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[发明专利]测试芯片制造过程中电荷累积的方法-CN201510695080.1在审
发明人：孙访策;李志国;欧少敏;杨勇;管宝辉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种测试芯片制造过程中电荷累积的方法，包括：先制备长有介质层的多个晶圆；使得所述多个晶圆中的第一部分晶圆经由第一工艺腔进行刻蚀处理；使得所述多个晶圆中的第二部分晶圆经由第二工艺腔进行刻蚀处理
测试芯片制造过程电荷累积方法

[发明专利]可任意使用的电子芯片装置和制造过程-CN98811602.2有效
发明人： R·P·布兰克;I·德索特尔;P·加尼尔;P·马丁 -专利权人：格姆普拉斯有限公司
申请日： 1998-09-23 - 公布日： 2001-01-17 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括薄膜支撑的芯片电子装置,该装置包括一个具有接口的薄膜支撑和至少一个平导电接口,以及连接到所述接口的微电路。本发明特征在于薄膜支撑和接口具有在不损坏情况下能够被弄皱或折叠的特征。本发明还涉及标签的制造过程。
任意使用电子芯片装置制造过程

[发明专利]高解析相机模块的结构及制造方法-CN201310046186.X无效
发明人：黄俊龙;杜修文;吴承昌;杨崇佑;王荣昌;杨若薇 -专利权人：胜开科技股份有限公司
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明是有关于一种高解析相机模块的结构及制造方法，制造方法包括下列步骤：提供具有多个影像感测芯片的影像感测晶圆；进行检测并定义每一个影像感测芯片是否为优良芯片；设置光学盖体于定义为优良芯片的影像感测芯片上，且光学盖体正对感测区又不覆盖导电接点；分割影像感测晶圆以得到独立且覆盖有光学盖体的影像感测芯片；及设置经分割的影像感测芯片的第一表面于陶瓷基板的底面。本发明可以在制造过程初期就将高解析相机模块密封以提高高解析相机模块的合格率，并有效的缩小高解析相机模块的体积。
解析相机模块结构制造方法

[发明专利]一种金属衬底磷化铟单晶层及其制备方法及其应用-CN202111019908.3在审
发明人：林健峯 -专利权人：林健峯
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：包括金属材料衬底，通过以外延剥离工艺将磷化铟(InP)单晶层转移到金属衬底材料上，产生的磷化铟单晶层键合于金属衬底之上，该衬底可制造共振隧穿二极管(RTD)太赫兹波芯片、高电子迁移率晶体管(HEMT)毫米波芯片及垂直共振腔面射型激光(VCSEL)等芯片。对于太赫兹波、毫米波及光电半导体芯片在制造方法提供更大的散热能力，并且在生产过程中温度的分布更均匀，在外延工艺上能有效降低晶体缺陷的形成；在芯片制造工艺过程中能有更大的热承受力。
一种金属衬底磷化铟单晶层及其制备方法应用

[实用新型]一种低浓度超薄的IGBT芯片-CN201520585638.6有效
发明人：关仕汉 -专利权人：淄博汉林半导体有限公司
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种低浓度超薄的IGBT芯片，属于半导体器件制造领域。包括P型的衬底（1），在衬底（1）上依次设有N型的第一外延层（2）和第二外延层（3），在第二外延层（3）上设置MOS结构，芯片最上方覆盖有金属层（4），其特征在于：衬底（1）的掺杂浓度为10^{15本低浓度超薄的IGBT芯片，将衬底的厚度减薄，同时将衬底的浓度降低，提升了芯片的关断速度从而提升产品的工作频率，省去了PT型IGBT制造过程中为提高其工作频率而照电子辐照及高温退火的工序，以及NPT型IGBT制造过程中制程背面工艺及激光扫描的复杂工序，提高芯片流片效率并降低成本。}
一种浓度超薄 igbt 芯片

[发明专利]半导体封装结构及其制造方法-CN202110890599.0在审
发明人：吕文隆 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本公开提供了半导体封装结构及其制造方法，先将光学器件设置于电子芯片上，然后光子芯片和电子芯片之间进行倒装焊接的过程中，光子芯片与电子芯片先处于非对准状态，再进行回焊阶段时由于焊料的内聚力而将光子芯片自动对准光学器件
半导体封装结构及其制造方法

