专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种多层梯度结构软质防弹衣及其制备方法-CN202310683543.7在审
  • 巩娜娟;于天;谭嘉怡;付珊珊;孙左;王奇聪 - 上海斯瑞科技有限公司
  • 2023-06-09 - 2023-08-29 - F41H1/02
  • 本发明涉及防弹复合材料领域,提供一种多层梯度结构软质防弹衣,包括:防弹层、以及与防弹层配合使用的减背凸层;其中,防弹层包括:若干层依次叠层设置的第一复合布,每一第一复合布均包括:若干层依次设置的第二复合布;第一复合布的面密度自防弹层远离减背凸层的一侧向防弹层靠近减背凸层的一侧递减;本发明的防弹层由不同层数的第二复合布组成,防弹层自迎弹面起的各层第一复合布,其面密度递减,面密度大且防弹性能强的第一复合布放在迎弹面前部,可减少子弹穿透的比率,面密度越小的第一复合布柔软性越好,将面密度较小的第一复合布放在贴身面,起间接分散弹丸动能的作用,同时,增加防弹衣的柔软度,使其更贴合身体生理曲线。
  • 一种多层梯度结构防弹衣及其制备方法
  • [发明专利]一种AlGaAsSb虚拟衬底及半导体制备方法-CN202310607567.4在审
  • 陈星佑;陈意桥;于天 - 苏州焜原光电有限公司
  • 2023-05-26 - 2023-08-25 - H01L31/0352
  • 本发明涉及一种AlGaAsSb虚拟衬底及半导体制备方法,所述虚拟衬底位于GaAs衬底与周期性材料层之间,所述周期性材料层为交替生长的InAs材料和GaSb材料;所述虚拟衬底的晶格常数d=(d1*x+d2*y)/(x+y),其中,x为单个周期中InAs材料层的厚度,y为单个周期中GaSb材料层的厚度,d1为InAs材料的晶格常数,d2为GaSb晶格常数;所述虚拟衬底为Al、Ga、As或Sb元素组成的合金材料。其只要通过目标结构单一周期中InAs和GaSb各自的厚度就可以精确得到所需AlGaAsSb虚拟衬底的晶格常数,避免失配型缺陷的引入,同时又保证整个结构满足在较高的温度下生长的需求,保障了晶体质量,提升光电器件性能。
  • 一种algaassb虚拟衬底半导体制备方法
  • [发明专利]一种InAs基InGaAs/InAsSb超晶格nBn型红外探测器材料-CN202211612146.2在审
  • 陈意桥;于天;周浩 - 苏州焜原光电有限公司
  • 2022-12-15 - 2023-01-17 - H01L31/0304
  • 本发明属于半导体材料领域,具体涉及一种InAs基InGaAs/InAsSb超晶格nBn型红外探测器材料。该红外探测器材料包括依次设置的InAs缓冲层、下接触层、吸收层、势垒层、过渡层和上接触层;所述下接触层和上接触层采用N型InxGa1‑xAs/InAsySb1‑y超晶格材料,所述吸收层和过渡层采用非故意掺杂InxGa1‑xAs/InAsySb1‑y超晶格材料。本发明能够用更薄的超晶格周期厚度达到相同的红外吸收截止波长,从而获得更高的量子效率和探测器性能;能够通过超晶格材料中各自组分来调控红外吸收截止波长,为该结构增加了额外的调节维度,极大提高了结构设计与外延生长方面的灵活性。
  • 一种inasingaasinassb晶格nbn红外探测器材料

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