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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610875114.X有效
发明人：李熙烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：该半导体器件可以包括：多层源极层、导电图案、层间绝缘层、以及沟道柱。多层源极层可以包括：下源极层、层间源极层、以及上源极层。导电图案和层间绝缘层可以交替地设置于多层源极层上。沟道柱可以穿透导电图案。层间绝缘层、上源极层、以及层间源极层、沟道柱可以延伸到下源极层。沟道柱可以与层间源极层接触。具有各种结构的掺杂区可以形成在沟道柱的下部，从而提高半导体器件的操作可靠性。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]肖特基结导通型金属氧化物半导体场效应管-CN201810688107.8在审
发明人：张春伟;李威;李阳;李志明;岳文静;付小倩 -专利权人：济南大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提出了一种肖特基结导通型金属氧化物半导体场效应管，包括：漏极金属，漏极金属上方连接有高掺杂浓度的半导体衬底，高掺杂浓度的半导体衬底上方设有漂移区，漂移区表面设有栅氧化层、源极金属和源极延伸金属，栅氧化层上方设有栅电极，所述漂移区和源极金属之间，以及漂移区和源极延伸金属之间的接触为肖特基接触。该器件制备简单，具有很小的特征导通电阻和很小的体二极管反向恢复时间。
漂移区金属氧化物半导体场效应管漏极金属肖特基结源极金属源极延伸栅氧化层高掺杂衬底导通半导体金属肖特基接触导通电阻反向恢复器件制备体二极管栅电极

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202110459895.5在审
发明人：黄玉莲;许哲铭;王冠人;傅劲逢 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：层间介电质覆盖于第一源/漏极结构和第二源/漏极结构上。第一图案化结构沿着第一横向方向延伸，且第一图案化结构的垂直投影沿着与第一横向方向垂直的第二横向方向位于第一源/漏极结构与第二源/漏极结构之间。方法包含缩小第一图案化结构沿着第二横向方向延伸的宽度。方法包含基于具有缩小的宽度的第一图案化结构形成分别暴露出第一源/漏极结构和第二源/漏极结构的多个接触孔洞。
半导体装置制造方法

[发明专利]具有由粘合层连接的源极触点的三维存储器件及其形成方法-CN201980001952.6有效
发明人：王清清;徐伟;黄攀;严萍;霍宗亮;周文斌 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：所述3D存储器件还包括在存储器堆叠层中竖直延伸的沟道结构。所述3D存储器件还包括在存储器堆叠层中延伸的源极结构。所述源极结构包括由支撑结构分隔的第一和第二源极触点。所述源极结构还包括粘合层。所述粘合层的至少一部分在第一和第二源极触点之间并将第一和第二源极触点导电连接。
具有粘合连接触点三维存储器件及其形成方法

[发明专利]垂直存储器件-CN201810600164.6在审
发明人：金光洙;金贤锡;洪淳爀;黄斗熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：一种垂直存储器件包括：栅极结构，包括堆叠在衬底上的多个栅电极层；多个沟道结构，穿过栅极结构并在垂直于衬底的上表面的方向上延伸；公共源极线，穿过栅极结构并在第一方向上延伸；金属线，在第一方向上在公共源极线之上延伸；以及多个连接部分，插置在金属线和公共源极线之间。
公共源极线栅极结构垂直存储器金属线衬底延伸穿过沟道结构栅电极层上表面插置堆叠垂直

[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法-CN202011629168.0在审
发明人：陈俊翰;李振铭;杨复凯;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种器件包括：栅电极；与栅电极相邻的外延源极/漏极区；位于外延源极/漏极区上方的一个或多个层间介电(ILD)层；延伸穿过ILD层的第一源极/漏极接触件，第一源极/漏极接触件连接至外延源极/漏极区；围绕第一源极/漏极接触件的接触间隔件；以及设置在接触间隔件和ILD层之间的孔洞。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体元件-CN202110879905.0在审
发明人：闵伟伦;刘昌淼 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开实施例的一种半导体元件包括在基底上的第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件、延伸于第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件之间的多个通道构件(member)、包绕每个通道构件的栅极结构、以及至少一个阻挡部件多个通道构件的至少一个通过至少一个阻挡部件与第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件隔离。
半导体元件

