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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构-CN202210933727.X在审
  • 李维中;丘世仰 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-08-04 - 2023-10-24 - H10B20/25
  • 本发明提供一种半导体结构，包括半导体基板、主动区、晶体管栅极、熔丝栅极、第一介电图案、第二介电图案以及多条金属线。主动区设置于半导体基板中。晶体管栅极具有沿着第一方向延伸穿过主动区的第一线段和第二线段。位于第一线段与第二线段之间的熔丝栅极沿第一方向延伸穿过主动区。第一介电图案设置于主动区和晶体管栅极之间。第二介电图案设置于主动区和熔丝栅极之间。位于晶体管栅极相对两侧的多条金属线电性连接至主动区。
  • 半导体结构
  • [发明专利]具有气腔的半导体元件-CN202211616970.5在审
  • 丘世仰 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-12-15 - 2023-10-17 - H01L23/528
  • 本公开提供一种具有一气腔的半导体元件。该半导体元件具有一基底、一第一图案化导电层、一第一介电层以及一第二图案化导电层。该第一图案化导电层设置在该基底上。该第一介电层设置在该第一图案化导电层上。该第二图案化导电层设置在该第一介电层上。该半导体元件在该第一图案化导电层与该第二图案化导电层之间具有一气腔。
  • 有气半导体元件
  • [发明专利]具有连接到存储器元件的二极管的半导体元件及其电路-CN202211525702.2在审
  • 丘世仰 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-11-30 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 本公开提供一种半导体元件以及一电路。该半导体元件包括一基底、一第一栅极结构、一第一掺杂区以及一第一电容结构。该基底包括一第一井区，该第一井区具有一第一导电类型。该第一栅极结构设置在该基底上。该第一掺杂区设置在该基底中并具有一第二导电类型，该第二导电类型不同于该第一导电类型。该第一栅极结构与该第一掺杂区包含在一晶体管中。该电容结构包括一第一电极，该第一电极电性耦接到该第一掺杂区。该第二掺杂区设置在该基底中并具有该第二导电类型。该第二掺杂区电性耦接到该电容结构的该第一电极以及该第一掺杂区。
  • 具有接到存储器元件二极管半导体及其电路
  • [发明专利]具有连接到存储器元件的二极管的半导体元件的制备方法-CN202310081505.4在审
  • 丘世仰 - 南亚科技股份有限公司
  • 2023-01-19 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一基底。该基底包括一第一井区，该第一井区具有一第一导电类型。该制备方法还包括形成一第一栅极结构在该基底上。该制备方法还包括形成一第一掺杂区在该基底中。该第一掺杂区具有一第二导电类型，该第二导电类型不同于该第一导电类型。该第一栅极结构与该第一掺杂区包含在一第一晶体管中。此外，该制备方法包括形成一电容结构以电性耦接到该基底的该第一掺杂区。该制备方法亦包括形成一第二掺杂区在该基底中。该第二掺杂区具有该第二导电类型，该第二掺杂区与该第一井区一起当作一个二极管，且该第二掺杂区电性耦接到该第一掺杂区。
  • 具有接到存储器元件二极管半导体制备方法
  • [发明专利]半导体元件-CN202211720866.0在审
  • 李维中;丘世仰 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-08-25 - H01L27/07
  • 本申请公开一种半导体元件，包括一基底；一隔离层，设置于该基底中并定义该基底的一主动区，其中该主动区包括一晶体管部分及从该晶体管部分延伸出的一可编程设计部分；一栅极结构，设置于该晶体管部分上；一漏极区，设置于该可编程设计部分及该晶体管部分中，并与该栅极结构相邻；一源极区，设置于该晶体管部分中，与该栅极结构相邻，并与该漏极区相对，该栅极结构介于两者之间；一中间绝缘层，设置于该可编程设计部分上；以及一上部导电层，设置于该中间绝缘层上。该可编程设计部分的该漏极区、该中间绝缘层及该上部导电层共同配置一可编程设计的结构。
  • 半导体元件
  • [发明专利]半导体元件的制备方法-CN202310089624.4在审
  • 李维中;丘世仰 - 南亚科技股份有限公司
  • 2023-02-02 - 2023-08-25 - H10B41/30
  • 本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一隔离层，设置于该基底中并定义该基底的一主动区，其中该主动区包括一晶体管部分及从该晶体管部分延伸出的一可编程设计部分；一栅极结构，设置于该晶体管部分上；一漏极区，设置于该可编程设计部分及该晶体管部分中，并与该栅极结构相邻；一源极区，设置于该晶体管部分中，与该栅极结构相邻，并与该漏极区相对，该栅极结构介于两者之间；一中间绝缘层，设置于该可编程设计部分上；以及一上部导电层，设置于该中间绝缘层上。该可编程设计部分的该漏极区、该中间绝缘层及该上部导电层共同配置一可编程设计的结构。
