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[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201710636270.5在审
发明人：吴绍飞 -专利权人：吴绍飞
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)、势垒层(4)、介质层(13)；势垒层(4)顶端两侧分别为源极(10)和漏极(12)，中间为栅极(11)，势垒层(4)上依次增加有辅沟道层(5)、缓变势垒层(6)、高势垒层(7)、隔离沟道层(8)和隔离势垒层(9)；栅极(11)位于势垒层与隔离势垒层之间的凹槽(14)中，栅极的两侧及底部设有介质层(13)。隔离势垒层与隔离沟道层界面上，缓变势垒层与辅沟道层界面上，势垒层和主沟道层界面上分别形成有二维电子气2DEG。本发明可避免高场应力下的电流崩塌，降低源漏极欧姆接触电阻，可用作高温高频高可靠大功率器件。
势垒层隔离势垒层高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻隔离沟道层缓变势垒层电流崩塌辅沟道层主沟道层介质层源漏极大功率器件二维电子气高势垒层成核层高可靠衬底高场可用漏极源极

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201710884530.0在审
发明人：刘梅 -专利权人：南京誉凯电子科技有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)、势垒层(4)、介质层(13)；势垒层(4)顶端两侧分别为源极(10)和漏极(12)，中间为栅极(11)，势垒层(4)上依次增加有辅沟道层(5)、缓变势垒层(6)、高势垒层(7)、隔离沟道层(8)和隔离势垒层(9)；栅极(11)位于势垒层与隔离势垒层之间的凹槽(14)中，栅极的两侧及底部设有介质层(13)。隔离势垒层与隔离沟道层界面上，缓变势垒层与辅沟道层界面上，势垒层和主沟道层界面上分别形成有二维电子气2DEG。本发明可避免高场应力下的电流崩塌，降低源漏极欧姆接触电阻，可用作高温高频高可靠大功率器件。
势垒层隔离势垒层高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻隔离沟道层缓变势垒层电流崩塌辅沟道层主沟道层介质层源漏极大功率器件二维电子气高势垒层成核层高可靠衬底高场可用漏极源极

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201110001515.X有效
发明人：张进成;付小凡;郝跃;马晓华;王冲;陈珂;马俊彩;刘子扬;林志宇;张凯 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2011-01-06 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)、势垒层(4)、介质层(13)；势垒层(4)顶端两侧分别为源极(10)和漏极(12)，中间为栅极(11)，势垒层(4)上依次增加有辅沟道层(5)、缓变势垒层(6)、高势垒层(7)、隔离沟道层(8)和隔离势垒层(9)；栅极(11)位于势垒层与隔离势垒层之间的凹槽(14)中，栅极的两侧及底部设有介质层(13)。隔离势垒层与隔离沟道层界面上，缓变势垒层与辅沟道层界面上，势垒层和主沟道层界面上分别形成有二维电子气2DEG。本发明可避免高场应力下的电流崩塌，降低源漏极欧姆接触电阻，可用作高温高频高可靠大功率器件。
电子迁移率晶体管

[发明专利]一种基于MgZnO/ZnO的高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN201811574782.4在审
发明人：刘利书;冯宇翔 -专利权人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L29/22 文献下载
摘要：所述高电子迁移率晶体管包括：自下而上设置的衬底、ZnO沟道层、MgZnO缓变势垒层、掺杂的势垒层和介电层；以及，在所述ZnO沟道层与所述MgZnO缓变势垒层之间的二维电子气体；位于所述介电层表面的源极和漏极；位于所述源极和漏极之间，并贯穿所述介电层、且底部嵌入所述掺杂的势垒层的栅极。
一种基于 mgzno zno 电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]一种具有缓变Al组分的准垂直二极管及其制作方法-CN202310782800.2在审
发明人：白俊春;程斌;汪福进;贾永 -专利权人：上海格晶半导体有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有缓变Al组分的准垂直二极管及其制作方法，准垂直二极管包括衬底层、缓冲层、若干异质结层、传输层、漂移层、阴极和阳级；异质结层包括势垒层和沟道层，势垒层为n型掺杂缓变Al组分的AlGaN势垒层，沟道层为GaN薄层；在本发明所制备的超晶格结构实现传输层电阻下降的准垂直二极管中，传输层下表面与周期性出现的多沟道异质结直接接触，通过多沟道异质结所带来的形成的多个并联二维电子气通路，进而使材料方阻显著降低，降低所制备器件的导通电阻，提高电流驱动能力；在本发明所制备的超晶格结构中势垒层为n型掺杂的具有缓变Al组分的AlGaN材料，降低不同沟道之间的势垒高度，提高各沟道中2DEG的连通性。
一种具有 al 组分垂直二极管及其制作方法

