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[发明专利]旋转电机的短路探测装置-CN202180095221.X在审
发明人：泷泽勇二;山本笃史;前田进 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H02P29/024 文献下载
摘要：旋转电机(10)的短路探测装置(100)具备具有信号取得部(61)、信号分解部(62)、特定频率分量降低部(63)、信号变换部(64)以及短路探测部(65)的信号处理装置(60)和配置于定子(20)内部的磁检测器(50)，旋转电机(10)的短路探测装置(100)探测励磁绕组(32)的短路。信号分解部(62)将来自信号取得部(61)的电压信号分解为次数不同的多个频率分量，特定频率分量降低部(63)使奇数次的频率分量和比小于槽高次谐波的基本次数的阈值高的偶数次的频率分量降低，信号变换部(64)变换为电压信号。短路探测部(65)生成与各磁极对应的电压信号的差分波形，探测励磁绕组(32)的短路以及短路位置。
旋转电机短路探测装置

[发明专利]用于预防、改善或缓解月经伴随症状的组合物-CN202180072772.4在审
发明人：佐佐木克典;平野惠子;吉田贵光;前田进;北牧侑树;岛户阳太;柳濑麻里 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： A61K36/9068 文献下载
摘要：成分(1)：选自由龙眼肉、胡芦巴、枸杞子、锁阳、胡麻仁、续断、骨碎补、沙苑子、黑豆、九香虫、海马及阿胶组成的组中的至少一种生药；成分(2)：选自由女贞子、牡蛎、旱莲草、桑椹、决明子、薄荷、桑叶、山栀子、茶叶、昆布、野菊花、白花蛇舌草、车前子、车前草、小麦、青葙子、菊花、蒲公英、大青叶、半枝莲、金钱草、郁金、地榆及藏红花组成的组中的至少一种生药；成分(3)：选自由莪术、鸡血藤、姜黄、三棱、丝瓜络、红花、刘寄奴、仙鹤草、棕榈、降香、血竭、水蛭、三七、景天三七、花蕊石及藕节组成的组中的至少一种生药。
用于预防改善缓解月经伴随症状组合

[发明专利]硅晶圆的热处理方法-CN201780033330.2有效
发明人： 前田进;番场博则;须藤治生;冈村秀幸;荒木浩司;末冈浩治;中村浩三 -专利权人：环球晶圆日本股份有限公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：快速升降温热处理装置的处理温度TS为1250℃～1350℃，且从上述处理温度开始的降温速度Rd在20℃/秒～150℃/秒的范围内，在热处理气氛气体中的氧分压P的上限P＝0.00207TS·Rd－2.52Rd+13.3(式(A))、P的下限P＝0.000548TS·Rd－0.605Rd－0.511(式(B))的范围内调节处理温度TS、降温速度Rd而进行热处理。
硅晶圆热处理方法

[发明专利]硅晶片-CN201780025439.1有效
发明人： 前田进;番场博则;须藤治生;冈村秀幸;荒木浩司;末冈浩治;中村浩三 -专利权人：环球晶圆日本股份有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明提供硅晶片，该硅晶片具备：最表层的无缺陷区域(10)，该最表层的无缺陷区域(10)的作为空位与氧的复合体的空位氧复合体的浓度小于1.0×1012/cm3；中间层(11)，该中间层(11)与无缺陷区域(10)的晶片深度方向内侧相邻地形成，从无缺陷区域(10)侧朝向厚度方向内侧，中间层(11)的所述空位氧复合体的浓度在1.0×1012/cm3以上且小于5.0×1012/cm3的范围内逐渐增加，与无缺陷区域(10)的宽度tDZ对应地决定中间层(11)的宽度tI；以及体层(12)，该体层(12)与中间层(11)的晶片深度方向内侧相邻地形成，体层(12)的所述空位氧复合体的浓度为5.0×1012/cm3以上。
晶片

[发明专利]旋转电机的短路检测装置及短路检测方法-CN202080102515.6在审
发明人：泷泽勇二;山本笃史;前田进;榁木伸明 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H02P9/00 文献下载
摘要：旋转电机的短路检测装置具备信号取得部、信号分解部、特定频率成分降低部、信号转换部、短路检测部以及推定精度判定部。信号分解部将由信号取得部取得的电压信号分解为次数互不相同的多个频率成分。特定频率成分降低部将比槽高次谐波的基本次数低的次数作为阈值，使多个频率成分中的奇数次的频率成分和高于阈值的偶数次的频率成分降低。信号转换部将从特定频率成分降低部输出的多个频率成分转换为电压信号。短路检测部生成与相邻的磁极对应的各电压信号的差值波形，基于差值波形的形状检测励磁绕组的短路，并且推定励磁绕组的短路位置。推定精度判定部基于以差值波形的峰值角度为中心的最大波的波形的对称程度，判定励磁绕组的短路位置的推定精度。
旋转电机短路检测装置方法

