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[发明专利]一种深沟槽的硅外延填充方法-CN201110332561.8有效
发明人：刘继全;季伟;肖胜安 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种深沟槽的硅外延填充方法，包括如下步骤：步骤1，在硅衬底上生长N型硅外延层；步骤2，采用硬掩膜的干法刻蚀在N型硅外延层上形成沟槽，沟槽刻蚀后沟槽顶部有硬掩膜；步骤3，采用含氯的硅源气体、卤化物气体、氢气以及掺杂气体的混合气体在沟槽内进行第一硅外延生长，形成第一P型硅外延层；步骤4，采用硅烷、氢气和掺杂气体的混合气体在N型硅外延层上的硬掩膜上和第一P型硅外延层上进行生长，在第一P型硅外延层上形成第二P型硅外延层，在硬掩膜上形成多晶硅或非晶硅。本发明能解决深沟槽填充CMP研磨无法精确控制的问题，且提高了深沟槽硅外延填充的生产效率。
一种深沟外延填充方法

[发明专利]射频LDMOS器件及制造方法-CN201310659228.7有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频LDMOS器件，硅外延层由依次形成于硅衬底表面的第一硅外延层、第二硅外延层和第三硅外延层叠加而成；漂移区和沟道区都形成在第三硅外延层中，第二硅外延层形成在漂移区和沟道区的底部，通过第二硅外延层的掺杂浓度大于第一和三硅外延层的掺杂浓度通过调节第三硅外延层的掺杂浓度调节器件的导通电阻以及漏端结击穿电压，第二硅外延层形成一体内RESURF结构并用于降低漂移区的表面电场、减少热载流子效应、提高所述射频LDMOS器件的可靠性；第一硅外延层能使漏端结击穿电压维持或提高
射频 ldmos 器件制造方法

[发明专利]一种高频器件用硅外延片的制备方法-CN202010341350.X有效
发明人：唐发俊;李明达;王楠;赵扬 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频器件用硅外延片的制备方法，硅外延炉反应腔体的基座升温，通入氯化氢气体对硅外延炉反应腔体的基座进行一次刻蚀，随后将基座温度降温；硅衬底片装在硅外延炉反应腔体的基座上，对硅衬底片表面进行气相抛光；使用氢气对反应腔体进行吹扫；三氯氢硅原料位于鼓泡器内，以氢气鼓泡的方式进入反应腔体，作为硅外延层的生长原料；硅外延片的硅外延层生长完成后，待温度降低后从基座上取出；硅衬底片导电类型为N型，电阻率低于0.005Ω·cm；硅外延片的硅外延层导电类型为N型，厚度为0.3~0.7μm，表层电阻率高于0.3Ω·cm。
一种高频器件外延制备方法

[发明专利]嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法-CN201510707673.5有效
发明人：高剑琴;谭俊 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式外延锗硅层的盖帽层的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有嵌入式外延锗硅层，所述嵌入式外延锗硅层两侧有浅沟槽隔离结构；在所述外延锗硅层上方形成单晶硅层，所述单晶硅层包覆所述外延锗硅层；在所述单晶硅层上形成多晶硅层，所述多晶硅层与单晶硅层共同构成盖帽层；对所述盖帽层依次进行退火工艺和镍硅化工艺。本发明解决了现有技术无法在嵌入式外延锗硅层上形成完全包覆外延锗硅层的盖帽层的问题，防止后续的镍硅化物工艺与外延锗硅层的锗硅的反应，改善因此带来的应力问题。
嵌入式外延锗硅层盖帽制作方法

[发明专利]一种肖特基器件用硅外延片的制备方法-CN202010341314.3有效
发明人：唐发俊;李明达;王楠;赵扬 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所;中电晶华（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种肖特基器件用硅外延片的制备方法，向硅外延炉反应腔体内通入氯化氢气体，对基座上残余沉积物质进行刻蚀；将主工艺氢气携带气态三氯氢硅进入硅外延炉反应腔体，基座表面沉积一层无掺杂的致密多晶硅；将基座温度降低，向基座上装入硅衬底片；基座升温，对硅衬底片的表面进行高温烘焙；通入主工艺氢气对硅外延炉反应腔体进行吹扫；主工艺氢气携带气态三氯氢硅进入硅外延炉反应腔体，基座下部流入与主工艺氢气流动方向相反的辅助氢气，三氯氢硅在管路中排空；通入主工艺氢气对硅外延炉反应腔体进行吹扫；进行硅外延层生长；硅外延层生长完成后，降温后从基座上取出。实现了200mm硅外延层厚度均匀性和电阻率均匀性的控制能力。
一种肖特基器件外延制备方法

