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[实用新型]半导体结构及半导体功率器件-CN202321026151.5有效
发明人： 刘利书 -专利权人：美垦半导体技术有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体结构及半导体功率器件，属于功率半导体技术领域。半导体结构包括金属层和多晶硅层，金属层包括沿第一方向依次间隔布置的第一金属层、第二金属层和第三金属层；多晶硅层位于金属层下方，多晶硅层包括多晶硅电阻层、第一多晶硅二极管层和第一隔离层。根据本申请的半导体结构，第一多晶硅二极管层用于形成泄流通道，在第二金属层电压异常时，通过击穿第一多晶硅二极管层实现电压释放，从而保护半导体结构；泄流通道靠近第二金属层保护效果更好，且第一多晶硅二极管层和多晶硅电阻层均为多晶硅，在制程工艺上可以兼容。
半导体结构功率器件

[实用新型]半导体器件-CN202321008011.5有效
发明人： 刘利书 -专利权人：美垦半导体技术有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件，属于功率半导体技术领域。半导体器件包括：第一导电类型的半导体衬底；多个栅极结构，位于半导体衬底上；第二导电类型的浮空区，位于半导体衬底上，且位于相邻两个栅极结构之间，第二导电类型与第一导电类型相反，在浮空区内，位于下方的第一部分的掺杂浓度大于位于上方的第二部分的掺杂浓度。通过设置浮空区的掺杂浓度为下方的第一部分大于上方的第二部分，从而将浮空区的空穴聚集在下方，使得空穴远离浮空区和栅极结构之间的电容，以此减少充电过程，进而减小位移电流，增强栅极结构对EMI和开启损耗的控制。
半导体器件

[发明专利]驱动电路和包括其的电器-CN202110604124.0有效
发明人： 刘利书 -专利权人：美的集团（上海）有限公司;广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本申请涉及一种驱动电路和包括其的电器。该驱动电路包括驱动模块、导流开关以及控制模块。驱动模块包括串联在第一电压和第二电压之间的上桥臂开关管和下桥臂开关管。导流开关连接第二电压和下桥臂开关管的控制端。控制模块连接下桥臂开关管的控制端，以发出控制信号至下桥臂开关管从而控制下桥臂开关管是否导通。控制模块被配置为在控制信号控制下桥臂开关管截止时，将导流开关切换至导通状态。
驱动电路包括电器

[发明专利]一种多输入保护电路、输入控制电路以及电子设备-CN201911342721.X有效
发明人： 刘利书;冯宇翔 -专利权人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种多输入保护电路、输入控制电路以及电子设备，其中，该多输入保护电路包括：第一输入端；第二输入端；信号处理电路，连接第一输入端和第二输入端，用于对第一输入端输入的信号和第二输入端输入的信号进行逻辑与处理，以得到驱动信号并输出至外部驱动电路；其中，保持第一输入端或第二输入端中的一个输入端输入至信号处理电路的信号为高电平信号，并采用另一个输入端作为控制信号接收端以接收输入的控制信号。通过上述方式，能够避免输入错误的信号导致电路故障，提高了电路的安全性和灵活性。
一种输入保护电路控制电路以及电子设备

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管、智能功率器件及电子产品-CN202010197931.0有效
发明人： 刘利书;冯宇翔 -专利权人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，具体涉及提供了一种绝缘栅双极型晶体管，包括栅极结构、N+发射极区、P型体区以及于所述P型体区、N+发射极区的部分相邻接触面上设置的势垒层，其中，所述势垒层覆盖所述N+发射极区的底面和/或所述N+发射极区远离所述栅极结构的侧面。通过在所述P型体区、N+发射极区的部分相邻接触面上设置势垒层，使得P型体区流向N+发射区的电子或空穴都被阻挡，防止PN结正偏。在横向、纵向上，从P型体区流动的电子或空穴被势垒层阻挡，远离了N+发射区，进一步防止了PN结正偏。综上可知，本申请能从横向和纵向上阻挡电子或空穴流向N+发射区，有效地增加IGBT的抗闩锁能力，同时保证了IGBT阈值电压和反向耐压基本不变。
绝缘栅双极型晶体管智能功率器件电子产品

