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[发明专利]薄膜晶体管-CN201310037008.0有效
发明人：钱庆凯;李群庆 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管，包括一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层，所述半导体层与所述源极及漏极接触设置，所述半导体层位于所述源极与漏极之间的部分形成一沟道；以及一栅极，该栅极通过一第一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置；其中，所述源极包括一源极本体及一源极延伸部，所述漏极包括一漏极本体及一漏极延伸部，所述源极延伸部及漏极延伸部相互间隔设置且覆盖部分沟道，且所述源极延伸部及漏极延伸部的功函数与所述半导体层的功函数不相同
薄膜晶体管

[实用新型]金属氧化物半导体场效应晶体管-CN200620115141.9无效
发明人：蔡振华;蓝邦强;林育信;刘毅成;蔡成宗 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-05-12 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括一基底、间隙壁、源极与漏极延伸层及源极与漏极层。其中，基底上配置有栅极结构，而间隙壁位于此栅极结构的侧壁上。源极与漏极延伸层位于间隙壁以下的基底中，而源极与漏极层位于间隙壁以外的基底中。此外，源极与漏极层的深度大于源极与漏极延伸层的深度。源极与漏极延伸层及源极与漏极层均为应变层(strained layer)。因为源极与漏极延伸层及源极与漏极层具有特定的材料与结构，所以能够改善短沟道效应，并使此金属氧化物半导体场效应晶体管具有优异的效能。
金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210173733.X在审
发明人：松本拓也 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体装置具备：基板；第一源极叉指；第一栅极叉指，在第一源极叉指的延伸方向上延伸；第二源极叉指，具有比第一源极叉指的宽度小的宽度，宽度方向的宽度处于第一源极叉指的宽度内，在延伸方向上延伸；第二栅极叉指，在延伸方向上延伸；第一源极布线，连接第一源极叉指和第二源极叉指；第一栅极布线，与第二栅极叉指夹着第二源极叉指，宽度方向的宽度处于第一源极叉指的宽度内；第二栅极布线，与第一源极布线非接触地交叉，连接第一栅极布线和第一栅极叉指；及第一漏极叉指，与第一源极叉指夹着第一栅极叉指，与第二源极叉指夹着第二栅极叉指。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201380025183.6有效
发明人：三浦成久;日野史郎;古川彰彦;阿部雄次;中田修平;今泉昌之;香川泰宏 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：MOSFET的源极区域(12)包含与源极焊盘(41)连接的源极接触区域(12a)、与阱区域(20)的沟道区域邻接的源极延伸区域(12b)、以及配置在源极延伸区域(12b)与源极接触区域(12a)之间且杂质浓度不同于源极延伸区域(12b)以及源极接触区域(12a)的源极电阻控制区域(15a)。这三个区域被串联连接在源极焊盘(41)与阱区域(20)的沟道区域之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]三维半导体装置-CN202211532530.1在审
发明人：李槿熙;金景洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：所述三维半导体装置包括：第一源极/漏极图案、第二源极/漏极图案、第三源极/漏极图案和第四源极/漏极图案，顺序地堆叠在基底上；接触结构，在第一源极/漏极图案至第四源极/漏极图案上；和接触线，在接触结构上。接触结构包括：第一源极/漏极图案上的第一有源接触件、第二源极/漏极图案上的第二有源接触件、第三源极/漏极图案上的第三有源接触件、和第四源极/漏极图案上的第四有源接触件。第一有源接触件的第一垂直延伸部分邻近于接触结构的一侧，第二有源接触件的第二垂直延伸部分邻近于接触结构的另一侧。第三有源接触件的第三垂直延伸部分置于第一垂直延伸部分与第二垂直延伸部分之间，更靠近第一垂直延伸部分。
三维半导体装置

