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[发明专利]外延硅晶片的制造方法-CN201780080713.5有效
发明人：辻雅之;中村元宜 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种在不每次对工艺腔室进行清洗而对多个硅晶片连续进行单片式外延生长处理时防止背面雾化的产生并且生产率优异的外延硅晶片的制造方法。本发明的外延硅晶片的制造方法包括硅晶片搬入工序、硅外延层形成工序、所述硅晶片的搬出工序以及清洗工序，在重复进行规定次数的一系列生长处理前后进行所述清洗工序，所述一系列生长处理是通过所述搬入工序、所述硅外延层形成工序及所述搬出工序进行的
外延晶片制造方法

[发明专利]填充高深宽比沟槽隔离区的方法-CN200910201728.X无效
发明人：刘继全 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种填充高深宽比沟槽隔离区的方法，在硅片或硅外延层上形成沟槽；在所述沟槽表面依次形成氧化层、氮化层；用选择性刻蚀去除沟槽底部的氮化层和氧化层，暴露出沟槽底部的硅；用选择性硅外延工艺方法生长硅外延层对沟槽进行填充；对硅外延层顶部进行高温氧化，使其转化为氧化硅层。
填充高深沟槽隔离方法

[发明专利]形成半导体器件的接触插塞的方法-CN200510006345.9无效
发明人：李锡奎;安台恒;朴圣彦;赵俊熙;金一旭 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-01-26 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在形成半导体器件的接触插塞的方法中，使用固相外延法形成外延硅以作为接触材料。与使用多晶硅作为接触材料的现有技术相比，该方法可获得减小的接触电阻和改进的刷新特性。此外，该方法使用了SPE法而不是传统的SEG法来形成外延硅，使得其能够通过低温工艺基本降低热预算。本发明还能够使用传统的多晶硅淀积工艺而不用修改，从而简单并多产地形成外延硅。
形成半导体器件接触方法

[发明专利]常压下P+衬底上生长N‑硅外延片的方法及外延片的应用-CN201710078667.7在审
发明人：米姣;王刚;陈秉克;赵丽霞;袁肇耿;薛宏伟;吴会旺;张绪刚 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种常压下P+衬底上生长N‑硅外延片的方法及应用，属于半导体外延材料制备领域，采用单片外延生长系统，衬底使用6英寸重掺B的P型IC片，晶向<111>，电阻率≤0.006Ω·cm，背封工艺为SiO2+POLY；外包覆电阻率0‑0.4Ω·cmP‑中阻；外延掺杂剂为PH3，硅源为SiHCL3；外延生长前，对外延生长系统进行腐蚀和基座包硅处理，采用高温变流量进腔室N型赶气，对衬底表面进行烘烤；外延生长使用高浓度N+外延层和低浓度N‑外延层两步外延法，在高浓度N+外延层之后进行H2吹扫赶气，然后N‑外延层生长。通过控制高浓度N+外延层的掺杂及厚度，增加基座包硅及外延前高温变流量进腔室N型赶气，可制备出低电容TVS器件用外延片，不影响常规N型参数批量生产。
压下衬底生长外延方法应用

[发明专利]一种提高FinFET器件性能的方法-CN202110597485.7在审
发明人：李勇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种提高FinFET器件性能的方法，Fin结构的顶部设有外延结构，在外延结构表面覆盖一层非晶硅外延层；在栅结构之间的空间填充覆盖非晶硅外延层的金属硅化物；对金属硅化物进行退火。本发明在不进行预非晶化注入的前提下，增加非晶硅外延层以均匀化金属硅化物，从而不会产生传统工艺中由于预非晶化的注入导致Fin结构上的外延结构损伤的问题，能够提高器件性能，另一方面由于非晶硅外延层在退火过程中被完全消耗
一种提高 finfet 器件性能方法

