂;王宗巍;黄如;喻志臻;方亦陈;余牧溪;杨雪 -专利权人：北京大学
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非线性自整流阻变存储器，包括衬底和位于衬底上的底电极‑阻变层‑能带修饰层‑顶电极结构。本发明还提供一种非线性自整流阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：1)定义底电极图形，按照该图形在衬底上制备底电极；2)采用PVD、ALD或CVD的方法在底电极上淀积阻变层；3)采用PVD或ALD的方法在阻变层上淀积能带修饰层；4)定义底电极引出孔图形，按照该图形在阻变层和能带修饰层刻蚀出底电极引出孔；5)定义顶电极图形，按照该图形在修饰层上制备顶电极。
一种非线性整流存储器及其制备方法

[发明专利]应变多层阻变存储元件-CN201480022289.5有效
发明人：詹尼弗·L·M·鲁普;塞巴斯蒂安·施魏格尔;费利克斯·梅塞施米特 -专利权人：苏黎世联邦理工学院
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的阻变存储元件包括第一电极；阻变元件；以及第二电极，其中该阻变元件被布置在第一电极与第二电极之间，并且该阻变元件包括多个金属氧化物层或由多个金属氧化物层组成，并且其中该阻变元件的相邻金属氧化物层包括不同金属氧化物或由不同金属氧化物组成
应变多层存储元件