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111260699.1在审
发明人： 刘利书 -专利权人：美垦半导体技术有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，所述半导体器件包括：第一导电类型的半导体衬底；多个栅极结构，位于所述第一导电类型的半导体衬底内；第二导电类型的浮空区，位于相邻两个栅极结构之间；其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；在所述第二导电类型的浮空区内，靠近所述栅极结构的部分的掺杂浓度小于远离所述栅极结构的部分的掺杂浓度。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体结构及绝缘栅双极型晶体管-CN202110968562.5在审
发明人： 刘利书 -专利权人：美垦半导体技术有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种半导体结构及绝缘栅双极型晶体管，所述半导体结构包括阻挡区、发射极、第一欧姆接触区、第一电压钳位结构和第一隔离介质区，其中，发射极位于阻挡区上方，第一欧姆接触区与发射极间隔设于阻挡区的上方，第一欧姆接触区与阻挡区相接触，第一电压钳位结构设于发射极和第一欧姆接触区之间，第一电压钳位结构包括相接触的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和发射极相接触，第二掺杂区和第一欧姆接触区相接触，并且，第一掺杂区和第二掺杂区的多数载流子的带电荷类型不同，第二掺杂区和阻挡区的多数载流子的带电荷类型相同，第一隔离介质区设于第一电压钳位结构和阻挡区之间。
半导体结构绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]功率器件-CN202111157803.4在审
发明人： 刘利书 -专利权人：美垦半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种功率器件。所述功率器件包括：第一控制电极、第二控制电极、第一电极和第二电极；其中，所述第一电极与所述第二电极之间具有半导体结构；所述第二控制电极用于在所述第一控制电极上的电压作用下，切换所述第一电极与所述第二电极之间的导通或截止状态。
功率器件

[发明专利]过流保护电路-CN202011402436.5有效
发明人： 刘利书 -专利权人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种过流保护电路。该过流保护电路包括电流侦测电路和反馈电路。电流侦测电路被配置为侦测电子器件的电流，并将侦测的电流通过采样电阻而转换成采样电压。采样电压通过第一节点输出。其中，采样电阻为连接电子器件的导线或电子器件内的导线所产生的寄生电阻。反馈电路连接电流侦测电路并且被配置为根据采样电压而产生相应的反馈信号，从而进行过流保护。
保护电路

[发明专利]放大器电路、芯片、家电设备-CN202110935357.9有效
发明人： 刘利书 -专利权人：美垦半导体技术有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种放大器电路、芯片、家电设备，其中，放大器电路包括一级放大模块、二级放大模块和电源提供模块，电源提供模块可以向一级放大模块中的第一差分输入管和第二差分输入管提供恒流源，还可以向二级放大模块中的第一PMOS管和第二PMOS管提供偏置电压和恒流源，以使得一级放大模块可以对输入的差分信号进行一级放大，再由二级放大模块进行二级放大。由此，本实施例中的放大器电路能够在增大电路增益的同时，兼顾电路的共模抑制范围。
放大器电路芯片家电设备

[发明专利]一种带隙基准电路及芯片-CN202011197796.6有效
发明人： 刘利书 -专利权人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本申请公开了一种带隙基准电路及芯片，该带隙基准电路包括：第一电流支路，包括连接于第一节点和第二节点之间的第一半导体器件；第二电流支路，包括串联于第三节点和第二节点之间的第一电阻和第二半导体器件；电流产生电路用于从第一节点和第三节点分别向第一电流支路和第二电流支路注入成比例设置的第一电流和第二电流；补偿电路用于从第一节点向第一电流支路注入第三电流，并调节第一节点和第三节点之间的电压平衡。本申请通过补偿电路向第一电流支路注入第三电流，调节第一节点和第三节点之间的电压平衡，降低失调电压对带隙基准电路输出的基准电压的影响，进一步提高带隙基准电路的精度。
一种基准电路芯片

