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[发明专利]多维栅控高线性N面GaN基射频功率器件及其制备方法-CN202310729525.8在审
发明人：宓珉瀚;温馨怡;周雨威;龚灿;王鹏飞;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种多维栅控高线性N面GaN基射频功率器件及其制备方法，包括：衬底，依次设置于衬底上的缓冲层、势垒层和沟道层；源极和漏极，位于沟道层上，源极和漏极间隔设置；氮化硅层，位于沟道层上，且位于源极和漏极之间，氮化硅层包括栅脚区域，栅脚区域暴露出沟道层；沟道阵列结构，沟道阵列结构的投影位于栅脚区域，沟道阵列结构包括多个间隔排布的刻蚀部分，刻蚀部分由刻蚀掉至少部分沟道层形成，或由刻蚀掉沟道层和至少部分势垒层形成；沿垂直于衬底的方向，刻蚀部分的投影为矩形或梯形；栅极，覆盖于沟道阵列结构上、以及部分氮化硅层上。本发明能够提供高频、高线性N面GaN基Fin/Fin‑like HEMT器件。
多维栅控高线性 gan 射频功率器件及其制备方法

[发明专利]基于无掩膜再生长低阻延伸层的HEMT器件制备方法-CN202310737736.6在审
发明人：宓珉瀚;温馨怡;周雨威;龚灿;王鹏飞;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于无掩膜再生长低阻延伸层的HEMT器件制备方法，包括：在衬底上外延生长N面GaN/AlGaN异质结结构；在所述N面GaN/AlGaN异质结结构的表面定义HEMT器件的源区和漏区并形成源区沟槽和漏区沟槽；低温外延生长n+GaN材料或n+InGaN材料，形成无掩膜再生长低阻延伸层；制作器件隔离区；形成源电极和漏电极；形成钝化层；形成栅极凹槽；表面沉积介质层；基于所述栅极凹槽制作浮空T型栅，得到制备完成的HEMT器件。本发明制备出的HEMT器件能够用于6G太赫兹频段。
基于无掩膜再生长低阻延伸 hemt 器件制备方法

[发明专利]一种基于原位SiNx的GaN HEMT器件及其制备方法-CN202310330757.6在审
发明人：宓珉瀚;马晓华;李晗溱;龚灿;周雨威;王鹏飞 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于原位SiNx的GaN HEMT器件及其制备方法，包括：衬底，以及依次设置于衬底上的GaN缓冲层、高极化强度薄势垒层、原位SiNx层；隔离区，位于器件两端，并贯穿原位SiNx层和高极化强度薄势垒层，直至部分GaN缓冲层内；钝化层，位于隔离区和原位SiNx层上；源、漏电极，位于靠近隔离区的器件两端，并贯穿钝化层直至部分原位SiNx层内；其中，源、漏电极在退火过程中下渗，直至部分GaN缓冲层内；T型栅电极，贯穿钝化层和原位SiNx层，直至高极化强度薄势垒层的上表面，以及位于部分钝化层上。本发明可以低成本实现低欧姆接触电阻，并设计制备高频GaN HEMT器件，满足5G及6G应用要求。
一种基于原位 sinx gan hemt 器件及其制备方法

[实用新型]一种双铰链超塑成形真空炉炉门装置-CN202221804330.2有效
发明人：袁傲明;周英丽;李运硕;刘晨枫;周雨威;熊成悦;张景泉;孙燕 -专利权人：北京机科国创轻量化科学研究院有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： F27D1/18 文献下载
摘要：一种双铰链超塑成形真空炉炉门装置，包括炉门本体，连接炉门与炉体的双铰链，炉门锁紧装置和位于炉门周圈的O型密封圈。炉门铰链包括调整板、炉体铰座、铰链、炉门轴、铰链连接块、连接销、炉门铰座。炉体铰座与铰链之间有调整板，调节调整板厚度改变炉门平面及倾斜角度。炉门可绕炉门轴转动，便于开合。连接销连接炉门铰座和铰链连接块，调节连接销保证炉门与炉体之间平面度，改善密封性。炉门内置循环水冷层，有效避免炉门表面温度过高。炉门锁紧为手板式锁扣和锁钩连接装置，简化了炉门开合操作，炉门周圈具有O型密封圈，炉门锁紧时可保证其具有良好密封性。
一种铰链塑成真空炉炉门装置