[发明专利]短路探测装置以及旋转电机的短路探测方法-CN202080094164.9在审
发明人：泷泽勇二;米谷晴之;川岛谅祐;马岛滉平;前田进 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-01-27 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H02P9/00 文献下载
摘要：构成为具备：差分计算部(44)，计算流过交流励磁电流的励磁绕组的电压或阻抗的测定值与在励磁绕组为完好状态下流过交流励磁电流时的值之差值；以及短路状态解析部(45)，将在第一频率下流过交流励磁电流时的差值与阈值相比较，在差值小于阈值的情况下，基于表示第一频率下的短路电阻(R)与差值的关系的数据，根据差值来推定短路电阻(R)，在差值为阈值以上的情况下，使励磁电源(2)在低于第一频率的第二频率下使交流励磁电流流过励磁绕组，基于表示第二频率下的短路电阻(R)与差值的关系的数据，根据用第二频率下的交流励磁电流而得到的差值推定短路电阻(R)。
短路探测装置以及旋转电机方法

[发明专利]短路检测装置以及短路检测方法-CN201980103057.5在审
发明人：泷泽勇二;米谷晴之;山本笃史;前田进;榁木伸明 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H02K19/36 文献下载
摘要：本公开的目的在于得到一种短路检测装置以及短路检测方法，能够抑制由预备测定导致的误检测以及短路的检测精度的降低，更高精度地检测励磁绕组的短路。本公开的短路检测装置具备：信号获取部(101)，其从检测在旋转电机(200)的转子(1)与定子(2)之间的空隙(3)产生的磁通的磁通检测器(10)获取与磁通相应的一个检测信号，并设为第一检测信号和第二检测信号；信号处理部(102a)，其对第一检测信号进行频率分析，生成模拟了正常时的电压状态的电压信号并进行解码；以及信号比较部(103)，其通过将由信号处理部(102a)解码的解码信号(101)与从信号获取部(101)发送的第二检测信号进行比较，来检测旋转电机(200)的励磁绕组的短路。
短路检测装置以及方法

[发明专利]短路检测装置以及短路检测方法-CN201980094970.3在审
发明人：泷泽勇二;米谷晴之;元吉研太;山本笃史;前田进;榁木伸明 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G01R31/34 文献下载
摘要：短路检测装置构成为具备：信号获取部，从检测在旋转电机的转子与定子之间的空隙处产生的磁通的磁通检测器获取与磁通相应的检测信号；信号处理部，对由信号获取部获取的检测信号实施去除检测信号所包含的奇数次分量中的至少一个分量的滤波处理，生成作为滤波处理后的检测信号的滤波信号；以及短路检测部，使用由信号处理部生成的滤波信号来检测励磁绕组的短路。
短路检测装置以及方法

[发明专利]短路探测装置以及短路探测方法-CN201980093653.X在审
发明人：泷泽勇二;米谷晴之;山本笃史;前田进;榁木伸明 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G01R31/34 文献下载
摘要：短路探测装置探测在旋转电机的转子中卷绕于多个转子槽的励磁绕组的短路，其中，所述短路探测装置具备：信号变换部，将检测到转子的磁通的周向分布的检测信号变换为与转子的磁能的周向分布相当的能量换算信号；以及短路探测部，使用能量换算信号来探测发生短路的转子槽。
短路探测装置以及方法

[发明专利]硅晶片的制造方法-CN201610198592.1有效
发明人：须藤治生;荒木浩司;青木龙彦;前田进 -专利权人：环球晶圆日本股份有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅晶片的制造方法，该方法可使半导体设备形成区域的COP或氧析出核等晶体缺陷减少，可抑制设备形成工序中的热处理时的滑移位错的发生。硅晶片的制造方法，具备如下工序：工序1，将由通过CZ法生成的硅单晶锭切成的原料硅晶片在氧化性气体环境中、在最高到达温度设为1300℃以上且1380℃以下进行热处理；工序2，对通过工序1得到的热处理硅晶片进行剥离处理，剥离该热处理硅晶片表面的氧化膜；以及工序3，将通过工序2得到的被剥离硅晶片在非氧化性气体环境中、在最高到达温度设为1200℃以上且1380℃以下、升温速度设为1℃/秒以上且150℃/秒以下进行热处理，使所得硅晶片的表面～深7μm的区域的氧浓度最大值达到1.3×10¹⁸atoms/cm³以下。
晶片制造方法

