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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置和半导体装置的操作方法-CN201910826428.4有效
  • 周瀚洙;徐智贤;李熙烈 - 爱思开海力士有限公司
  • 2019-09-03 - 2023-10-20 - G11C7/12
  • 半导体装置和半导体装置的操作方法，该半导体装置包括：存储器串，所述存储器串联接在公共源极线和位线之间；以及外围电路，所述外围电路通过多条字线和虚设字线联接到所述存储器串，并且被配置为在执行读取操作之前设置所述字线和所述虚设字线的偏置，其中，所述外围电路在将所述第一通过电压施加到所述字线的同时将比第一通过电压低的初始电压施加到所述虚设字线，并且将所述第一通过电压和所述初始电压增加到第二通过电压以设置所述字线和所述虚设字线的偏置。
  • 半导体装置操作方法
  • [发明专利]半导体器件以及半导体器件的操作方法-CN201910615392.5有效
  • 李熙烈 - 爱思开海力士有限公司
  • 2019-07-09 - 2023-10-13 - G11C16/08
  • 本发明公开了半导体器件以及半导体器件的操作方法。一种操作半导体器件的方法，所述半导体器件包括：存储块，其包括多个字线；以及控制逻辑，其用于：对与所述多个字线之中的第一字线相对应的第一存储单元执行第一编程操作，对与相邻于所述第一字线的第二字线相对应的第二存储单元执行所述第一编程操作，对所述第一存储单元执行第二编程操作，对与相邻于所述第二字线的第三字线相对应的第三存储单元执行虚设编程操作，以及对所述第二存储单元执行所述第二编程操作。
  • 半导体器件以及操作方法
  • [发明专利]半导体装置及其操作方法-CN201910738386.9有效
  • 周瀚洙;朴凤烈;徐智贤;李熙烈 - 爱思开海力士有限公司
  • 2019-08-12 - 2023-09-15 - G11C16/10
  • 半导体装置及其操作方法。一种半导体装置包括存储器串，该存储器串包括多个存储器单元并且联接在源线和位线之间。一种用于操作半导体装置的方法可以包括以下步骤：对存储器串的沟道区域中的第一沟道区域进行升压，其中，沟道区域包括位于被选存储器单元的一侧的第一沟道区域和位于被选存储器单元的另一侧的第二沟道区域；将预编程偏压施加到被选存储器单元的栅极，以使电子注入到被选存储器单元的空间区域中；以及将编程偏压施加到所述栅极。
  • 半导体装置及其操作方法
  • [发明专利]存储器装置及其操作方法-CN201811486071.1有效
  • 李熙烈 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-12-06 - 2023-06-13 - G11C7/12
  • 存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括分别联接到多条字线的多个存储器单元；外围电路，其被配置为执行至少一个编程循环，所述至少一个编程循环包括将编程电压施加到与所述多条字线当中的所选字线联接的所选存储器单元以及确定所选存储器单元是否已被完全编程；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路在编程电压被施加到所选字线的同时，将不同电平的编程控制电压施加到分别联接到所选存储器单元当中的第一存储器单元组中的存储器单元的位线并将编程允许电压施加到分别联接到所选存储器单元当中的第二存储器单元组中的存储器单元的位线。
  • 存储器装置及其操作方法
  • [发明专利]半导体器件和该半导体器件的操作方法-CN201810992950.5有效
  • 李熙烈 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-08-29 - 2023-06-06 - G11C11/40
  • 半导体器件和该半导体器件的操作方法。在一种用于操作半导体器件的方法中，该方法可以包括以下步骤：将存储多比特数据的存储器单元的编程状态分为多个组；向与所述多个组当中的被选组对应的位线施加不同的偏置电压；向与所述被选组对应的被选字线施加编程电压；验证与所述被选字线对应的被选存储器单元中的每一个是否被编程为相应的目标编程状态；向与已编程的存储器单元联接的位线施加禁止电压；以及选择待编程的下一个组，直到所述多个组被编程为止。
  • 半导体器件操作方法
  • [发明专利]半导体装置及操作半导体装置的方法-CN201911030714.6有效
  • 李熙烈;徐智贤;金世训 - 爱思开海力士有限公司
  • 2019-10-28 - 2023-06-06 - G11C16/04