[发明专利]外延硅晶片及其制造方法、以及贴合SOI晶片及其制造方法-CN201180017235.6有效
发明人：加藤正弘;冈哲史;小林德弘;石塚徹;能登宣彦 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的外延硅晶片，是使外延硅层气相生长在单晶硅基板的主表面上而成的外延硅晶片，所述外延硅晶片的特征在于：单晶硅基板的主表面，相对于[100]轴，自(100)面向[011]方向或[0-1-1]方向只倾斜角度θ，并向[01-1]方向或[0-11]方向只倾斜角度φ，θ及φ不足10＇，外延硅层的掺杂剂浓度为1×1019/cm3以上。由此，提供一种外延晶片及其制造方法、以及使用该外延硅晶片而成的贴合SOI晶片及其制造方法，所述外延晶片是在单晶硅基板的主表面上，形成有掺杂剂浓度为1×1019/cm3以上的外延层，且外延层表面的条纹状凹凸得以被抑制
外延晶片及其制造方法以及贴合 soi

[发明专利]形成硅锗外延层的方法-CN201910174278.3在审
发明人：谭俊;黄秋铭;颜强 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及形成硅锗外延层的方法，涉及半导体芯片制造技术，通过采用包括硅氢化物的一种或几种的硅源与氯硅化物的一种或几种的硅源的混合性气体进行嵌入式锗硅外延沉积工艺以形成硅锗外延层，代替硅氢化物或氯硅化物中的一种的硅源进行嵌入式锗硅外延沉积工艺以形成硅锗外延层，有效提高了衬底上不同图形区域的硅锗外延层生长的均匀性，改善micro‑loading效应。
硅锗外延层硅源硅氢化物锗硅外延硅化物嵌入式沉积半导体芯片制造混合性气体图形区域均匀性衬底生长

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN99111393.4无效
发明人：岩根正晃;中川克己;西田彰志;浮世典孝;岩崎由希子;水谷匡希 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1999-07-02 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：晶体硅层外延生长在表面具有多孔硅层的衬底上。通过液相外延进行外延生长时，硅材料溶入高温的熔融液中，然后把将进行外延的硅衬底浸入熔融液中。然后，其温度逐渐降低，由此从熔融液沉积的硅在硅衬底上外延生长。在这个处延中，主平面是(111)平面的衬底被用作硅衬底。这提供了一种晶体硅层在多孔硅层上外延生长而不引起任何非正常生长的过程，该过程的晶体硅层完全覆盖多孔硅层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造电可寻址的蓝宝石上硅光阀用的方法-CN99804330.3无效
发明人：兰迪·L·希马布库罗;斯蒂芬·D·拉塞尔;布鲁斯·W·奥福德 -专利权人：兰迪·L·希马布库罗;斯蒂芬·D·拉塞尔;布鲁斯·W·奥福德
申请日： 1999-03-24 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种在蓝宝石上硅结构上制造单片集成液晶阵列显示器及控制电路用的方法，包括以下步骤：a)在蓝宝石基片(30)上形成外延硅层(40)，以产生蓝宝石上硅结构；b)离子注入所说外延硅层；c)退火所说蓝宝石上硅结构；d)氧化所说外延硅层，以由所说外延硅层的一部分形成二氧化硅层，从而留下减薄的外延硅层；e)去掉所说二氧化硅层，以暴露所说减薄的外延硅层；f)由所说减薄的外延硅层制造像素阵列(122)；以及g)由所说减薄的外延硅层制造集成电路该减薄的外延硅层适于制造被用于控制象素操作的器件的质量电路。
制造寻址蓝宝石上硅光阀用方法

[发明专利]测量超级结深沟槽内外延层电阻纵向分布的方法-CN201110202228.5无效
发明人：于源源;刘继全 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-07-19 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量超级结深沟槽内外延层电阻纵向分布的方法，包括步骤：(1)在硅衬底上生长N型硅外延层；(2)在N型硅外延层上刻蚀出沟槽；(3)用P型硅外延填充沟槽；(4)将P型硅外延层划分为N层，测定N层的总电阻Rs总；(5)逐层去除P型硅外延层和与之相同厚度的N型硅外延层，每去除一层，就测定一次剩余P型硅外延层的电阻Rs总-i，直到测到第N层；(6)计算P型硅外延层每次去除部分的电阻Rsi。该方法利用并联电阻的测算原理，将整个深沟槽内的外延层分成多层电阻并联，然后分别计算出各层的电阻值，从而能够有效分析出SJ沟槽内外延层掺杂的纵向分布情况。
测量超级深沟外延电阻纵向分布方法