[发明专利]一种组合式防护装置及轮式起重机-CN202211726613.4在审
发明人：崔书文;张存刚;曲博野;周雨威;贾晓杰 -专利权人：徐州重型机械有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B66C23/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种组合式防护装置及轮式起重机。组合式防护装置包括防护梁、安装支座和若干T型螺栓，防护梁的后侧壁上沿长度方向设置有两条平行的贯穿后侧壁整个长度的T型滑槽，T型螺栓可以装配到T型滑槽上的任意位置，安装支座一端设置有第一安装孔，第一安装孔可通过T型螺栓和T型滑槽与防护梁连接，安装支座的另一端设置有第二安装孔，第二安装孔可通过销轴与车架连接。本发明可沿滑槽在任意位置布置安装支座，能适应不同安装点安装要求，解决安装点不同导致的防护梁规格种类过多问题。同时，根据安装点位置及承载情况，可沿防护梁长度方向在任意位置安装加强支架，从而提高防护装置的强度及抵抗变形的能力。
一种组合式防护装置轮式起重机

[发明专利]一种通过渐变栅实现多阈值调制技术的HEMT器件及制备方法-CN202110769588.7有效
发明人：马晓华;刘思佳;宓珉瀚;王鹏飞;张濛;侯斌;杨凌;周雨威 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过渐变栅实现多阈值调制技术的HEMT器件及制备方法，该HEMT器件包括衬底层(1)；插入层(2)，位于所述衬底层(1)上；缓冲层(3)，位于所述插入层(2)上；源电极(4)，位于所述缓冲层(3)的一端；漏电极(5)，位于所述缓冲层(3)的另一端；势垒层(6)，位于所述缓冲层(3)上，且位于所述源电极(4)和所述漏电极(5)之间；钝化层(7)，覆盖在所述源电极(4)、所述漏电极(5)和所述势垒层(6)上；栅电极(8)，位于所述势垒层(6)的表面和所述钝化层(7)的表面，其中，所述栅电极(8)的栅脚(81)贯穿所述钝化层(7)，且所述栅脚(81)采用沿栅宽方向栅长渐变的渐变栅结构。该HEMT器件的线性度得到了改善，实现了高线性HEMT器件，满足了高频、高线性的应用需求。
一种通过渐变实现阈值调制技术 hemt 器件制备方法

[发明专利]一种高频高线性GaN HEMT器件及制备方法-CN202210895598.X在审
发明人：马晓华;王鹏飞;宓珉瀚;陈治宏;安思瑞;周雨威;龚灿;杜翔;梁宁;窦娟 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频高线性GaN HEMT器件及制备方法，GaN HEMT器件包括：衬底层、缓冲层、势垒层、牺牲层、源电极、漏电极和栅电极，栅电极包括栅脚和栅帽，栅脚的底端部分位于势垒层上且位于牺牲层中间，底端部分靠近漏电极的侧面与势垒层的表面之间形成第一倾斜角，且栅脚底部的长度小于栅脚顶部的长度；栅帽位于栅脚的顶部表面。该高频高线性GaN HEMT器件形成倾斜栅场板结合浮空T型栅的栅电极结构，可以通过栅场板抑制栅下峰值电场，缓解饱和载流子在高场的下降速度，进而提升高频毫米波器件线性度特性，有效缓解了超高频器件随着栅长减小，器件的跨导轮廓在较高栅压下急剧下降，进而影响器件线性度的问题，满足了W波段及更高频率以上的应用需求。
一种高频线性 gan hemt 器件制备方法