[实用新型]一种圆桩孔孔壁塌落防护装置-CN202220589031.5有效
发明人：张林祥;钟胜程;陈波;王英森;雷川;艾华;姚利民;廖朋兴;邓鹏;刘利书;李四湖;蒲清炯 -专利权人：中铁二十二局集团第五工程有限公司;中铁二十二局集团有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： E02D17/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种圆桩孔孔壁塌落防护装置，涉及桩孔施工设备技术领域，其包括多块围绕形成钢护筒的弧板，所述弧板的上侧开设有滑槽，且所述滑槽贯穿两块弧板相互抵接的一侧；多个连通的所述滑槽内适配有至少两块芯板，至少两块所述芯板围绕形成筒状，且沿钢护筒径向，所述芯板至少同时设置于两个滑槽内。本实用新型具有改善现有技术中存在钢护筒的现场组装、使用效率较低，可能导致工期延误，使用效果不佳的问题的效果。
一种圆桩孔孔壁塌落防护装置

[发明专利]电器设备、电子器件及其保护电路-CN202011455418.3在审
发明人： 刘利书 -专利权人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种电器设备、电子器件及其保护电路。该保护电路包括：第一输入支路，采集用于保护电子器件的驱动信号；第二输入支路，采集电子器件的输入信号；处理电路，连接第一输入支路和第二输入支路，以根据驱动信号和输入信号而产生相应的控制信号，其中，驱动信号处于第一状态且输入信号均处于置零状态时，控制信号处于解除保护状态，以解除电子器件的保护。通过限定在保护状态下，当各输入信号置零且驱动信号处于第一状态时，处理电路输出的控制信号才将解除对电子器件的保护，因而本申请提供的保护电路能够有效避免因噪声信号等扰动导致的频繁启停电子器件。
电器设备电子器件及其保护电路

[发明专利]放大器电路、电子设备-CN202011406440.9在审
发明人： 刘利书 -专利权人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本申请涉及放大器技术领域，公开了一种放大器电路、电子设备，该放大器电路包括：推挽电路和放大电路，其中，推挽电路包括：第一晶体管、第二晶体管和电平移位电路，第一晶体管的第一端输入电源信号，第一晶体管的第二端用于输出；第二晶体管的第一端连接第一晶体管的第二端，第二晶体管的第二端接地；电平移位电路，电平移位电路的第一端连接第一晶体管的控制端，电平移位电路的第二端连接第二晶体管的控制端。放大电路连接第二晶体管的控制端，用于在输入信号的作用下产生放大信号，并将所述放大信号输入至所述第二晶体管的控制端。通过上述方式，能够提升放大器电路对输入信号处理的增益和放大速度。
放大器电路电子设备

[发明专利]滑坡坡底建筑物稳定性的整体加固结构及方法-CN202210354847.4在审
发明人：钟胜程;张林祥;陈波;雷川;艾华;王英森;蒲清炯;廖朋兴;邓鹏;刘利书;李四湖;朱仲;李宁;李星星;向宇凤;吴江富;吴雪超 -专利权人：中铁二十二局集团第五工程有限公司;中铁二十二局集团有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： E02D17/20 文献下载
摘要：本发明公开了滑坡坡底建筑物稳定性的整体加固结构及方法，包括建筑物、坡体、第一加固机构、第二加固机构和第三加固机构；包括以下步骤：步骤1：先将多个立杆固定在建筑物远离坡体的一侧，然后在多个立杆之间进行第一填充物的浇筑；步骤2：然后将承重板导入坡体的底部一定距离，然后将挡板和多个固定桩从坡体的顶部钻入坡体内；步骤3：再将底板将铺设在承重板和建筑物之间，然后将连接杆与垫板和挡板进行连接固定。步骤4：最后在支撑板和挡板之间进行第二填充物的填充。本发明通过第一加固机构、第二加固机构和第三加固机构的设置，使整体加固机构的支撑强度得到了提升，可以有效的对建筑物进行防护，从而有效保证了建筑物的安全性。
滑坡建筑物稳定性整体加固结构方法

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