  • 本文可以提供半导体装置及操作半导体装置的方法。该方法可以包括：使用第一编程脉冲、第一位线电压、第一预验证电压和第一主验证电压对被选存储器单元执行第一编程操作，并且在第一预验证电压和第一主验证电压之间具有第一电平差；以及使用第二编程脉冲、第二位线电压、第二预验证电压和第二主验证电压对被选存储器单元执行第二编程操作，并且在第二预验证电压与第二主验证电压之间具有第二电平差。第二电平差可以小于第一电平差，并且第二位线电压的电平可以高于第一位线电压的电平。
  • 半导体装置操作方法
  • [发明专利]存储器系统和操作该存储器系统的方法-CN202210120390.0在审
  • 李熙烈 - 爱思开海力士有限公司
  • 2022-02-07 - 2023-02-17 - G11C16/10
  • 本公开涉及存储器系统和操作该存储器系统的方法。一种存储器设备包括存储器块、外围电路和控制逻辑。存储器块包括分别连接到多个选择线之中的对应选择线的多个串组。外围电路对存储器块执行数据的编程操作。控制逻辑控制外围电路的编程操作。存储器块连接到第一字线至第n字线。控制逻辑被配置成控制外围电路，以在包括在第一串组中的物理页之中，对连接到第i字线的物理页执行第一编程操作，对连接到第i‑1字线的物理页执行第二编程操作，并且对连接到第i+1字线的物理页执行虚设编程操作。这里，n为等于或大于3的自然数，并且i为大于0并且小于n‑1的自然数。
  • 存储器系统操作方法
  • [发明专利]半导体存储器装置及其操作方法-CN202210355372.0在审
  • 李熙烈 - 爱思开海力士有限公司
  • 2022-04-06 - 2023-02-17 - G11C16/10
  • 本申请涉及半导体存储器装置及其操作方法。一种半导体存储器装置包括：包括多个串组的存储块、外围电路和控制逻辑。外围电路对存储块中包括的源极选择晶体管执行编程操作。控制逻辑控制外围电路的编程操作。多个串组中的每一个包括至少一个单元串，并且至少一个单元串包括位于与存储器单元相邻的内部源极选择晶体管和位于与公共源极线相邻的外部源极选择晶体管。控制逻辑控制外围电路以对外部源极选择晶体管执行编程操作并且通过ISPP方法来对内部源极选择晶体管执行编程操作。控制逻辑在内部源极选择晶体管的编程操作期间控制外围电路以通过将内部源极选择晶体管划分成至少两组来执行验证操作。
  • 半导体存储器装置及其操作方法
  • [发明专利]半导体存储器设备-CN202210009534.5在审
  • 李熙烈 - 爱思开海力士有限公司
  • 2022-01-06 - 2023-01-03 - G11C16/14
  • 一种半导体存储器设备包括存储器单元阵列、页缓冲器和控制逻辑。存储器单元阵列包括用于存储数据的多个存储器单元。页缓冲器通过位线耦合到该多个存储器单元之中的至少一个存储器单元，并且被配置成将数据存储在该至少一个存储器单元中。控制逻辑被配置成控制页缓冲器的操作。页缓冲器包括：第一晶体管，该第一晶体管耦合在位线与第一节点之间；第二晶体管，该第二晶体管耦合在位线与外部电源电压端子之间；以及内部操作电路，该内部操作电路耦合到第一节点。
  • 半导体存储器设备
  • [发明专利]半导体存储器设备及其操作方法-CN202210010760.5在审
  • 李熙烈 - 爱思开海力士有限公司
  • 2022-01-06 - 2022-12-27 - G11C16/34
  • 本公开的实施例涉及半导体存储器设备及其操作方法。操作半导体存储器设备的方法包括执行多个编程循环，以对多个存储器单元之中的被选择的存储器单元进行编程。多个编程循环中的每个编程循环包括编程阶段和验证阶段。编程阶段包括：设置与包括被选择的存储器单元的被选择的存储器块连接的选择线的状态，其中设置与被选择的存储器块连接的选择线的状态包括基于被选择的存储器单元的编程进度状态，向选择线施加电压；设置与被选择的存储器块连接的位线的状态；将编程电压施加到字线之中与被选择的存储器块连接的被选择的字线；以及将通过电压施加到未被选择的字线。
  • 半导体存储器设备及其操作方法
  • [发明专利]半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法-CN202111628655.X在审
  • 李熙烈 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-12-28 - 2022-11-29 - G11C16/34
  • 本公开的实施例涉及半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法。一种操作半导体存储器设备的方法包括用于编程多个存储器单元中的所选择的存储器单元的多个编程循环。多个编程循环中的每个编程循环包括：设置与所选择的存储器单元连接的位线的状态；将编程电压施加到与所选择的存储器单元连接的字线；以及使用第一预验证电压、大于第一预验证电压的第二预验证电压和大于第二预验证电压的主验证电压对所选择的存储器单元执行验证操作。通过执行验证操作来确定第一编程允许单元、第二编程允许单元、第三编程允许单元和编程禁止单元。
  • 半导体存储器设备操作方法
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