[发明专利]用于拉伸应变应用上的高拉伸硅合金的外延法-CN201180066837.0有效
发明人：叶祉渊;李学斌;乔普拉·索拉布;金以宽 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的实施例大体上涉及用于在半导体器件上形成硅外延层的方法。这些方法包括在增加的压力与降低的温度下在衬底上形成硅外延层。所述硅外延层具有每立方厘米约1x10²¹个原子或更大的磷浓度，并且不添加碳而形成所述硅外延层。因为外延层实质上无碳，所以外延层不会遭受通常与含碳外延层有所关联的膜形成与质量问题。
用于拉伸应变用上合金外延

[发明专利]一种具有宽带隙衬底材料的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管-CN201710158895.5有效
发明人：段宝兴;吕建梅;曹震;袁嵩;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有宽带隙衬底材料的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)，该VDMOS器件主要特点是将宽带隙材料与硅材料相结合，在宽带隙N+型衬底材料上表面形成掺杂浓度较小的N型宽带隙外延层，再以该N型宽带隙外延层为基础异质外延生长(或利用键合技术形成)N型硅外延层，采用硅成熟工艺在硅外延层形成器件有源区。利用宽带隙材料中产生的纵向电场对硅外延层中产生的纵向电场的调制作用，使器件的击穿电压提高，同时宽带隙材料的高热导率特性有利于器件的散热，器件性能有效改善。
一种具有宽带衬底材料垂直扩散金属氧化物半导体场效应

[发明专利]提高硅晶片外延层表面平整度的方法-CN201610278896.9在审
发明人：肖德元 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高硅晶片外延层表面平整度的方法，包括将薄圆板状的单晶硅锭的切片依次进行湿法蚀刻、研磨、抛光；采用检测单元检测待处理的硅晶片表面凹凸状况；依据所述凹凸状况的数据，计算并获得硅晶片分区温度控制分布图；依据所述分布图，以分区电阻加热并控制该硅晶基板的温度，并以等离子体干法蚀刻将该硅晶片平坦化；及进行最终抛光；其中，在所述硅晶片表面进行外延以生长外延晶片时，对所得外延晶片片整体表面进行表面平坦度测量，该硅晶片表面平坦度的纳米形貌小于25nm。
提高晶片外延表面平整方法

[发明专利]一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料-CN200610023694.6无效
发明人：孙佳胤;陈静;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料，其特征在于(1)所述的材料为绝缘体上的硅材料或具有单晶硅—绝缘埋层—单晶硅的三层复合结构的衬底材料；(2)顶层的硅被刻蚀成独立的硅岛且硅岛下面保留一部分的绝缘埋层；硅岛各平行边之间的垂直距离小于外延氮化镓厚度的两倍；硅岛下面绝缘埋层剩余部分的截面积S₂小于硅岛面积S₁/4，而大于S₁/25；本发明的图形化衬底材料具有大尺寸、低成本优点，可提高吸收异质外延的应力，提高外延生长的GaN晶体的质量。
一种用于氮化外延生长图形衬底材料

[发明专利]控制eDRAM深沟槽上方的外延生长以及如此形成的eDRAM-CN201710045521.2有效
发明人： M·A·史密斯;S·S·马哈詹;H·L·霍 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及控制eDRAM深沟槽上方的外延生长以及如此形成的eDRAM，其提供形成eDRAM的多晶硅填充深沟槽的方法。该方法可包括在衬底中形成多个多晶硅填充深沟槽。向该沟槽的上部引入外延抑制掺杂物。接着，在该衬底上方形成多个鳍片，各多晶硅填充深沟槽包括延伸于其上方的相应鳍片。至少在该多晶硅填充深沟槽上方外延生长硅层。该多晶硅填充深沟槽中的该掺杂物用以控制该硅层的该外延生长，以消除或防止在先进技术节点与相邻鳍片和/或深沟槽短路。
控制 edram 深沟上方外延生长以及如此形成