[发明专利]基于自对准技术的GaN基毫米波功率器件及其制备方法-CN202110262423.0有效
发明人：马晓华;宓珉瀚;周雨威;刘文良;韩雨彤;张濛;侯斌;祝杰杰 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于自对准技术的GaN基毫米波功率器件及其制备方法，该方法包括：S1：在衬底上生长GaN基异质结；S2：在GaN基异质结上生长n+GaN帽层；S3：利用离子注入设备，在器件的两侧形成隔离区；S4：在欧姆区域的n+GaN帽层上淀积金属，形成源极和漏极；S5：在源极和漏极之外的区域淀积钝化层；S6：采用干法刻蚀工艺对栅极区域的钝化层进行刻蚀，形成凹槽；S7：采用干法刻蚀工艺对凹槽下方的n+GaN帽层进行自终止刻蚀，形成栅极凹槽；S8：在栅极凹槽侧壁淀积绝缘层，并在具有绝缘层的栅极凹槽淀积金属形成栅极。本发明的制备方法，与常规自对准工艺制备方法相比，避免了制备难度高、工艺复杂的MBE欧姆再生长环节，使得制备工艺更加简化。
基于对准技术 gan 毫米波功率器件及其制备方法

[发明专利]一种浮空T型栅及其制备方法-CN202210868730.8在审
发明人：宓珉瀚;马晓华;王鹏飞;陈治宏;周雨威;安思瑞;龚灿;张濛;杜翔 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种浮空T型栅及其制备方法，浮空T型栅包括，晶圆片、刻蚀牺牲层、栅脚、微型栅场板和栅帽。刻蚀牺牲层位于晶圆片上；刻蚀牺牲层中设置有栅脚凹槽，栅脚位于栅脚凹槽中。微型栅场板位于刻蚀牺牲层和栅脚上；栅帽位于微型栅场板上。本发明结合了电子束光刻与步进式光刻工艺，解决了多层光刻胶之间的互溶问题，提高了器件制备效率；采用蓝膜剥离工艺，有效解决留在金属蒸镀后，剥离过程中，由金属粘连造成的栅条坍塌问题，提高目前主流浮空T型栅技术的成品率；采用微型栅场板结构，明显提升了目前主流浮空T型栅结构在器件等比例缩小后导致的栅脚局部电场峰值剧增，击穿电压下降的问题。
一种及其制备方法

[发明专利]一种基于栅介质的双阈值耦合的HEMT器件及其制备方法-CN202210514712.X在审
发明人：宓珉瀚;杜翔;马晓华;周雨威;王鹏飞;龚灿;安思瑞;张濛;侯斌 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于栅介质的双阈值耦合的HEMT器件及其制备方法，方法包括：制备外延基片，外延基片由下而上依次包括衬底层、成核层、缓冲层和势垒层；在缓冲层上制作源电极和漏电极；在势垒层上制作有源区的电隔离区域；在源电极、漏电极和势垒层上生长介质层；在介质层的预设组合凹槽内制作栅电极，其中，栅电极位于源电极和漏电极之间，预设组合凹槽为由沿栅宽方向在介质层内呈间隔排列的多个凹槽组合而成；在金属互联开孔区的源电极和漏电极以及未开孔刻蚀的介质层上光刻金属互联区域，以蒸发形成金属互联层。本发明的势垒层完全被介质层保护，从而避免了刻蚀损伤带来的器件电学性能的退化。
一种基于介质阈值耦合 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]基于欧姆再生长的GaN基射频功率器件及其制备方法-CN202110225408.9有效
发明人：马晓华;周雨威;宓珉瀚;祝杰杰;韩雨彤;张濛;王鹏飞;侯斌;杨凌 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于欧姆再生长的GaN基射频功率器件及其制备方法，该方法包括：S1：在衬底上生长GaN基异质结；S2：采用干法刻蚀工艺对GaN基异质结的欧姆区域进行刻蚀，形成欧姆再生长区域以进行欧姆再生长；S3：在器件表面外延生长n+GaN层；S4：采用干法刻蚀工艺对n+GaN层进行自终止刻蚀，去除欧姆再生长区域之间的n+GaN层；S5：利用离子注入设备，在器件的两侧形成隔离区；S6：在n+GaN层上淀积金属，形成源极和漏极；S7：在器件表面形成钝化层；S8：采用干法刻蚀工艺对栅极区域的钝化层进行刻蚀，形成栅极凹槽，在栅极凹槽淀积金属形成栅极。本发明的制备方法，简化了欧姆再生长的制备工艺，同时延续了常规欧姆再生长技术的优势。
基于欧姆再生 gan 射频功率器件及其制备方法