[发明专利]InGaAs材料MSM结构光电混频探测器-CN201710751690.8在审
发明人：孙剑峰;李献杰;郜键;王骐 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：本发明所包括的像元采用64×64阵列式排布，每个像元包括衬底、缓冲层、吸收层、缓变层、势垒增强层和叉指电极；衬底上依次设置缓冲层、吸收层、缓变层、势垒增强层和叉指电极，吸收层的材料为InGaAs；每个像元的长和宽均为
ingaas 材料 msm 结构光电混频探测器

[发明专利]一种InAs/Alx-CN202111164439.4在审
发明人：陈意桥;于天;陈超;张国祯;傅祥良 -专利权人：苏州焜原光电有限公司
申请日： 2021-10-01 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种InAs/AlxGa1‑xSb缓变超晶格过渡层、具有缓变过渡层的InAs/GaSb势垒型红外探测器及生长方法，其中缓变超晶格过渡层由多个超晶格原胞重复堆叠N个周期形成，超晶格原胞包括InAs层，第一InAsxSb1‑x层，AlxGa1‑xSb层，第二InAsxSb1‑x层，相邻超晶格原胞对应层的厚度、AlxGa1‑xSb组分单调渐变，采用本发明结构的缓变超晶格过渡层及势垒型红外探测器，使过渡层的能带结构过渡平滑，消除因材料参数突变而产生的带阶，提高器件载流子输运性能与量子效率。
一种 inas al base sub

[发明专利]一种用于提升线性度的GaN HEMT器件及其制备方法-CN202210827102.5在审
发明人：宓珉瀚;马晓华;杜翔;王鹏飞;周雨威;安思瑞;龚灿;张濛;朱青;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于提升线性度的GaN HEMT器件及其制备方法，器件包括：衬底层；GaN缓冲层，设置在所述衬底层上；背靠背势垒层，设置在所述GaN缓冲层上，所述背靠背势垒层中的Al组分自上而下由x递增到y、再由y递减到0；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极的部分深度分别位于所述GaN缓冲层两端的内部；钝化层，所述钝化层设置在所述背靠背势垒层上；栅电极，所述栅电极设置在栅电极区域的所述背靠背势垒层上本发明所提供的新型缓变势垒GaN HEMT器件该新型结构跨导平坦度较常规结构有明显改善，线性度得到提升。此外，较单一渐变Al组分势垒结构，该新型结构栅下电场的分布更加平坦。
一种用于提升线性 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构-CN200510088979.3无效
发明人：李海鸥;尹军舰;张海英;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-08-04 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L29/201 文献下载
摘要：一种铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，其采用铟镓磷/铟铝砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，应用缓变生长技术生长线性缓变铟铝镓砷外延层作为缓冲层，然后在缓冲层上顺序生长：铟铝砷层、铟镓砷层、铟铝砷层、平面掺杂层、铟铝砷层、应变铟镓磷层、铟镓砷层；其中，第九层铟镓砷外延层作为帽层，第八层应变铟镓磷层外延层作为耗尽型的势垒层，第七层铟铝砷外延层作为增强型的势垒层，第五层铟铝砷外延层作为隔离层，第四层铟镓砷作为沟道层。
铟镓磷增强耗尽应变电子迁移率晶体管材料结构

[发明专利]阻变存储器及其制备方法-CN202011413926.5在审
发明人：许晓欣;李晓燕;董大年;余杰;吕杭炳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种阻变存储器及其制备方法，其中阻变存储器包括：阻变层、上电极和势垒结构，阻变层设置于衬底上；上电极设置于阻变层上；势垒结构设置于阻变层和上电极之间，用于在器件执行擦除操作时，电子从势垒结构的导带通过，避免阻变层形成缺陷，造成阻变层的反向击穿。通过在阻变层和上电极之间增加一层非完全配比的氧化层作为势垒结构，在该器件的擦除操作过程中，当施加的擦除电压逐渐增大时，阻变层的导带能级会与该氧化层的导带能级拉平，电子从势垒结构的导带中通过，避免了阻变层中形成过多的缺陷
存储器及其制备方法

