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[发明专利]一种硅基无磷激光器及其制备方法-CN202010290079.1有效
发明人：欧欣;梁好;林家杰;游天桂;王庶民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本申请提供一种硅基无磷激光器及其制备方法，该方法包括：在InP衬底上生长InGaAs外延层；利用离子注入的方式在所述InGaAs外延层中注入离子形成损伤层；将所述InGaAs外延层与硅衬底键合；通过加热的方式将所述InGaAs外延层于所述损伤层处剥离，得到硅基InGaAs衬底；将所述硅基InGaAs衬底的顶层抛光后外延InGaAs缓冲层、超晶格位错阻挡层、腐蚀阻挡层以及激光器结构。本申请的硅基无磷激光器及其制备方法通过键合技术直接获得高质量的硅基InGaAs衬底，可以避免在硅衬底上直接外延生长III‑V族化合物所产生的的失配位错、缺陷、反相畴等影响后续材料外延生长质量的问题。
一种硅基无磷激光器及其制备方法

[发明专利]介质隔离集成电路外延片及其制备方法-CN200810232037.1无效
发明人：周鸣新 -专利权人：天水华天微电子股份有限公司
申请日： 2008-10-13 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明主要涉及介质隔离外延片及其制备方法。一种N型/P型介质隔离集成电路外延片，包括有衬底材料N型/P型单晶硅(1)，其上设有夹心氧化层(2)，其主要特点在于还包括有N型/P型硅外延层(6)，在硅外延层(6)内设有隐埋层(3)；其硅外延层(6)由二氧化硅(5)、多晶硅(4)和夹心氧化层(2)分隔为互相绝缘的隔离方块。本发明还公开了N型/P型介质隔离集成电路外延片的制备方法，包括有绝缘体上的硅SOI硅片制备，低阻隐埋层制备，外延，刻槽，二氧化硅、多晶硅生长，抛光。
介质隔离集成电路外延及其制备方法

[实用新型]一种高导通低漏电的肖特基芯片-CN201921868925.2有效
发明人：薛涛;关仕汉;迟晓丽 -专利权人：淄博汉林半导体有限公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：包括衬底，在衬底表面设置有外延层，在外延层中部形成肖特基界面（4），其特征在于：所述的外延层包括第一外延层和第二外延层，在肖特基界面（4）下部的第二外延层内间隔设置有多个第二单晶硅区（5），在每一个第二单晶硅区（5）的下方分别设置有第一单晶硅区（3），第二单晶硅区（5）的宽度大于其底部对应的第一单晶硅区（3）的宽度。在本高导通低漏电的肖特基芯片中，设置有两层外延层，并通过设置第一单晶硅区和第二单晶硅区，可以有效阻断反向电流，同时有效增大肖特基界面的面积，降低了正向导通的电阻，因此增大了正向导通电流。
一种高导通低漏电肖特基芯片

[发明专利]用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法-CN200710043618.6无效
发明人：王曦;孙佳胤;陈静;武爱民;欧欣 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料及其制备方法，其特征在于(1)所述的材料为绝缘体上的硅材料(SOI)或具有单晶硅－绝缘埋层－单晶硅的三层复合结构的衬底材料；(2)顶层的硅被刻蚀成一个个独立的硅岛；硅岛之间的最小距离要大于外延氮化镓厚度的两倍；且独立硅岛的中心区域下的衬底硅和绝缘埋层被全部刻蚀掉，而其它部分的衬底硅和绝缘埋层给予保留，从而独立硅岛的中心区域悬空，悬空面积S₂大于独立硅岛面积S₁的70％，而小于90％。本发明所得到的中心悬空的顶层硅岛为氮化镓外延生长提供了超薄衬底，能有效减少异质外延的应力，提高外延生长氮化镓的晶体质量。
用于氮化外延生长衬底材料制备方法

[发明专利]一种超薄硅片的制备方法、超薄硅片以及太阳能电池-CN202011603101.X在审
发明人：吴兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：其中，在硅衬底上可以形成缺陷层与外延层，且缺陷层在硅衬底与外延层之间，通过在硅衬底进行加热的方法，使得硅衬底和外延层的界面处形成热膨胀应力，热膨胀应力具有较好的应力均匀性，便于外延层的剥离，由于对硅衬底施加热膨胀应力降低了对外延层剥离的难度，因此，也降低了对缺陷层中缺陷密度的要求，缺陷层中较低的缺陷密度可有效提高缺陷层上外延层的质量；同时，对硅衬底施加的热膨胀应力也降低了对外延层进行剥离时施加应力的要求，避免了高应力对外延层的破坏，提高了超薄硅片制备的良率和效率
一种超薄硅片制备方法以及太阳能电池