[发明专利]具有抬升的源极和漏极结构的金氧半晶体管及其制造方法-CN200310119705.7有效
发明人：高荣健;吴昌奉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-12-03 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有抬升的源极和漏极结构的金氧半晶体管及其制造方法，该晶体管包括源极延伸区和漏极延伸区，其中抑制或消除了掺杂剂在沟道区内的扩散。这部分地通过抬升源极延伸区和漏极延伸区至形成在下面的衬底上的外延层中来实现。由此，增大了有效沟道长度，同时限制了掺杂剂扩散至沟道区中。按此方式，可以通过控制源极延伸区和漏极延伸区、源极区和漏极区各自的几何形状(例如，深度和宽度)、沟道宽度以及可选地形成在下面的衬底中的沟槽，精确地确定晶体管的性能特性。在几个实施例中，源极区和漏极区以及源极延伸区和漏极延伸区可部分或完全延伸穿过外延层，或者甚至延伸至下面的半导体衬底中。
具有抬升结构金氧半晶体管及其制造方法

[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管-CN202210465622.6在审
发明人：陈玉云;沈奕;吕岳敏;杨秋强;余荣;陈远明 -专利权人：汕头超声显示器技术有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化物薄膜晶体管，包括设置在基板上的栅极和绝缘层，以及有源层、源极、漏极和沟道保护层，栅极被绝缘层所覆盖，有源层、源极、漏极均设置在绝缘层上，沟道保护层设置在沟道部位上，源极、漏极相对设置并与有源层顶部搭接；沟道保护层包括混有吸光物质的光敏树脂涂层；源极、漏极为由金属层图形化而成的金属电极，源极、漏极分别设有向沟道保护层顶部延伸的源极延伸部、漏极延伸部，源极延伸部和漏极延伸部覆盖光敏树脂涂层而构成沟道保护层的遮挡结构，源极延伸部与漏极延伸部之间设有缝隙。
一种氧化物薄膜晶体管

[实用新型]高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管-CN202120908459.7有效
发明人：蔡政原 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管，包括漏极半导体层、源极半导体层以及多个栅极半导体层，其中，漏极半导体层包括漏极主干层和多个间隔并列布置的漏极延伸层；源极半导体层包括源极主干层和多个间隔并列布置的源极延伸层，漏极半导体层的漏极延伸层的延伸侧与源极半导体层的源极延伸层的延伸侧相对布置；通过将栅极半导体层设置于相邻的两个源极延伸层之间，且环绕布置于漏极延伸层的外周，使得高电子迁移率晶体管结构在不增加整体面积的情况下，增大了栅极‑源极的相对面积，即提高了有效传导静电的面积，提高了ESD防护能力，解决了传统的高电子迁移率晶体管中存在有效传导静电的面积较小且静电释放防护能力差的问题。
电子迁移率晶体管结构

[发明专利]集成电路装置的形成方法-CN201910281684.X在审
发明人：吴旭升 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：此处公开改善集成电路装置效能所用的源极/漏极接点间隔物与其形成方法。该方法包括蚀刻层间介电层以形成源极/漏极接点开口，其露出源极/漏极结构上的接点蚀刻停止层。沉积源极/漏极接点间隔物层，以部分地填入源极/漏极接点开口并覆盖层间介电层与露出的接点蚀刻停止层。蚀刻源极/漏极接点间隔物层与接点蚀刻停止层，延伸源极/漏极接点开口以露出源极/漏极结构。蚀刻步骤形成源极/漏极接点间隔物。方法包含形成源极/漏极接点至延伸的源极/漏极接点开口中露出的源极/漏极结构。源极/漏极接点形成于源极/漏极接点间隔物上，并填入延伸的源极/漏极接点开口。在形成源极/漏极接点之前，可形成硅化物结构于露出的源极/漏极结构上。
源极/漏极接点间隔开口蚀刻停止层蚀刻介电层填入延伸集成电路装置硅化物结构间隔物层漏极接点沉积源覆盖层蚀刻层物层

[发明专利]具有不同宽度的源极与漏极触点的半导体装置-CN201911054212.7在审
发明人：邱上轩;庄惠中;杨荣展;田丽钧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种具有不同宽度的源极与漏极触点的半导体装置包括基板中的主动区域。主动区域在第一方向上延伸。半导体装置进一步包括栅极结构，该栅极结构在与第一方向不同的第二方向上延伸。栅极结构跨主动区域延伸。半导体装置进一步包括多个源极/漏极触点，该多个源极/漏极触点在第二方向上延伸并且在栅极结构的相对侧上重叠主动区域中的多个源极/漏极区域。多个源极/漏极触点的第一源极/漏极触点具有第一宽度，并且多个源极/漏极触点的第二源极/漏极触点具有小于第一宽度的第二宽度。
具有不同宽度触点半导体装置

