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[发明专利]智慧能源用芯片置入式塑铠装智能电力电缆及制造方法-CN201710676189.X有效
发明人：陈东;唐松柏;周锋;兰阳灿;张鹏;吴俊超;王射林 -专利权人：远东电缆有限公司;新远东电缆有限公司;远东复合技术有限公司
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01B7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种智慧能源用芯片置入式塑铠装智能电力电缆及制造方法，由内至外依次为缆芯、隔离层、智能芯片层、紧固防护层、内衬层、塑铠装层和外护层；所述缆芯包括至少一根绝缘线芯；所述智能芯片层包括与绝缘线芯数量成自然数倍数的自粘型智能芯片；所述自粘型智能芯片包括测试芯片、天线和将二者封装在一起的封装材料，各自粘型智能芯片的芯片长度方向沿电缆轴向，并沿着缆芯圆周方向均匀分布；所述紧固防护层与智能芯片层的各自粘型智能芯片一一对应；所述塑铠装层为双层塑钢带间隙绕包本发明实现了对电缆的运行监测、快速查找定位、制造和安装敷设等信息的记录存储和调用，电缆的制造过程简单，可操作性强，造价成本低，具有很高的经济效益。
智慧能源芯片置入式塑铠装智能电力电缆制造方法

[发明专利]识别用于拾放设备的参考集成电路的系统和方法-CN200610071686.9无效
发明人：琼－露易斯·夏奥德奥 -专利权人： ST微电子公司
申请日： 2006-03-28 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：一种用于将集成电路芯片拾放设备对准于承载这些电路的晶片的原点的方法和系统，包括在所述晶片上光学搜索在集成电路的制造过程中形成于参考芯片上的至少一个参考图案，所述参考图案不同于其它芯片的可光学识别的图案。
识别用于设备参考集成电路系统方法

[发明专利]一种功率半导体模块及其制造方法-CN201210192843.7有效
发明人：宗瑞 -专利权人：宗瑞
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率半导体模块及其制造方法，该模块包括底板、半导体芯片、主端子、门极端子、辅助阴极端子和绝缘外壳，绝缘外壳中灌注环氧树脂封装，其特征是：所述主端子、门极端子和辅助阴极端子均与绝缘外壳模注为一体，且该主端子、门极端子和辅助阴极端子内端分别从绝缘外壳体内伸出，并延伸至与半导体芯片直接连接。其制造方法中采用主端子、门极端子和辅助阴极端子均与半导体芯片直接烧结连接，去除导电丝线焊接、使制造过程简化，生产效率显著提高，成本降低，产品可靠性增强。
一种功率半导体模块及其制造方法

[发明专利]一种用于三相桥式驱动的智能功率模块-CN201310143341.X有效
发明人：胡同灿 -专利权人：日银IMP微电子有限公司
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于三相桥式驱动的智能功率模块，通过将常规的高压侧驱动模块、电平转移模块和低压侧驱动模块集成芯片进行重新分割，分成电平转移芯片、高压侧控制驱动芯片和低压侧控制驱动芯片来实现，采用复杂的高压隔离制造工艺技术只生产电平转移芯片，而对于高压侧控制驱动芯片和低压侧控制驱动芯片则采用普通的CMOS工艺进行生产，而无需采用在普通的CMOS工艺中集成高压隔离制造工艺生产各个芯片，再将各个芯片、功率器件和续流二极管封装在一起构成用于三相桥式驱动的智能功率模块，这种智能功率模块的电平转移芯片的生产过程更容易控制，有利于提高良率；且可使高压侧控制驱动芯片和低压侧控制驱动芯片面积可做的较小，能保证生产良率。
一种用于三相驱动智能功率模块

[发明专利]一种用于三相桥式驱动的智能功率模块-CN201310144478.7有效
发明人：胡同灿 -专利权人：日银IMP微电子有限公司
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于三相桥式驱动的智能功率模块，通过将常规的高压侧驱动模块、电平转移模块和低压侧驱动模块集成芯片进行重新分割，分成电平转移芯片、高压侧控制驱动芯片和低压侧控制驱动芯片来实现，采用复杂的高压隔离制造工艺技术只生产电平转移芯片，而对于高压侧控制驱动芯片和低压侧控制驱动芯片则采用普通的CMOS工艺进行生产，而无需采用在普通的CMOS工艺中集成高压隔离制造工艺生产各个芯片，再将各个芯片、功率器件和续流二极管封装在一起构成用于三相桥式驱动的智能功率模块，这种智能功率模块的电平转移芯片的生产过程更容易控制，有利于提高良率；且可使高压侧控制驱动芯片和低压侧控制驱动芯片面积可做的较小，能保证生产良率。
一种用于三相驱动智能功率模块