[发明专利]硅晶片的热处理方法和硅晶片-CN201510167489.6有效
发明人：须藤治生;荒木浩司;青木龙彦;前田进 -专利权人：环球晶圆日本股份有限公司
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明的课题在于确保硅晶片的表层和主体的强度，并且提高晶体品质的面内均匀性。解决手段为构成硅晶片的热处理方法，该硅晶片的热处理方法具有如下工序第1工序，在氧化气氛中以1300℃～1400℃的保持温度进行热处理；第2工序，将上述第1工序中热处理的硅晶片以10℃/秒～150℃/秒的冷却速度进行冷却；以及第3工序，将上述第2工序中冷却的硅晶片在氧化气氛中以800℃～1250℃的保持温度热处理1小时～100小时。
晶片热处理方法

[发明专利]旋转电机的定子绕组-CN201280072477.X有效
发明人：舟崎阳一;古贺清训;前田进 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H02K3/28 文献下载
摘要：在具有三相四极四并联电路的旋转电机的定子绕组(11)中，例如U相的2组输出端子U1、U2分别由两组并联电路(一个组中为第1绕组电路(1)及第2绕组电路(2)，另一个组中为第3绕组电路(3)及第4绕组电路(4))构成，该两组并联电路由具有相同间距的绕组构成，各绕组电路的绕组由串联连接的2个线圈相带(第1绕组电路(1)中为线圈相带a及b，第2绕组电路(2)中为线圈相带c及d，第3绕组电路(3)中为线圈相带e及f，第4绕组电路(4)中为线圈相带g及h)构成。由此，无需在绕组端部设置跳线，能够消除绕组电路(1)、(2)、(3)、(4)间的电压矢量相位差和电压差。
旋转电机定子绕组

[发明专利]硅晶片的热处理方法-CN201080033825.3有效
发明人：仙田刚士;矶贝宏道;丰田英二;村山久美子;荒木浩司;青木龙彦;须藤治生;泉妻宏治;前田进;鹿岛一日儿 -专利权人：科发伦材料株式会社
申请日： 2010-05-17 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/26 文献下载
摘要：本发明提供硅晶片的热处理方法，该方法能够在抑制RTP时的滑移发生的同时，使原生微缺陷的降低能力提高，并且，在RTP之后，能够改善所得到的硅晶片的表面粗糙度。对硅晶片，在惰性气体气氛中，以第1升温速度急速升温至1300℃以上硅的融点以下的第1温度T1为止，在保持第1温度T1之后，以第1降温速度急速降温至400℃以上800℃以下的第2温度T2为止，接着，从惰性气体气氛转换为含有20vol.％以上100vol.％以下的氧气的含氧气氛之后，以第2升温速度从第2温度T2急速升温至1250℃以上硅的融点以下的第3温度T3为止，于第3温度T3保持之后，以第2降温速度从第3温度T3急速降温。
晶片热处理方法

[发明专利]硅晶片及硅晶片的热处理方法-CN201080025868.7有效
发明人：仙田刚士;矶贝宏道;丰田英二;荒木浩司;青木龙彦;须藤治生;泉妻宏治;前田进;鹿岛一日儿;齐藤广幸 -专利权人：科发伦材料株式会社
申请日： 2010-05-28 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供抑制存在于晶片主体部的空洞缺陷成为设备加工中的污染源或滑移的产生源的硅晶片，及可在进行RTP时于形成设备活性区域的晶片表面附近降低COP等结晶缺陷的硅晶片的热处理方法。通过在对采用CZ法制备的硅晶片进行RTP时，使供给第1空间20a内和第2空间20b内的气体和空间内的内压、最高到达温度T1等达到所规定值的硅晶片的热处理方法，提供如下硅晶片：晶片表面部1为不存在空洞缺陷的无缺陷区域，比晶片表面部1更深的晶片主体部2由以八面体为基本形状的多面体构成，上述多面体的角部为曲面状，且存在内壁氧化膜被除去的空洞缺陷4。
晶片热处理方法

[发明专利]热处理硅晶片的方法-CN201010106318.X无效
发明人：仙田刚士;矶贝宏道;丰田英二;村山久美子;荒木浩司;青木竜彦;须藤治生;泉妻宏治;前田进;鹿岛一日児 -专利权人：科发伦材料株式会社
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：在热处理通过分割由直拉生长法制造的硅单晶锭而获得的晶片的方法中，在具有1.0％或以上且20％或以下的氧分压和氩气的含氧混合气体气氛中，通过在1200℃或以上且硅熔点或以下的极限温度下，设置保持时间为等于或长于一秒且等于或短于60秒，来进行快速加热/冷却热处理，并且由此在硅晶片表面上形成具有9.1nm或以下、或者24.3nm或以上厚度的氧化物膜。
热处理晶片方法

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