[发明专利]元件芯片的制造方法-CN201610825780.2有效
发明人：针贝笃史;置田尚吾;松原功幸 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够抑制安装过程中的导电性材料的爬升的元件芯片的制造方法。在对具有多个元件区域的基板进行分割来制造多个元件芯片的元件芯片的制造方法中所利用的等离子处理工序之中，通过使基板暴露于第1等离子体中，从而将基板分割为元件芯片(10)，具备第1面(10a)、第2面(10b)以及连结第1面(10a)和第2面(10b)的侧面(10c)的元件芯片(10)在载体(4)上成为相互空出间隔被保持的状态。通过使这些元件芯片(10)暴露于以氟化碳和氦的混合气体为原料气体的第2等离子体中，由此形成覆盖侧面(10c)的保护膜(12c)，来抑制安装过程中的导电性材料向侧面(10c)的爬升。
元件芯片制造方法

[发明专利]暂存板及其制造方法、LED芯片的转移方法、显示面板-CN202111042842.X在审
发明人：王付雄;萧俊龙;蔡明达 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种暂存板，应用于转移装置的多个LED芯片在转移过程中的暂存，转移装置包括转移板和设置于转移板上的多个LED芯片，暂存板上开设有多个容置槽，容置槽的形状和截面尺寸与LED芯片的形状和外围尺寸相同，多个容置槽在暂存板上的排布方式与多个LED芯片在转移板上的排布方式相同，容置槽用于转移过程中容置LED芯片。本发明还提供一种暂存板的制造方法以及一种LED芯片的转移方法。本发明提供的暂存板及其制造方法以及LED芯片的转移方法，通过在暂存板上设置用于容置LED芯片的容置槽，使得在转移容置槽内的LED芯片时，LED芯片因容置槽的限位作用不会发生位移，而有利于LED芯片与目标电路板的对准键合
暂存及其制造方法 led 芯片转移显示面板

[发明专利]一种柔性芯片的制造方法-CN201910457748.7在审
发明人：刘东亮;缪炳有;滕乙超;魏瑀;宋冬生 -专利权人：浙江荷清柔性电子技术有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种柔性芯片的制造方法，用于加工晶圆形成超薄柔性芯片，其特征在于，包括：在所述晶圆正面贴保护膜；通过背面研磨将所述晶圆减薄至目标厚度；在所述晶圆背面贴支撑膜；去除所述保护膜；切割所述晶圆，得到背面带有所述支撑膜的柔性芯片相较于现有技术，本发明的柔性芯片制造方法，通过在剥离切割操作之前在晶圆背面贴支撑膜，从而使柔性芯片在剥离切割过程中得到支撑保护，避免柔性芯片破损，提高封装良率。
柔性芯片支撑膜晶圆晶圆背面保护膜切割剥离制造背面研磨超薄柔性晶圆正面切割过程支撑保护减薄良率去除封装破损背面芯片加工

[发明专利]一种Micro-LED芯片的巨量转移方法以及一种Micro-LED显示基板-CN202310398817.8有效
发明人：李雍;陈文娟;王怀厅;瞿澄 -专利权人：罗化芯显示科技开发（江苏）有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种Micro‑LED芯片的巨量转移方法以及一种Micro‑LED显示基板，涉及微发光二极管显示制造领域。在本发明的Micro‑LED芯片的巨量转移方法中，将Micro‑LED芯片单元转移至驱动基板之前，预先形成包裹Micro‑LED芯片单元的像素限定层，有效保护Micro‑LED芯片单元，避免Micro‑LED芯片单元在转移过程中损坏，且在转移工序后直接作为像素限定层使用而无需额外的去除工序，简化了Micro‑LED显示基板的生产工序，降低了制造成本。
一种 micro led 芯片巨量转移方法以及显示