  • 半导体元件制备方法
  • [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202210797975.6在审
  • 丘世仰 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-07-06 - 2023-06-06 - H01L23/498
  • 本公开提供一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括一基底；一重分布层，设置在该基底上并具有一介电层、一导电栓塞以及一接合垫，该介电层设置在该基底上，该导电栓塞延伸在该介电层内，该接合垫邻近该导电栓塞且被该介电层所围绕；以及一导电凸块，设置在该导电栓塞上；其中该接合垫至少部分接触该导电栓塞与该导电凸块。再者，亦提供一种半导体结构的制备方法。
  • 半导体结构及其制备方法
  • [发明专利]半导体结构-CN202210319240.2在审
  • 李维中;丘世仰 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-03-29 - 2023-05-26 - H01L23/525
  • 一种半导体结构包括基板、第一及第二晶体管、第一及第二熔丝、接触结构以及介电层。基板具有第一及第二元件区域，以及熔丝区域。第一晶体管与第二晶体管分别位于第一元件区域与第二元件区域上。第一熔丝电性连接至第一晶体管且包括具有第一部分与第二部分的第一熔丝主动区域。第二熔丝电性连接至第二晶体管且包括具有第三部分与第四部分的第二熔丝主动区域。接触结构互连第二部分与第三部分，其中第一部分与第四部分位于接触结构的相对侧上。介电层位于接触结构与基板的熔丝区域之间。借此，本揭露的半导体结构，可以减少半导体结构的特征尺寸，从而增加积体密度。
  • 半导体结构
  • [发明专利]半导体元件结构及其制备方法-CN202210593600.8在审
  • 丘世仰 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-05-27 - 2023-04-28 - H01L29/06
  • 本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一第一基底、一第一井区、一第一栅极结构、一第二栅极结构、一第一掺杂区以及一第一导电特征。该基底具有一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面。该第一井区位于该第一基底中。该第一井区具有一第一导电类型。该第一栅极结构设置在该第二表面上。该第二栅极结构设置在该第二表面上。该第一掺杂区具有不同于该第一导电类型的一第二导电类型。该第一掺杂区经设置在该第一栅极结构和该第二栅极结构之间。该第一导电特征在该第一基底的该第一表面和该第一掺杂区之间延伸。
  • 半导体元件结构及其制备方法
  • [发明专利]半导体元件及其制备方法-CN202210300834.9在审
  • 李维中;丘世仰 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-03-24 - 2023-03-07 - H01L23/50
  • 本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底；一下导电区，设置在该基底中；一第一栅极结构，设置在该基底上；一第一漏极区，设置在该基底中并邻近该第一栅极结构的一侧壁；以及一第一延伸导电区，设置在该基底中、在该第一漏极区下方、接触该第一漏极区的一下表面，以及远离该下导电区。该第一漏极区的一上表面以及该基底的一上表面大致为共面。该下导电区与该第一延伸导电区包括相同的电类型。该第一漏极区与该第一延伸导电区包括不同电类型。
  • 半导体元件及其制备方法
  • [发明专利]具有可程序化单元的半导体元件及其制备方法-CN202210363212.0在审
  • 丘世仰 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-04-07 - 2023-03-03 - H01L23/538
  • 本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一第一介电层，设置在一基底上；第一/第二上短轴部，沿着一第一方向延伸、相互间隔设置以及设置在该第一介电层上；一共同源极区，设置在该基底中并邻近该第一/第二上短轴部；一第一分支漏极区，设置在该基底中、邻近该第一上短轴部并设置在该共同源极区的相反处；一第二分支漏极区，设置在该基底中、邻近该第二上短轴部并设置在该共同源极区的相反处；以及一上电极，设置在该第一介电层上且地形结构上设置在该第一分支漏极区与该第二分支漏极区上。该上电极、该第一介电层以及该第一/第二分支漏极区一起配置成一可程序化单元。
  • 具有程序化单元半导体元件及其制备方法
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