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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN202210626196.X在审
发明人：吴亭昀;王彦森;林忠亿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：根据本公开的半导体结构包括基板、设置在基板上方的鳍状结构，鳍状结构包括与多个第二半导体层交错的多个第一半导体层、设置在鳍状结构的通道区上方的栅极结构、延伸穿过鳍状结构的至少一第一部分的第一源极/漏极特征、延伸穿过鳍状结构的至少一第二部分的第二源极/漏极特征以及设置在基板下方并且与第一源极/漏极特征和第二源极/漏极特征间隔的背面金属线。
半导体装置

[实用新型]半导体装置-CN202221995722.1有效
发明人：李振铭;杨复凯;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括沿着一第一水平方向延伸的一有源区。一源极/漏极部件设置在前述的有源区的上方。一源极/漏极接触件设置在前述的源极/漏极部件的上方。一栅极结构设置在前述的有源区的上方，其中前述的栅极结构沿着一第二水平方向延伸，第二水平方向不同于前述的第一水平方向。其中，前述的源极/漏极接触件的侧表面在前述的第二水平方向上比起在前述的第一水平方向上是更为锥形的。
半导体装置

[发明专利]增强型III-氮化物器件-CN201480022037.2有效
发明人：拉柯许·K·拉尔 -专利权人：创世舫电子有限公司
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种III‑N增强型晶体管包括具有导电沟道的III‑N结构、源极接触和漏极接触，以及在源极接触和漏极接触之间的栅电极。该晶体管进一步包括场板，该场板具有在栅电极和漏极接触之间的部分，该场板电连接到源极接触。该栅电极包括延伸部分，该延伸部分在凹部外侧并向漏极接触延伸。导电沟道和栅电极的延伸部分之间的间隔大于导电沟道和场板在栅电极和漏极接触之间的部分之间的间隔。
增强 iii 氮化物器件

[发明专利]用于形成高密度沟槽场效应晶体管的结构与方法-CN200910173783.2无效
发明人：潘南西;斯科特·L·亨特;迪安·E·普罗布斯特;侯赛因·帕拉维 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2009-09-16 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体结构，包括：沟槽，延伸进入半导体区域。该半导体区域的部分在相邻沟槽之间延伸，形成台面区域。栅电极位于每个沟槽内。第一导电类型的势阱区在相邻沟槽之间的半导体区域内延伸。第二导电类型的源极区位于势阱区。第一导电类型的重体区，位于势阱区内。源极区和重体区与沟槽侧壁相邻，而重体区在源极区上沿沟槽侧壁延伸，且延伸至台面区域的顶面。
用于形成高密度沟槽场效应晶体管结构方法

[发明专利]显示基板及其制造方法-CN200610156474.0无效
发明人：金周汉;吴旼锡;李埈泳;康盛旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-31 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：栅极导体沿第一方向延伸。源极导体沿与第一方向交叉的第二方向延伸并包含钼或钼合金下层以及铝或铝合金上层。该像素区域由栅极导体和源极导体限定。在每个像素区域中形成开关元件而且该开关元件包括从栅极导体延伸的栅电极和从源极导体延伸的源电极。该像素电极包含透明导电材料，并且电连接至开关元件的漏电极。
显示及其制造方法

[发明专利]集成互补低电压射频横向双扩散金属氧化物半导体-CN200780048921.3无效
发明人：蔡军 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2007-12-31 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：具有第二导电类型的源极间隔物从具有第一导电类型的源极分接点横向延伸到大约最薄栅极氧化物上方的所述栅电极的边缘。具有第一导电类型的主体从大约所述源极分接点的底部中心延伸到衬底表面，且位于所述分裂栅极氧化物的大部分薄截面下方。所述源极间隔物大约为栅极侧壁氧化物的长度且与栅电极自对准。所述主体也与栅电极自对准。漏极由至少一个缓冲区围绕，所述至少一个缓冲区自对准于最厚栅极氧化物上方的所述栅电极的另一边缘且延伸到所述漏极下方且在所述最厚栅极氧化物下方横向延伸。所述源极分接点与漏极两者与所述栅极侧壁氧化物自对准，且因此与所述栅电极横向间隔开。
集成互补电压射频横向扩散金属氧化物半导体

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210361348.8在审
发明人：陈劲甫 -专利权人：艾科微电子（深圳）有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开半导体装置及其制造方法，包括基底、外延层、第一基体区、第一沟槽栅极结构、第一平面栅极、第一源极电极、第一源极区及漏极电极。外延层设置于基底上，第一基体区设置于外延层中，第一沟槽栅极结构设置于外延层中，沿着第一方向延伸且邻近第一基体区，第一平面栅极设置于外延层上，沿着第二方向延伸且至少部分位于第一基体区正上方，其中第二方向与第一方向间具有非零的夹角，第一源极电极设置于外延层上，且向下延伸至第一基体区中，第一源极区设置于第一基体区中，且至少部分邻接第一源极电极，漏极电极设置于基底下。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210484588.7在审
发明人：朴星一;朴宰贤;崔道永;崔永文;河大元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：所述半导体装置包括：有源图案，在基底上沿第一方向延伸；第一下部源极/漏极图案和第二下部源极/漏极图案，设置在有源图案上并且在第一方向上彼此间隔开；第一上部源极/漏极图案，设置在第一下部源极/漏极图案上；第二上部源极/漏极图案，设置在第二下部源极/漏极图案上；以及栅电极，与有源图案交叉，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。所述重叠部分在第二方向上的长度小于第一下部源极/漏极图案在第二方向上的长度。
半导体装置