[发明专利]具有由多重局部浓度最大值所定义的源极/漏极延伸区的场效应晶体管的结构和制造-CN201080013856.2无效
发明人：威廉·D·弗伦奇;康斯坦丁·布卢恰 -专利权人：国家半导体公司
申请日： 2010-03-25 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅场效应晶体管(100W)，其具有源极(980)与漏极(242)，该源极与漏极会被半导体主体的主体材料(180)的沟道区带(244)横向分离。主体材料中的较重度掺杂袋部(250)通常主要仅沿着该源极延伸，因此该IGFET是非对称装置。该源极具有主要源极部(980M)及较轻度掺杂的横向源极延伸区(980E)。定义该源极的半导体掺杂物会抵达多个局部浓度最大值以定义该源极延伸区。利用抵达此两个局部浓度最大值的半导体掺杂物来定义该源极延伸区所涉及的程序仅在两个源极/漏极延伸区掺杂操作中便能定义三个绝缘栅场效应晶体管中彼此具有不同特征的源极/漏极延伸区。
具有多重局部浓度最大值定义延伸场效应晶体管结构制造

[实用新型]半导体装置-CN202221832715.X有效
发明人：黄玉莲;李资良;李志鸿;张祺澔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含：半导体鳍片、第一源极/漏极区域和一第二源极/漏极区域、层间介电质、栅极堆叠、第一源极/漏极接触件、以及第二源极/漏极接触件。半导体鳍片从半导体基板延伸。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域在半导体鳍片内。层间介电质在半导体基板上方。栅极堆叠介于第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间，其中栅极堆叠的至少一下部在朝向半导体基板的方向在宽度上减小。第一源极/漏极接触件延伸穿过层间介电质至第一源极/漏极区域。第二源极/漏极接触件延伸穿过层间介电质至第二源极/漏极区域。
半导体装置

[实用新型]一种氧化物薄膜晶体管-CN202221022743.5有效
发明人：陈玉云;沈奕;吕岳敏;杨秋强;余荣;陈远明 -专利权人：汕头超声显示器技术有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氧化物薄膜晶体管，包括设置在基板上的栅极和绝缘层，以及有源层、源极、漏极和沟道保护层，栅极被绝缘层所覆盖，有源层、源极、漏极均设置在绝缘层的上表面上，沟道保护层设置在有源层上表面的沟道部位上，源极、漏极相对设置并与有源层顶部搭接，源极、漏极为由金属层图形化而成的金属电极，源极、漏极分别设有向沟道保护层顶部延伸的源极延伸部、漏极延伸部，源极延伸部和漏极延伸部覆盖沟道保护层而构成沟道保护层的遮挡结构，源极延伸部与漏极延伸部之间设有缝隙。
一种氧化物薄膜晶体管

[发明专利]半导体装置-CN202110735266.0在审
发明人：杨智铨;包家豪;林佑宽;洪连嵘;王屏薇;林士豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置，包括栅极延伸结构、第一源极/漏极特征和第二源极/漏极特征、沿着一个方向在第一源极/漏极特征和第二源极/漏极特征之间延伸的通道构件的垂直堆叠以及围绕通道构件的垂直堆叠中的每一个堆叠的栅极结构栅极延伸结构直接接触第一源极/漏极特征。
半导体装置

[发明专利]具有共用源极线和位线的磁性存储器装置-CN202010248863.6有效
发明人：吴奕廷;陈彦州;黄正同;王荏滺;杨伯钧;谢咏净;陈健中;李柏昌 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明公开一种具有共用源极线和位线的磁性存储器装置。存储器装置，包含一基底、一主动区域，在基底上沿一第一方向延伸、一栅极线，横越主动区域并沿不平行于第一方向的一第二方向延伸、一源极掺杂区，设置在主动区域中和栅极线的第一侧上、一主源极线，沿第一方向延伸、一源极线延伸部，耦接至主源极线并沿第二方向延伸，其中主源极线经由源极线延伸部电连接至源极掺杂区、一漏极掺杂区，设置在主动区域中并且在栅极线与第一侧相反的第二侧上，以及一数据存储元件，电连接到漏极掺杂区。
具有共用源极线磁性存储器装置

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