[发明专利]覆晶连接埋入式被动元件的集成电路装置及其制造方法-CN200410074582.4有效
发明人：蔡孟锦 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2004-09-07 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：一种覆晶连接埋入式被动元件的集成电路装置及其制造方法，提供一具有运算功能的覆晶芯片及一虚芯片，其中该集成电路装置包含有至少一埋入式被动元件、复数个重分配线路以及复数个覆晶接垫，该覆晶芯片较小于该虚芯片，且该覆晶芯片接合于在该虚芯片的表面上的覆晶接垫，该埋入式被动元件经由重分配线路与覆晶接垫而电性连接至该覆晶芯片，并在该虚芯片的该表面周边设置有复数个焊球。本发明通过具有埋入式被动元件的虚芯片与该覆晶芯片能被以不同的晶圆处理过程加以分别制作，达到高产出率与低制造成本，此外，由该覆晶芯片与该虚芯片所组成的集成电路装置具有传输快且不干扰的电性功能。
连接埋入被动元件集成电路装置及其制造方法

[发明专利]用于生物芯片的印刷方法及其应用-CN201510902943.8有效
发明人：杨华卫;曾冀 -专利权人：杨华卫
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： C40B50/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生物芯片的印刷方法及其应用。该印刷方法包括以图形的形式将待测样品和标志物或者将待测样品、标志物和对待测样品具有质控作用的生物分子固定到生物芯片的基片上，由此制得生物芯片。采用该方法印刷生物芯片，不会抑制任何芯片反应，芯片反应会非常稳定。该生物印刷方法简化了芯片制造过程，且使得芯片反应结果的判读变得更为便捷，同时增加了芯片的检测通量，使得芯片上探针的定位更加精准。
生物芯片印刷芯片待测样品标志物芯片反应结果芯片制造过程生物分子判读探针通量质控应用检测

[实用新型]一种芯片制造生产用切割装置-CN202121629460.2有效
发明人：陈海军;卞正刚 -专利权人：江苏晟銮电子科技有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： B23D79/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片制造生产用切割装置，包括切割安装底座、控制按钮、切割支撑架、芯片上料组件、翻转调节组件和芯片固定组件。本实用新型属于芯片制造生产技术领域，具体是一种芯片制造生产用切割装置，通过设置翻转调节组件提高了切割装置本身的保护效果，提升了芯片制造生产用切割装置的机械化水平，提高了芯片制造生产用切割装置的工作效率，设置芯片上料组件和芯片固定组件增加了芯片切割时的稳定性，提高了芯片制造生产用切割装置的使用体验，有效解决了目前市场上芯片制造生产用切割装置效率低下，且自身结构复杂，维护较为不便的问题。
一种芯片制造生产切割装置

[发明专利]一种面向长时间存储的闪存可靠性测试、预测方法-CN202310182421.X在审
发明人：刘政林;潘玉茜;于润泽;汪钊旭 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本发明提供的面向长时间存储的闪存可靠性测试方法，基于3D NAND闪存可靠性机制设计能够更好地模拟闪存芯片在长时间存储场景下的可靠性下降过程，考虑自修复效应与阈值电压抖动对测试结果的影响，由于闪存芯片在短时间内错误数的波动较大，因此将其静置预设时间，从而提高测试结果的精度，使测试结果更贴近芯片的实际可靠性。本发明提供的面向长时间存储的闪存可靠性预测方法，以相同制造工艺为基准，在制造工艺相同的多个不同型号芯片测试数据的基础上建立可靠性预测模型，模型具有更好的泛化能力，从而实现对相同制造工艺下的闪存芯片的可靠性预测
一种面向长时间存储闪存可靠性测试预测方法

[发明专利]一种基于工艺偏差的芯片密钥产生方法及其电路-CN201310736883.8有效
发明人：敖海;李伟;敖钢 -专利权人：敖海
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于工艺偏差的芯片密钥生成方法，包括设于芯片内的密钥生成阵列，所述密钥生成阵列包括m行×n列个密钥生成单元，其中m、n为大于2的整数；所述密钥生成单元包括两个电阻，以及分别与该两个电阻连接的电阻阻值检测电路；所述两个电阻的类型相同，且由相同的生产工艺制造。本发明还公开了该芯片密钥生产的电路。集成电路芯片制造过程中存在工艺偏差，类型、图形和尺寸完全相同的电阻在被制造出来后其阻值存在一定的随机偏差。本发明使芯片自身产生并存储密钥，且该密钥具有随机性和不可复制性，可降低相关应用的成本以及增强加密的安全性。
一种基于工艺偏差芯片密钥产生方法及其电路