[发明专利]存储结构、存储器装置及其制造方法-CN202110866757.9在审
发明人：江昱维;孙宏彰;赖升志;蒋国璋;杨子庆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：晶体管结构包括介电柱、源极电极及漏极电极、闸极电极层及沟道壁结构。源极电极与漏极电极位于介电柱的相对的侧边上。闸极电极层围绕介电柱、源极电极及漏极电极。沟道壁结构从源极电极延伸到漏极电极且环绕介电柱。沟道壁结构设置在闸极电极层与源极电极之间、闸极电极层与漏极电极之间以及闸极电极层与介电柱之间。存储器弧形壁结构在所述沟道壁结构上延伸并贯穿所述沟道壁结构。
存储结构存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202111116770.9在审
发明人：金正泽;金锡勋;朴判贵;梁炆承;郑㥠珍;崔珉姬;河龙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：多沟道有源图案；多个栅极结构，位于所述多沟道有源图案上并在第一方向上彼此间隔开，所述多个栅极结构包括在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的栅电极；源极/漏极凹陷，位于相邻的所述栅极结构之间；以及源极/漏极图案，在所述源极/漏极凹陷中位于所述多沟道有源图案上，其中，所述源极/漏极图案包括：半导体衬垫层，包括硅锗并沿着所述源极/漏极凹陷延伸；半导体填充层，包括硅锗并位于所述半导体衬垫层上；以及至少一个半导体插入层
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN200910177662.5有效
发明人：相沢和也 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：在由元件分离区域规定的漏极区域(121)形成基体区域(15)，在基体区域形成N型第一源极区域(16)。在漏极区域(121)与第一源极区域之间配置第一栅电极(20)。元件分离区域(13)具有形成了开口部(133)的环路状部(131)、和对通过开口部与漏极区域(121)连接的延伸区域(122)规定的部分(132)。在延伸区域(122)形成第二源极区域(23)。在漏极区域形成P型第二基体区域(15)，在第二基体区域(15)形成N型第三源极区域(16)，在漏极区域(121)与第三源极区域(16)之间形成第二栅电极(331)。
半导体装置

[发明专利]具有双面场板的晶体管元件及其制造方法-CN201110228914.X有效
发明人：郭威宏;林素芳;宣融 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开一种具有双面场板的晶体管元件及其制造方法，该晶体管元件包括外延堆叠层、源极、漏极、栅极、第一场板以及第二场板。外延堆叠层具有第一表面与第二表面。源极、漏极与栅极位于外延堆叠层上，且栅极位于源极与漏极之间。第一场板位于外延堆叠层的第一表面的一侧，电性连接源极，且覆盖于栅极上方并延伸至栅极与漏极之间。第二场板位于外延堆叠层的第二表面的一侧，电性上述连接源极，且至少延伸覆盖栅极与漏极之间的外延堆叠层上方。
具有双面晶体管元件及其制造方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN02119839.X有效
发明人：林顺利;杨俊仪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-05-15 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种制造一具有源极/漏极延伸区与源极/漏极区的金氧半导体结构的方法，包括在半导体基底上形成一碱性抗反射层，在该抗反射层上形成一光阻层。曝光此一光阻层而将一图案转移至该光阻层上，并显影该已曝光的光阻层，而在形成源极/漏极区的区域上方形成一开口，并且在光阻图案底部转角处形成一足形结构的光阻图案。以此光阻图案为罩幕进行一离子植入，以同时形成一源极/漏极延伸区与一源极/漏极区。
半导体元件制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202211189232.7在审
发明人：朴钟撤;罗炫旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：第一栅电极和第二栅电极，各自在衬底上并在第一方向上延伸；第一和第二源极/漏极图案，在与第一栅电极交叉的第二方向上与第一栅电极和第二栅电极间隔开的第一和第二源极/漏极图案；以及有源接触，与第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案的顶表面共同连接。有源接触包括在第一源极/漏极图案上的第一部分和在第二源极/漏极图案上的第二部分。该器件包括在第二方向上延伸以将第一栅电极与第二栅电极分隔开的绝缘分隔图案，有源接触包括第三部分，该第三部分延伸到绝缘分隔图案的底表面下方的区域以将有源接触的第一部分和第二部分彼此连接。
半导体器件

[实用新型]集成电路-CN201521126986.3有效
发明人： J·H·张 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种晶体管包括有源区，该有源区由衬底支撑并且具有源极区、沟道区和漏极区。栅叠层在该沟道区之上延伸，并且第一侧壁包围该栅叠层。分别在该有源区的该源极区和该漏极区之上邻近该第一侧壁提供升高的源极区和升高的漏极区。第二侧壁周向地包围该升高的源极区和该升高的漏极区中的每一者。该第二侧壁在该升高的源极区和该升高的漏极区的顶表面上方延伸以限定由该第一侧壁和该第二侧壁横向地界定的多个区。导电材料填充这些区以分别形成到该升高的源极区和该升高的漏极区的源极接触和漏极接触。
集成电路

[发明专利]半导体器件、半导体结构及其形成方法-CN202210098495.0在审
发明人：郑嵘健;江国诚;朱熙甯;陈冠霖;王志豪;程冠伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：第一晶体管包括两个第一源极/漏极部件和第一数量的纳米结构，第一数量的纳米结构彼此垂直堆叠并且在两个第一源极/漏极部件之间纵向延伸。第二晶体管包括两个第二源极/漏极部件和第二数量的纳米结构，第二数量的纳米结构彼此垂直堆叠并且在两个第二源极/漏极部件之间纵向延伸。
半导体器件半导体结构及其形成方法

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