[发明专利]一种用于提升线性度的GaN HEMT器件及其制备方法-CN202210827102.5在审
发明人：宓珉瀚;马晓华;杜翔;王鹏飞;周雨威;安思瑞;龚灿;张濛;朱青;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于提升线性度的GaN HEMT器件及其制备方法，器件包括：衬底层；GaN缓冲层，设置在所述衬底层上；背靠背势垒层，设置在所述GaN缓冲层上，所述背靠背势垒层中的Al组分自上而下由x递增到y、再由y递减到0；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极的部分深度分别位于所述GaN缓冲层两端的内部；钝化层，所述钝化层设置在所述背靠背势垒层上；栅电极，所述栅电极设置在栅电极区域的所述背靠背势垒层上。本发明所提供的新型缓变势垒GaN HEMT器件该新型结构跨导平坦度较常规结构有明显改善，线性度得到提升。此外，较单一渐变Al组分势垒结构，该新型结构栅下电场的分布更加平坦。故这一结构兼顾了较好的频率特性、击穿特性和优良的线性度。
一种用于提升线性 gan hemt 器件及其制备方法

[实用新型]一种半球零件超塑气胀成形模具-CN202122887349.X有效
发明人：刘晨枫;周英丽;齐飞;周雨威;张景泉;袁傲明;熊成悦;李东垚 -专利权人：北京机科国创轻量化科学研究院有限公司;莱州市融媒体中心
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： B21D26/031 文献下载
摘要：为减小半球零件超塑气胀成形的零件厚度差异，本实用新型提供一种半球零件超塑气胀成形模具，应用于热成形超塑成形设备中，模具分为动模(1)和静模(2)，结构简单实用，充分考虑超塑气胀成形造成半球零件顶部减薄严重的问题，在超塑气胀成形模具结构中设计合理的反向预成形环形型面(4)，使板料先反向预成形再正向成形，能够有效提高半球零件壁厚均匀度，使成形后的零件获得满足加工尺寸要求厚度差异的半球零件。
一种半球零件超塑气胀成形模具

[发明专利]一种基于非对称欧姆再生长区域的高线性GaN HEMT器件及其制备方法-CN202210205185.4在审
发明人：宓珉瀚;马晓华;龚灿;周雨威;王鹏飞;张濛;侯斌;杨凌 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非对称欧姆再生长区域的高线性GaN HEMT器件及其制备方法，采用高极化强度低方阻异质结材料进行器件制备；光刻定义出源极的欧姆再生长区域；在光刻胶的掩蔽下，对源极欧姆再生长区域的氮化物进行刻蚀；外延n+GaN；光刻定义出自终止刻蚀区域；在光刻胶的掩蔽下，对自终止刻蚀区域的n+GaN进行自终止刻蚀；对器件隔离区域再次进行自终止刻蚀以去除未被光刻胶保护区域的表面n+GaN。本发明制备的器件工作电压增加时，源极势垒高度发生降低、势垒厚度发生减薄使得源极再生长台阶(Ledge)与2DEG沟道间发生热电子转移或者隧穿等，使得源极导电通路增加，削弱了由于电流增加导致源极接入电阻的增加，使得GaN HEMT的线性度提升。
一种基于对称欧姆再生区域线性 gan hemt 器件及其制备方法

[实用新型]一种热态快速换模装置-CN202122887721.7有效
发明人：刘晨枫;袁傲明;周雨威;周英丽;齐飞;熊成悦;张景泉;李东垚 -专利权人：北京机科国创轻量化科学研究院有限公司;莱州市融媒体中心
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B21D37/14 文献下载
摘要：结合超塑成形设备加热平台技术特征，本实用新型提供一种热态快速换模装置，由上工艺垫板、下工艺垫板、上连接板、下连接板、压板等部分组成，上连接板和下连接板通过斜面定位板和凸面凹槽结构固定于上工艺垫板和下工艺垫板上，通过燕尾槽实现快速换模功能，用于超塑成形零件中不同尺寸规格模具的热态快速更换，可有效降低电能损耗、节约生产成本和提高生产效率。
一种快速装置

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