[实用新型]晶体管-CN201621144357.8有效
发明人：顾广安 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所述晶体管包括外延层及衬底。所述衬底包括衬底本体及本征硅层。所述本征硅层铺设在所述衬底本体的上表面上。所述外延片包括外延层及衬底。所述衬底包括衬底本体及本征硅层。所述本征硅层铺设在所述衬底本体的上表面上。所述外延层铺设在所述本征硅层的上表面。本实用新型衬底通过在衬底本体的上表面设置本征硅层，可将衬底本体与外延层隔开，从而避免衬底本体与外延层之间产生自掺杂问题。因而，所述衬底能够防止衬底本体中的掺杂剂进入外延层，可提高外延层平坦区以改善电阻率均匀性。
晶体管

[发明专利]微机电系统用可动质量块的制造方法-CN201310632884.8在审
发明人：荆二荣;夏长奉 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种微机电系统用可动质量块的制造方法，其包括：提供具有正面和反面的单晶硅；在所述单晶硅的正面淀积牺牲层；在所述牺牲层上淀积多晶硅种子层；通过外延工艺在所述多晶硅种子层上生成多晶硅外延层；采用深硅刻蚀工艺自所述多晶硅外延层上表面有选择的刻蚀出贯穿多晶硅外延层和多晶硅种子层的释放孔，以定义出多晶硅质量块；经释放孔腐蚀去除所述多晶硅质量块周边的牺牲层，使所述多晶硅质量块释放成为可动结构。与现有技术相比，本发明中微机电系统用可动质量块的制造方法采用外延多晶硅工艺在单晶硅片上形成多晶硅层，以制得较大的多晶硅质量块，从而增加微机电系统器件的灵敏度，减小噪声干扰。
微机系统用可动质量制造方法

[发明专利]改善背面硅单晶的外延片的制备方法、外延片和半导体器件-CN201810722379.5有效
发明人：高璇;陈建纲 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善背面硅单晶的外延片的制备方法、外延片和半导体器件，方法为外延层生长前，首先在承载盘表面覆盖一层多晶硅，该层多晶硅将外延片背面边缘与承载盘之间的间隙密封起来，使外延层生长时氢气无法进入外延片背面边缘，从而减少外延片背面的硅单晶点。按照本发明技术方案生产的外延片，可以完全抑制外延片背面单晶硅点的生长。
改善背面硅单晶外延制备方法半导体器件

[发明专利]衬底结构及其制造方法-CN201410828203.X在审
发明人：钟汇才;罗军;赵超;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种衬底结构的制造方法，包括步骤：提供硅衬底；在硅衬底的表面上形成孔；在硅衬底上形成外延层，该外延层为III族或V族的半导体材料。本发明中，孔使得硅衬底表面的部分晶格发生变形，在其上形成不同族的外延层后，可以吸收部分由于晶格不匹配造成的应力，释放硅与外延层间的应力。
衬底结构及其制造方法

[发明专利]一种用于芯片级封装的肖特基芯片-CN201610075433.2在审
发明人：张瑞丽;周诗雨;徐林海;朱春生;黄力平 -专利权人：杭州立昂微电子股份有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于芯片级封装的肖特基芯片，该肖特基芯片包括：高掺杂的硅衬底；形成在高掺杂的硅衬底的前表面上的低掺杂的硅外延层；形成在该硅外延层上的肖特基电极、欧姆电极；形成在硅外延层上的用于隔离肖特基电极和欧姆电极的绝缘层；以及围绕肖特基电极的周边设置的保护环；其中硅衬底及硅外延层具有第一导电类型；保护环具有第二导电类型；肖特基电极包括形成在硅外延层的前表面上的肖特基势垒金属以及覆盖在势垒金属上的阳极金属；欧姆电极包括：若干贯穿硅外延层的沟槽、填充所述沟槽的沟槽填充物，以及形成在欧姆电极顶层的阴极联接金属。沟槽填充物具有第一导电类型，且与硅衬底前表面形成电联接。本发明通过将肖特基芯片的两个电极设置在硅外延层的同一主表面上，达到了芯片级封装要求封装器件具有近似半导体管芯的尺寸需求。
一种用于芯片级封装肖特基芯片

[实用新型]一种用于芯片级封装的肖特基芯片-CN201620108813.7有效
发明人：张瑞丽;周诗雨;徐林海;朱春生;黄力平 -专利权人：杭州立昂微电子股份有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于芯片级封装的肖特基芯片，该肖特基芯片包括：高掺杂的硅衬底；形成在高掺杂的硅衬底的前表面上的低掺杂的硅外延层；形成在该硅外延层上的肖特基电极、欧姆电极；形成在硅外延层上的用于隔离肖特基电极和欧姆电极的绝缘层；以及围绕肖特基电极的周边设置的保护环；其中硅衬底及硅外延层具有第一导电类型；保护环具有第二导电类型；肖特基电极包括形成在硅外延层的前表面上的肖特基势垒金属以及覆盖在势垒金属上的阳极金属；欧姆电极包括：若干贯穿硅外延层的沟槽、填充所述沟槽的沟槽填充物，以及形成在欧姆电极顶层的阴极联接金属。沟槽填充物具有第一导电类型，且与硅衬底前表面形成电联接。本实用新型通过将肖特基芯片的两个电极设置在硅外延层的同一主表面上，达到了芯片级封装要求封装器件具有近似半导体管芯的尺寸需求。
一种用于芯片级封装肖特基芯片