[发明专利]图像拾取设备及其制造方法-CN03148698.3有效
发明人：曹民教;姜思尹;卢永勋;权宁信 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-06-19 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像拾取设备以及制造方法。将数字信号处理(DSP)芯片附连在衬底的第一面上。将CMOS图像传感器(CIS)芯片附连在DSP芯片的有源面上。通过引线接合将DSP芯片和CIS芯片电连接至衬底上。具有用以将图像传送至DSP的透镜的外壳箱被安装在衬底上。没有模制出外壳箱和衬底之间的内部空间，从而简化了制造过程并提供了更薄和/或更轻的图像拾取设备。
图像拾取设备及其制造方法

[发明专利]集成电路制造的推拉双向式派工方法-CN02108174.3无效
发明人：方亨利;陈忠信 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2002-03-28 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成电路制造的推拉双向式派工方法，用于决定芯片批次在每一工作站的排货次序。先定义芯片批次的优先次序，接着进行集成电路制造的推拉双向式派工方法，执行数个推货(Push)步骤与拉货(Pull)步骤。其中，推货步骤是不管下游的制作过程阶段或工作站的拥挤或延迟状况，直接由上游来安排推货、另外，拉货步骤是考虑下游的制作过程阶段或工作站的缺货需求，再由制作过程上游来安排推货。接着，再依原先芯片批次的优先次序高低来进行派工即可。利用此集成电路制造的推拉双向式派工方法，具有提高机台设备利用性的优点。
集成电路制造推拉双向式派工方法

[发明专利]用于三维金属互连技术的一般化的器件组装的使用-CN201110153204.5有效
发明人： P·帕瓦兰德 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：组装过程适当地将多个第一裸芯片定位和对准在承载衬底内。第一裸芯片被定位于在承载衬底中形成的凹陷内。然后将承载衬底与第二衬底对准，该第二衬底具有在其中制造的多个第二裸芯片。使用不同的技术制造第一裸芯片和第二裸芯片。将承载衬底与第二衬底对准也对准了第一裸芯片与第二裸芯片。可以将一个或者多个第一裸芯片与每个第二裸芯片对准。一旦经对准，进行晶片键合过程以将第一裸芯片键合到第二裸芯片。在一些情况中，移除承载衬底，留下键合到第二衬底的第二裸芯片的第一裸芯片。在其他情况中，将承载衬底留在适当位置作为帽。然后切割第二衬底以形成裸芯片堆叠。
用于三维金属互连技术一般化器件组装使用

[发明专利]芯片测试结构及其测试方法-CN201310130297.9在审
发明人：牛刚;于建姝;赵晓东;段晓博;刘竞文 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-15 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明揭示了一种芯片测试结构，用于测试芯片裂开的原因，包括：平行且相互绝缘的第一测试金属线以及第二测试金属线；所述第一测试金属线与第二测试金属线为同一层金属制成；所述第一测试金属线与第二测试金属线均具有始端垫片以及终端垫片，并各自围绕芯片的保护环构成非封闭的环状，且所述第一测试金属线位于所述第二测试金属线的外侧。本发明还提供该芯片测试结构的测试方法，本发明的芯片测试结构，能准确评估封装后的芯片裂开是前道制造的过程中形成的，还是后道制造的过程中形成的。
芯片测试结构及其方法

[发明专利]单面CSP及其制造方法-CN201910410536.3在审
发明人：周波;何至年;朱弼章;唐其勇 -专利权人：深圳市兆驰节能照明股份有限公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本申请单面CSP包括倒装芯片、荧光胶、透明胶、白胶，所述倒装芯片的四周由所述透明胶包围，所述倒装芯片的上方是荧光胶层，所述荧光胶层的上方是透明胶层，所述倒装芯片、荧光胶、透明胶形成的组合体的外围由白胶包围本申请单面CSP的制造方法，先在载板上形成组合半固化片，在粘上倒装芯片，然后烘烤至完全固化，然后在芯片四周涂覆透明胶，再烘烤固化。本申请单面CSP的制造方法借助半固化过程中半固化片的粘性定位倒装芯片，方便制造工艺流程的操作。本申请所述单面CSP，荧光胶部分被透明胶层和白胶完全包围，外层结构起到了保护作用。
倒装芯片透明胶荧光胶白胶半固化片透明胶层荧光胶层申请包围制造烘烤固化外层结构完全固化工艺流程半固化组合体烘烤涂覆载板外围芯片