[发明专利]发光二极管及显示面板-CN202111250697.4有效
发明人：谷鹏军 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管及显示面板，该发光二极管至少包括N型半导体层、P型半导体层和有源层，该有源层形成于所述N型半导体层与所述P型半导体层之间，所述有源层包括多个量子阱层和多个垒层，各所述量子阱和各所述垒层交替堆叠，其中，至少一层所述垒层为变势垒层，所述变势垒层沿所述N型半导体层至所述P型半导体层的方向，所述变势垒层的局部或全部的势垒高度由高变低。本发明，通过在有源层设置变势垒层，通过使变势垒层的势垒高度沿N型半导体层至P型半导体层的方向局部或全部由高变低，有利于增强有源层对电子的限制能力，减少电子在有源层外的复合，增加电子和空穴在有源区的复合几率
发光二极管显示面板

[发明专利]具有肖特基势垒结构的阻变存储单元及其形成方法-CN201310209915.9无效
发明人：吴华强;吴明昊;白越;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提出一种具有肖特基势垒结构的阻变存储单元及其形成方法，其中该阻变存储单元包括：下电极；形成在下电极之上的阻变层；形成在阻变层之上的中间金属层；形成在中间金属层之上的半导体材料层；以及形成在半导体材料层上的上电极，其中，中间金属层与半导体材料层形成肖特基势垒结构。本发明的具有肖特基势垒结构的阻变存储单元具有结构简单，限流效果好的优点，本发明的具有肖特基势垒结构的阻变存储单元及其形成方法具有简单易行，工艺兼容的优点。
具有肖特基势垒结构存储单元及其形成方法

[实用新型]一种势垒高度可调的肖特基二极管-CN201820838309.1有效
发明人：姚伟明;金银萍;陆阳 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种势垒高度可调的肖特基二极管，包括N型重掺杂衬底，所述N型重掺杂衬底正面生长有N型轻掺杂外延层，背面设有背面金属层，所述N型轻掺杂外延层的主表面设有变掺杂层，所述变掺杂层的主表面设有势垒金属硅化物层，且势垒金属硅化物层构成肖特基势垒，所述势垒金属硅化物层正面设有正面金属层。本实用新型能够在不改变势垒金属的条件下获得不同势垒高度，并且势垒高度调节具有连续性，能够满足多样化的市场需求，有利于批量生产不同结温特性的肖特基芯片势垒二极管芯片。
势垒势垒金属硅化物肖特基二极管本实用新型高度可调掺杂层外延层主表面背面金属层二极管芯片肖特基势垒正面金属层衬底正面高度调节势垒金属市场需求肖特基衬底结温背面芯片生长生产

[发明专利]基于锗的量子阱器件-CN201080060555.5有效
发明人： R·皮尔拉瑞斯帝;B-Y·金;B·楚-昆古;M·V·梅茨;J·T·卡瓦利罗斯;M·拉多萨佛杰维科;R·科托尔亚;W·瑞驰梅迪;N·穆克赫吉;G·德威;R·乔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：含硅的蚀刻停止层提供栅电介质接近沟道的容易放置。III-V族势垒层对沟道增加应变。沟道区之上和之下的缓变硅锗层改进了性能。多种栅电介质材料允许使用高k值栅电介质。
基于量子器件

[发明专利]阻变型随机存储单元及存储器-CN201110026944.2有效
发明人：霍宗亮;刘明;张满红;王艳花;龙世兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：该存储单元由上电极、阻变功能层、中间电极、非对称隧穿势垒层和下电极构成，其中上电极、阻变功能层和中间电极构成阻变存储部分，中间电极、非对称隧穿势垒层和下电极构成选通功能部分，阻变存储部分和选通功能部分共用中间电极，选通功能部分可以位于阻变存储部分的上方或下方；非对称隧穿势垒层由至少两种势垒高度存在差异的材料构成，以实现对穿过阻变型随机存储单元的正、反向隧穿电流的整流调制。本发明引入非对称隧穿势垒层用于整流，从而实现电阻单元的选通操作。同时，由于非对称隧穿势垒层不用掺杂，不用高温退火，并且厚度较薄，因此有利于实现阻变型随机存储器进行三维高密度集成。
变型随机存储单元存储器

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