[发明专利]形成器件的方法和形成纳米线器件的方法-CN202111293250.5在审
发明人： K·J·库恩;S·金;R·里奥斯;S·M·赛亚;M·D·贾尔斯;A·卡佩尔拉尼;T·拉克什特;P·常;W·瑞驰梅迪 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：其中，形成器件的方法可包括：在衬底上形成外延硅锗；在所述外延硅锗上形成外延硅；对布置在所述外延硅锗上的所述外延硅布图以形成鳍结构；在所述鳍结构上方形成牺牲栅电极；在所述牺牲栅电极的侧壁附近以及所述鳍结构上方形成间隔物/漏极区去除所述鳍结构的半导体部分，然后在所述源极/漏极区上形成源极/漏极结构，其中所述源极/漏极区位于所述间隔物附近；从所述间隔物之间去除所述牺牲栅电极；以及从位于所述间隔物之间的所述鳍结构去除所述硅和所述外延硅锗中的一者
形成器件方法纳米

[发明专利]外延晶圆的制造方法-CN202180088195.8在审
发明人：铃木克佳 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延晶圆的制造方法，是在单晶硅晶圆上形成单晶硅层的外延晶圆的制造方法，包含以下工序：通过氢氟酸将所述单晶硅晶圆表面的自然氧化膜去除；在已去除所述自然氧化膜的所述单晶硅晶圆的表面形成氧原子层；以及在形成有所述氧原子层的所述单晶硅晶圆的表面上使所述单晶硅层外延生长，其中，使所述氧原子层的氧的平面浓度为1×1015atoms/cm2由此，提供一种能够将氧原子层稳定且简便地导入至外延层，且具有优质的单晶硅外延层的外延晶圆的制造方法。
外延制造方法

[发明专利]硅晶片的制造方法-CN200380102309.1有效
发明人：前田进;稻垣宏;川岛茂树;黑坂升荣;中村浩三 -专利权人：小松电子金属股份有限公司
申请日： 2003-10-31 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种硅晶片的制造方法，包括：硅结晶制造工序，以进入无外延缺陷区域(α2)内的方式，对硅结晶中的硼浓度和生长条件V/G进行控制，制造硅结晶，其中，所述无外延缺陷区域(α2)，是在硅晶片基板中无缺陷且在外延生长层中无缺陷的无缺陷区域，并且其将硅结晶中的硼浓度为1×10¹⁸atoms/cm³以上且随着硼浓度的上升而使生长速度V渐渐降低的线作为下限线(LN1)。另一种硅晶片的制造方法，以至少含有在硅晶片基板上出现OSF即氧化诱生层错缺陷且在外延生长层中出现缺陷的外延缺陷区域(β1)的方式，对硅结晶中的硼浓度和生长条件V/G进行控制的同时，以使OSF核不显现化为OSF的方式，控制硅结晶的热处理条件和硅结晶中的氧浓度。再另一种硅晶片的制造方法，以处于在硅晶片基板中出现空洞缺陷且在外延生长层中成无缺陷的无外延缺陷区域(α1)内的下限线(LN3)附近的方式，对硅结晶中的硼浓度和生长条件V/G进行控制，制造硅结晶。
晶片制造方法

[发明专利]一种3DNAND闪存结构中硅外延生长的工艺-CN201710727917.5在审
发明人：张坤;刘藩东;何佳;杨要华;吴林春;夏志良;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种3D NAND闪存结构中硅外延生长的工艺，包括沉积衬底堆叠结构；刻蚀衬底堆叠结构以形成沟道和衬底表面的硅槽；清洗所述沟道和硅槽；高温退火处理；硅外延生长预清洗；硅外延生长。通过高温退火处理，对刻蚀造成破坏的硅槽表面进行氧化，从而消除了沟道底部硅槽中的聚合物残留，同时也能够对遭到破坏的后续硅外延生长的表面产生一定的氧化修复作用，消除界面破坏和晶格缺陷；在高温退火处理之前增加湿法清洗的步骤，能够获得后续更好的氧化退火和界面修复的效果；本发明的工艺能够有效的对深沟道进行刻蚀，并避免氧化物的残留以及刻蚀破坏界面层的产生，从而提高硅外延生长高度的均匀性，并避免硅外延生长的空隙，提高3D NAND
一种 dnand 闪存结构外延生长工艺