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[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202210331708.X在审
发明人：高韵峯;姜慧如 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明实施例的一种晶体管器件包括：源极电极及漏极电极；鳍结构，在源极电极与漏极电极的相应侧壁之间延伸且接触源极电极的相应侧壁及漏极电极的相应侧壁；半导体沟道层，位于鳍结构的上表面及侧表面之上，且包括位于鳍结构的侧表面之上的第一垂直部分及第二垂直部分，且半导体沟道层的第一垂直部分及第二垂直部分二者接触源极电极的相应侧壁及漏极电极的相应侧壁；栅极介电层，位于半导体沟道层之上；以及栅极电极，位于栅极介电层之上。通过在源极电极的侧壁与漏极电极的侧壁之间延伸的鳍结构之上形成半导体沟道层，可增大半导体沟道层与源极电极及漏极电极之间的接触区域，此可在不增大器件大小的条件下为晶体管器件提供增大的驱动电流。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列形成基板及其制造、图像显示装置用基板-CN201680022716.9有效
发明人：中条妃奈;石崎守 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管阵列形成基板为在基板上按顺序层叠栅电极、栅极绝缘体层、源电极、漏电极及与漏电极相连接的像素电极、半导体层、以及保护层，兼为源电极的源极配线在其延伸方向上周期性地具备切口部，源极配线的切口部形成在重叠于栅电极的位置上，具有切口部的部位成为细源极配线、没有切口部的部位成为宽度大于细源极配线的粗源极配线，至少粗源极配线具备开口部，半导体层是源极配线延伸的方向为长度方向的条纹，且跨越源电极和漏电极而形成，保护层将半导体层全部覆盖
薄膜晶体管阵列形成及其制造图像显示装置用基板

[发明专利]半导体结构-CN201811087078.6在审
发明人：李昆穆;李威养;萧文助 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：半导体结构包含栅极结构、第一源/漏极结构和接触结构。栅极结构包含栅极介电层设置于第一鳍片结构上。第一源/漏极结构设置于第一鳍片结构内且相邻于栅极结构。第一源/漏极结构包含第一外延层接触第一鳍片结构的顶面，以及第二外延层设置于第一外延层上且延伸至栅极介电层的底面上。接触结构延伸至第一源/漏极结构内。第一鳍片结构的顶面在第一源/漏极结构的顶面与底面之间。第一源/漏极结构的抬升高度与栅极介电层的厚度的比值在约1至约20的范围内。
源/漏极鳍片结构栅极介电层栅极结构外延层顶面半导体结构接触结构结构设置延伸底面抬升

[发明专利]有源矩阵基板和液晶显示装置-CN200880117232.8有效
发明人：伊藤了基;堀内智;山田崇晴 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明是一种有源矩阵基板，该有源矩阵基板设置有：呈矩阵状配置的像素栅极；源极配线，其与在行方向上相邻的两个像素电极双方重叠地配置，且在列方向上延伸；和保持电容配线，其与源极配线交叉地配置，且在行方向上延伸，上述像素电极、源极配线和保持电容配线隔着绝缘膜各自形成在不同的层，上述源极配线在行方向上相邻的两个像素电极下分别具有弯曲点，并且该源极配线具有横穿在行方向上相邻的两个像素电极的间隙的横断部，上述保持电容配线具有在列方向上延伸的延伸部，该延伸部与在行方向上相邻的两个像素电极的间隙重叠地配置，上述源极配线实质上仅在其与保持电容配线的交叉点与保持电容配线重叠。
有源矩阵液晶显示装置

[发明专利]半导体装置、集成晶片与其形成方法-CN202110363844.2在审
发明人：马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔;荷尔本·朵尔伯斯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：第一源极/漏极结构上伏于第一基板并且在横向上与栅极结构相邻。电力轨嵌入在第一基板中，并直接位于第一源极/漏极结构下方。第一源极/漏极触点自第一源极/漏极结构连续地延伸至电力轨。第一源极/漏极触点将第一源极/漏极结构电耦合至电力轨。
半导体装置集成晶片与其形成方法

[发明专利]具有降低的电阻的环绕式接触部-CN202211397521.6在审
发明人： P·马吉;A·默西;A·S·基拉姆帕利 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：源极或漏极区包括与主体接触的半导体材料，其中，源极或漏极区域的半导体材料包括具有大于源极或漏极区域的其余区域的掺杂剂浓度的外部区域，外部区域限定源极或漏极区域的多个接触表面并延伸到源极或漏极区域中至少1nm包括金属的接触部在源极或漏极区域的多个接触表面上。根据示例，外部区域的掺杂剂浓度沿着接触部和外部区域之间的整个界面是连续的。
具有降低电阻环绕接触

[发明专利]高击穿电压III族氮化物器件-CN201310350393.4有效
发明人： O.赫贝尔伦;C.奥斯特迈尔;G.普雷希特尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：源极区域延伸到复合半导体材料。漏极区域也延伸到复合半导体材料并且通过沟道区域与源极区域间隔开。绝缘区域被掩埋在半导体器件的有源区域中的衬底和复合半导体材料之间的半导体本体中。有源区域包括器件的源极，漏极和沟道区域。绝缘区域在源极区域和漏极区域之间的沟道区域的长度上是不连续的。
击穿电压 iii 氮化物器件