[发明专利]一种雪崩光电探测器及其制备方法-CN202210995229.8在审
发明人：李冲;杨帅;李占杰;高昕元;刘芮汐;于书伟 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供一种雪崩光电探测器，包括硅衬底，埋层氧化硅形成于硅衬底上，硅台面区形成于埋层氧化硅上，硅接触区形成于硅台面区两侧的埋层氧化硅上，锗外延层形成于硅台面区上，第一电极与锗外延层欧姆接触，第二电极与硅接触区欧姆接触该雪崩光电探测器中，锗外延层的面积小于硅台面区，且在锗外延层和硅台面区的同侧均刻蚀出直角结构，在锗外延层和硅台面区直角结构的相对一侧为光传入侧。
一种雪崩光电探测器及其制备方法

[发明专利]外延晶片及其制备方法-CN201010510963.8有效
发明人：中居克彦;T·米勒;碇敦;W·冯阿蒙;M·韦伯 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2010-10-08 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明的目的是在其中加入氢的情况下，抑制并防止由硅基底晶片的空隙产生的外延层缺陷。上述问题通过包括以下步骤的制备外延晶片的方法解决：通过切克劳斯基方法生长硅晶体的步骤，包括加入氢和氮到硅熔体中，并且从硅熔体生长氮浓度为3×1013cm-3-3×1014cm-3的硅晶体的步骤；机械加工所述硅晶体制备硅基底的步骤；以及在硅基底表面上形成外延层的步骤。
外延晶片及其制备方法

[发明专利]定向异质外延方法及硅基锗锡合金材料-CN202110408385.5在审
发明人：赵越;李传波;成步文 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本公开提出一种定向异质外延方法及硅基锗锡合金材料。该方法包括：S1，在硅衬底上进行刻蚀，形成硅刻蚀窗口；其中，硅衬底的晶向为(100)；S2，对硅刻蚀窗口进行硅的各向异性湿法腐蚀，以形成硅凹槽；S3，对刻蚀后的硅衬底进行清洗和高温脱氧处理；S4，利用分子束外延法在硅凹槽内沉积Sn原子；S5，退火处理，以使Sn团聚成球；S6，沉积Ge原子，在硅凹槽内定向得到锡自催化生长的GeSn微米条。本公开提供一种大晶格失配材料体系外延方法，缩短了传统缓冲层外延的生长周期，有望开发大规模的器件制备和应用。
定向外延方法硅基锗锡合金材料

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210349744.5有效
发明人：陈乐乐 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法提供栅结构侧方形成有Sigma形凹陷的衬底，在Sigma形凹陷的内表面外延生长有种子硅锗层，在种子硅锗层内外延生长有掺杂硼的硅锗体；对Sigma形凹陷内的种子硅锗层和硅锗体进行反向刻蚀以形成衬底表面下的凹陷；在衬底表面下的凹陷内进行掺杂硼的硅锗外延生长生成掺杂硼的硅锗再生层，而硅锗再生层中硼的含量大于种子硅锗层中硼的含量。由于Sigma形凹陷靠近衬底表面形成掺杂硼的硅锗外延层中硼的含量可以比较高，从而减小了外部电阻，提高了半导体器件的性能。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种高锗浓度的锗硅外延方法-CN201010533250.3有效
发明人：缪燕;季伟 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种高锗浓度的锗硅外延方法，当通入硅烷和锗烷气体时，以降低硅烷和锗烷的百分比来增加锗硅外延的锗的含量，在相同的锗源流量时，随着硅源流量的降低，锗浓度有较大的提高，最终能够得到锗原子百分比为25～35％的无缺陷的锗硅外延薄膜。本发明在利用现有设备的前提下，平衡了生长速率与锗的掺杂浓度，获得高锗浓度的同时，外延的生长速率仅有很少的降低，能保证锗硅外延没有缺陷，达到器件要求，同时有足够的产能。
一种浓度外延方法