[发明专利]硅外延生长方法及半导体结构-CN201910842905.6在审
发明人：宋洋;马雁飞;叶康 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅外延生长方法及半导体结构，通过在侧墙侧的半导体衬底中形成开口，将所述开口作为硅生长窗口；在所述开口中进行硅外延生长工艺，形成硅外延层。使得在硅外延生长工艺时，硅外延层能够位于所述开口中，能够灵活的控制硅外延生长的厚度，从而给后续工艺提供更加宽的制程窗口；进一步的，由于硅外延层能够在所述开口中均匀生长，能够提供一定的拉应力或压应力。
硅外延开口硅外延层生长半导体结构后续工艺生长窗口拉应力灵活的压应力侧墙衬底制程半导体

[发明专利]外延硅晶片的制造方法-CN201080036536.9有效
发明人：樫野久寿;黛雅典 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明是一种外延硅晶片的制造方法，所述外延硅晶片的制造方法是在将单晶硅切片而获得的硅晶片表面上形成外延层，从而制造外延硅晶片的方法，所述外延硅晶片的制造方法的特征在于，至少，对掺杂砷并使电阻率为1.0～1.7mΩcm的单晶硅进行切片而获得硅晶片，通过在850～1200℃下对该硅晶片进行热处理，使其产生凹穴，并通过对该经热处理的硅晶片进行镜面研磨，去除所述产生的凹穴，然后，在该经镜面研磨的硅晶片表面上形成外延层其目的在于提供一种外延硅晶片的制造方法，如此一来，当在掺杂有砷的低电阻硅晶片上进行外延生长时，利用简易的方法，可以防止产生堆垛层错。
外延晶片制造方法

[发明专利]一种MOS器件结构用双层外延的制备方法-CN202010341315.8有效
发明人：唐发俊;李明达;王楠;赵扬 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种MOS器件结构用双层外延的制备方法，向硅外延炉反应腔体内通入氯化氢气体；将主工艺氢气携带气态三氯氢硅进入硅外延炉反应腔体；向反应腔体内基座上装入硅衬底片；通入主工艺氢气对反应腔体进行吹扫；主工艺氢气携带气态三氯氢硅进入反应腔体；稀释氢气携带磷烷气体组成混合气；进行第一层硅外延层的生长；通入主工艺氢气对硅外延炉反应腔体进行吹扫；进行第二层硅外延层的生长；第二层硅外延层生长完成，降温后从基座上取出；所制硅外延层的总厚度5点均值为20.5~21.5µm，第二层硅外延层的电阻率5点均值为27~29Ω·cm。本发明实现了对双层外延的总体厚度和电阻率均匀性的控制。
一种 mos 器件结构双层外延制备方法

[发明专利]深沟槽的硅外延填充方法-CN201110238539.7无效
发明人：刘继全;肖胜安;季伟;于源源 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种深沟槽的硅外延填充方法，可应用于超级结MOSFEFT，该方法包括以下步骤：1)在硅衬底上生长一层N型外延层；2)在该N型外延层上生长一层介质膜；3)以该介质膜为掩模，在该N型外延层上刻蚀出沟槽；4)进行硅外延生长，用P型硅外延填充沟槽；5)对硅片表面进行平坦化；6)重复一次步骤4)和5)，进行第二次硅外延生长和硅片表面的平坦化。该硅外延填充方法通过两次反型硅外延生长和硅片表面平坦化工艺，获得了在沟槽内无空洞或较小空洞的硅外延层，从而提高了超级结MOSFET器件的击穿电压。
深沟外延填充方法

[发明专利]采用深沟槽隔离的图像传感器的制作方法-CN201510280051.9在审
发明人：赵立新;杨瑞坤 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种采用深沟槽隔离的图像传感器的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底包括衬底单晶硅层；刻蚀所述衬底单晶硅层以形成若干凸起的单晶硅墙，所述单晶硅墙的顶表面和侧表面覆盖有介质层；选择性外延所述单晶硅墙之间的衬底单晶硅层表面以形成第一外延单晶硅层，去除覆盖单晶硅墙顶表面的介质层以暴露出单晶硅墙顶表面，选择性外延所述单晶硅墙顶表面和第一外延单晶硅层表面以形成第二外延单晶硅层；在所述第一外延单晶硅层和第二外延单晶硅层中形成图像传感器的部分器件。本发明有效减少了隔离结构和外延单晶硅层的缺陷，避免了图像传感器器件的功能损害，提高了图像传感器器件质量。
采用深沟隔离图像传感器制作方法