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN200610172428.X有效
发明人：彭远清;陈欣仪;卢叙伟;林学仕;陈伟铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体结构具有端接接触部结构(butted contact)，其电性连接源极/漏极至栅极延伸部(gate extension)。上述的半导体结构还包括设于源极/漏极上并与其电性连接的接触垫。接触垫可降低电阻，也可减少端接接触部与源极/漏极间断路(open)的可能性。接触垫的上表面优选与栅极延伸部等高。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种矩阵排列的环形FET器件-CN201710502384.0有效
发明人：李春江;翟媛 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种矩阵排列的环形FET器件，从下至上包括衬底、缓冲层及势垒层；环形隔离区形成于势垒层表面且延伸至缓冲层内部；源极由若干个呈矩阵排列的源极金属组成；栅极的第一环绕部由若干个呈矩阵排列的闭合环组成，闭合环环绕对应的源极金属；第一延伸部从每一行位于边缘的闭合环沿第一直线方向延伸覆盖至环形隔离区；漏极的第二环绕部具有若干个呈矩阵排列的通孔，闭合环位于对应的通孔内；第二延伸部从第二环绕部沿第二直线方向延伸覆盖至环形隔离区；从衬底底部向上开设若干背孔至源极金属，每个源极金属经对应的背孔通过连接金属与背面金属相连。
一种矩阵排列环形 fet 器件

[发明专利]半导体装置-CN202110101432.1在审
发明人：林孟汉;贾汉中;杨世海;徐志安;林佑明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种改进的记忆体单元架构，其结构包括纳米结构场效应晶体管及至少部分在纳米结构场效应晶体管下方延伸的水平电容器。在一实施例中，半导体装置包括在半导体基板上方的通道结构、环绕通道结构的栅极结构、邻近栅极结构的第一源极/漏极区域，以及邻近第一源极/漏极区域的电容器，在横截面图中电容器在第一源极/漏极区域及栅极结构下方延伸
半导体装置

[发明专利]围绕外延源极/漏极的背面器件接触部-CN202210571335.3在审
发明人： M·哈兰;C·华莱士;L·古勒尔;S·叶梅尼乔格鲁;M·科布林斯基;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：公开了环绕源极和/或漏极半导体实体的一部分的背面晶体管接触部、相关的晶体管结构、集成电路、系统和制造方法。该背面晶体管接触部耦合到源极和/或漏极半导体的顶部和侧面并且延伸到背面互连。耦合到源极和/或漏极半导体的顶表面和侧表面降低了接触电阻，并且沿着侧面延伸金属化部降低了晶体管单元尺寸以提高器件密度。
围绕外延背面器件接触

[发明专利]一种晶体管管芯结构及制作方法-CN201910942730.6有效
发明人：郑伯涛;陈建星;邱文宗;林易展;王淋雨;林伟;章剑清;郭一帆;林伟铭 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体管管芯结构及制作方法，其中制作方法包括如下步骤：在具有有源区、无源区、源极、漏极和栅极的半导体衬底上沉积第一层金属，在有源区形成源极金属和漏极金属，靠近源极的一侧的最外侧源极金属为第一源极金属，其余的源极金属为第二源极金属，源极金属的一侧延伸至无源区；沉积第二层金属，在相邻的源极金属和漏极金属之间形成栅极金属；沉积第三层金属，形成源极连线金属、漏极连线金属和栅极连线金属；以第一源极金属无源区部分和第二源极无源区部分为桥墩位置制作源极金属桥，源极金属桥连接源极金属和源极金属；本发明制作连通源极时不跨越有源区的栅极金属和漏极金属的金属桥结构，减小了寄生电容，提升器件射频工作性能。
一种晶体管管芯结构制作方法

[发明专利]半导体装置-CN202110824313.9在审
发明人：鄞金木;李威养;尤志豪;陈彦廷;林家彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的半导体装置包括第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构位于基板上；多个通道组件，延伸于第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构之间；多个内侧间隔物结构，与通道组件交错；栅极结构，包覆每一通道组件；半导体衬垫层
半导体装置

[发明专利]具有无源栅极的晶体管及其制造方法-CN200980136187.5有效
发明人：沃纳·云林 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2009-08-21 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明揭示一种具有晶体管(204、244、286)的装置，所述晶体管包括源极、漏极、在所述源极与所述漏极之间延伸的沟道区、接近所述沟道区安置的栅极(196、238、284)及在所述沟道区对面与所述栅极(所述导电部件(197、240、264)可不重叠所述源极、所述漏极或所述源极与所述漏极两者。
具有无源栅极晶体管及其制造方法

[发明专利]源极及/或漏极区域中充填区域的晶体管-CN200380104326.9有效
发明人： K·埃斯马克;P·里斯;T·沙夫鲍尔;M·斯特雷布;M·文德 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-11-26 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种晶体管具源极区域(SO)及漏极区域(D)，形成二或更多充填区域(FB)使得该充填区域(FB)及该源极(SO)及/或漏极区域(D)彼此接合。该充填区域(FB)具至少为与该源极(SO)及/或漏极区域(D)的垂直尺寸相同大小的垂直尺寸。该充填区域(FB)与该源极(SO)及/或漏极区域(D)系至少部分于共同垂直区段延伸。
区域充填晶体管