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN202011328449.2有效
发明人：张邵华;郭广兴;杨彦涛 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种功率半导体器件及其制造方法，功率半导体器件的部分屏蔽导体与源极电极连接，屏蔽导体在与源极电极电连接的位置处，屏蔽导体从沟槽底部延伸至沟槽内两侧的栅极导体之间的位置，栅极导体和屏蔽导体之间由隔离层隔开，屏蔽导体与源极电极连接；部分屏蔽导体不与源极电极连接，屏蔽导体在不与源极电极电连接的位置处，屏蔽导体从沟槽底部延伸至沟槽上部两侧的栅极导体下方区域，减小了屏蔽导体的寄生电阻，使得寄生电阻下降几十倍。
功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]像素结构-CN201010510081.1有效
发明人：柳智忠;曹岩 -专利权人：深超光电（深圳）有限公司
申请日： 2010-10-18 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明提供一种像素结构，包括：扫描线及数据线，两者彼此交错并且电绝缘；栅极，与扫描线电性连接；源极，至少部分位于栅极上并连接至数据线；漏极，至少部分位于栅极上并与源极对向配置；像素电极，包括一主体部和一延伸部，主体部与漏极电性连接，延伸部与主体部电性相连，且延伸部与栅极及漏极部份重叠。
像素结构

[发明专利]采样开关、应用其的信号采样放大电路及控制方法-CN202110311475.2有效
发明人：郭振华;冯鹏;顾超;尹韬;于双铭;窦润江;刘力源;刘剑;吴南健 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种采样开关、应用其的信号采样放大电路及控制方法，采样开关包括：衬底；栅极，形成于衬底的上表面；源极，形成于衬底内，位于栅极的一侧；漏极，形成于衬底内，位于栅极相对于源极的另一侧；沟道区域，形成于正对栅极的衬底内，位于源极和漏极之间；梯度掺杂注入层，形成于源极上，由源极的远离栅极的边界延伸至沟道区域上；阈值调整注入层，形成于梯度掺杂注入层的上表面，从源极远离栅极的边界延伸至漏极远离栅极的边界。通过对采样开关进行两次离子注入分别形成梯度掺杂注入层和阈值调整注入层，使采样开关形成梯度掺杂的沟道区域，有效抑制了沟道电荷向源极侧的泄露。
采样开关应用信号放大电路控制方法

[发明专利]阵列基板及显示装置-CN201710718273.3有效
发明人：先建波;程鸿飞;乔勇;马永达 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及显示装置，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的栅极层、源漏极层和TFT；所述栅极层包括所述TFT的栅极，所述源漏极层包括所述TFT的源极和漏极；所述TFT的漏极包括漏极主体和延伸部，所述漏极主体与所述TFT的栅极存在交叠，所述延伸部在非TFT区域与所述栅极层存在交叠。本发明提出的阵列基板及显示装置，能够解决漏极与栅极线的交叠面积发生波动的问题。
阵列显示装置

[发明专利]三维存储器件中的具有处于衬底内的导电部分的接触结构及其形成方法-CN201980003394.7有效
发明人：夏季;徐伟;黄攀;徐文祥;王贝寒 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：在示例中，3D存储器件包括衬底、处于衬底上的存储堆叠体以及垂直地穿过存储堆叠体延伸的源极接触结构。源极接触结构包括处于衬底内并且具有不同于衬底的导电材料的第一源极接触部分。源极接触结构还包括处于第一源极接触部分以上，并且与第一源极接触部分接触并导电连接的第二源极接触部分。
三维存储器件中的具有处于衬底导电部分接触结构及其形成方法

[实用新型]双电晶体的封装结构-CN202120248321.9有效
发明人：颜宗贤;王兴烨;沈峰睿;吴家荣 -专利权人：鸿镓科技股份有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一种双电晶体的封装结构，包括有一基板，其内部设有第一、第二、第三及第四导电部，其中第一导电部延伸至基板正面形成有一第一接点，且延伸至基板背面形成有一漏极输出接点；第二导电部延伸至基板正面形成有一第二接点，且延伸至基板正面形成有一源极输出接点；第三导电部延伸至基板正面形成有一第三接点，且延伸至基板正面形成有一第四接点。一第一电晶体以其漏极连接第一接点，栅极连接第二接点，源极连接第三接点。一第二电晶体以其源极连接源极输出接点，栅极连接栅极输出接点，漏极连接第四接点。
电晶体封装结构

[发明专利]具有场效应晶体管的IC封装件-CN202310039125.4在审
发明人： M·涩谷;K-S·金 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：焊盘矩阵(120)具有源极焊盘排(124)和漏极焊盘排(128)。漏极键合线(152)从第一漏极焊盘(140)延伸到漏极焊盘排(128)的第二漏极焊盘(144)并延伸到互连件(108)的第一平台(112)。源极键合线(160)从第一源极焊盘(132)延伸到源极焊盘排(124)的第二源极焊盘(136)，在第一源极焊盘(132)上方返回，且耦合到第一平台(112)的连接区域(114)。
具有场效应晶体管 ic 封装

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