[发明专利]四方形平面无管脚式半导体封装结构及制造方法-CN02122871.X有效
发明人：陈南璋;江文荣;黄建屏;何宗达 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2002-06-18 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：一种四方形平面无管脚式半导体封装结构及制造方法，它适用于封装一中央焊垫型半导体芯片；该中央焊垫型半导体芯片具有一电路面和一非电路面，且其电路面的中央配置有至少一列焊垫。此半导体封装结构及制造方法的特点在于采用一特殊设计的导线架，其包括若干个管脚、一芯片支撑兼接地架构、和至少一接地翼片；其中该接地翼片是电性连接至该芯片支撑兼接地架构。于封装胶体制造过程完成之后，所封装的导线架上的接地翼片是外露于封装胶体的底面，可借由表面贴装技术而贴装至印刷电路板的接地面板上，以增加所封装的芯片的接地效果及操作电性。
方形平面管脚半导体封装结构制造方法

[发明专利]一种提高LED芯片制造精度的方法-CN201110386625.2无效
发明人：汪洋;郝茂盛 -专利权人：上海蓝光科技有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种提高LED芯片制造精度的方法，该方法在蓝宝石衬底上生长GaN外延层后，对LED晶片边缘伴随生长产生的外延层GaN突起进行斜角研磨以实现整体厚度一致的LED晶片，在接触式曝光工艺、蓝宝石背面减薄工艺及制造垂直结构GaN基LED芯片的晶片键合工艺中，使LED晶片中心和边缘均与光刻板、陶瓷衬底板、转移衬底硅片实现无缝接触。有效避免接触式曝光由于接触不良引起的曝光线条粗细一致性的问题，提高了曝光精度；有效避免蓝宝石背面减薄过程中LED晶片薄片中心与边缘厚度不一致，提高蓝宝石背面减薄精度和最终芯片厚度精度；提高制造垂直结构GaN基LED芯片的键合精度，以提高垂直结构GaN基LED芯片的制备良率。
一种提高 led 芯片制造精度方法

[发明专利]凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法-CN201010186373.4有效
发明人：臧松干;王鹏飞;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法。凹陷型的沟道结构使得晶体管在减小漏电流的同时增大了驱动电流，也就是在降低芯片功耗的同时提高了芯片的性能。采用本发明的凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法，工艺过程简单，效率高，降低了生产成本。
凹陷沟道 pnpn 场效应晶体管制造方法

[发明专利]芯片单元制造方法、芯片单元、电子装置及晶圆切割方法-CN202310226693.5在审
发明人：卢建 -专利权人：上海伏达半导体有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提出一种芯片单元制造方法、芯片单元、电子装置及晶圆切割方法，涉及芯片制造领域。包括：提供一晶圆，所述晶圆上包括多个芯片制造区域和切割道，所述多个芯片制造区域之间由切割道间隔开；进行芯片制造工艺，以在所述多个芯片制造区域上分别形成芯片；进行切割工艺，所述切割工艺将至少两个相邻的芯片切割为一个芯片单元可减小芯片单元的占板面积，提高电子装置的功率密度；且互连线较短，可减小由互连线引起的寄生，而提高芯片性能。另外还可节省封装工艺、减少封装材料，因此也可降低成本，同时还可减小由封装引起的寄生，而提高芯片性能。
芯片单元制造方法电子装置切割

[发明专利]一种可以用于红外接收头上的屏蔽罩的制造方法-CN202110323402.5在审
发明人：张永兵;傅文斌 -专利权人：深圳市永裕光电有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开了一种可以用于红外接收头上的屏蔽罩的制造方法，它涉及光电器件技术领域。在基板上绑定芯片，对芯片进行键合，根据芯片的位置，设计模造模具，在模造封装后，胶体上预留有屏蔽罩形状的凹形碗杯，采用此模具进行一次模造；对模造后的封装体上的屏蔽罩形状的凹形碗杯采用点胶工艺，使用具有导电功能的液体胶水填充屏蔽罩形状的凹形碗杯本发明方法合理，制造容易，制造过程不会对芯片和键合产生机械外力的影响，性能稳定，提升产品质量，提高生产效率，应用前景广阔。
一种可以用于红外接收屏蔽制造方法