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[发明专利]半导体结构-CN201710660042.1在审
发明人：陈永翔;杨怡箴 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括一基板、一第一源极/漏极区、一第二源极/漏极区、一通道掺杂区、和一栅极结构。第一源极/漏极区设置于基板中。第一源极/漏极区包括一第一区和一第二区，第二区位于第一区下。第二源极/漏极区设置于基板中。第二源极/漏极区与第一源极/漏极区相对设置。通道掺杂区设置于基板中，位于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。栅极结构设置于通道掺杂之上。在平行于基板之上表面的一投影面中，第一源极/漏极区的第二区与栅极结构分离。第一源极/漏极区、第二源极/漏极区、和通道掺杂区具有相同导电类型。
源极/漏极区基板通道掺杂栅极结构半导体结构第一区导电类型相对设置投影面平行

[发明专利]半导体结构-CN201810488000.9在审
发明人：郑宇彣;卢炜业;王毓萱;李弘贸;蔡彦明;陈泓旭;林威戎;张志维;蔡明兴;林圣轩;郑雅忆;林正堂 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：在一实施例中，结构包括具有源极/漏极区的主动区于基板上；介电层，位于主动区上并具有对准源极/漏极区的侧壁的侧壁；以及导电结构，沿着介电层的侧壁至源极/漏极区。源极/漏极区具有侧壁与自源极/漏极区的侧壁横向延伸的横向表面，且源极/漏极区还包含自源极/漏极区的侧壁横向延伸至源极/漏极区中的氮化区。导电结构包含沿着源极/漏极区的横向表面并沿着源极/漏极区的侧壁的至少一部分的硅化物区。
源极/漏极区侧壁半导体结构导电结构横向表面横向延伸介电层漏极区主动区自源氮化硅化物区基板对准

[发明专利]具有在其中共享源极/漏极区的晶体管的半导体装置-CN202010657486.1在审
发明人：石井利尚 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请案涉及具有在其中共享源极/漏极区的晶体管的半导体装置。本文中公开一种设备，其包含：第一扩散区，其具有矩形形状并且包含沿所述第一方向布置的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；第二扩散区，其具有矩形形状并且包含沿所述第一方向布置的第三到第五源极/漏极区；第一栅电极，其沿第二方向延伸，并且设置于所述第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间以及所述第三源极/漏极区和第四源极/漏极区之间；和第二栅电极，其沿所述第二方向延伸，并且设置于所述第四源极/漏极区和第五源极/漏极区之间所述第一源极/漏极区和第三源极/漏极区带有彼此相同的电势，且所述第二源极/漏极区和第四源极/漏极区带有彼此相同的电势。
具有其中共享漏极区晶体管半导体装置

[发明专利]集成电路结构中的源极/漏极区-CN202011528909.6在审
发明人：马子烜;A·C-H·韦;G·布切 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明标题为“集成电路结构中的源极/漏极区”。本文公开了集成电路（IC）结构中的源极/漏极区，以及有关方法和组件。例如，在一些实施例中，IC结构可以包括：沟道区的阵列，包括第一沟道区和相邻的第二沟道区；第一源极/漏极区，所述第一源极/漏极区接近于第一沟道区；第二源极/漏极区，所述第二源极/漏极区接近于所述第二沟道区；以及绝缘材料区，至少部分地在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间。
集成电路结构中的漏极区

[发明专利]槽型源极的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法-CN202111463405.5在审
发明人：张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请是关于一种槽型源极的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、N型源区、屏蔽栅、控制栅、绝缘层、槽型源极、漏极以及金属栅极；漂移区与衬底区相接，基体区和N型源区依次设置在漂移区上方；控制栅和屏蔽栅由上至下依次设置在漂移区的侧方，并通过绝缘层分别与漂移区、基体区和N型源区相接；槽型源极包括水平源极部和竖直源极部，竖直源极部相接在水平源极部的一端，形成纵截面呈L型的源极；水平源极部设置在N型源区上方，竖直源极部与N型源区和基体区的侧面均相接，使得N型源区的拐角与槽型源极的拐角相贴合；漏极设置在衬底区下方；金属栅极设在控制栅上方。
槽型源极屏蔽沟槽场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体结构-CN201611126760.2有效
发明人：陈永翔;张耀文;刘注雍;杨怡箴;张馨文 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构，包括一第一源极/漏极区、一第二源极/漏极区、一通道掺杂区、一栅极结构、一第一阱、和一第二阱。第二源极/漏极区与第一源极/漏极区相对设置。通道掺杂区设置在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间。栅极结构设置在通道掺杂区上。第一阱具有设置在第一源极/漏极区下的一第一部分。第二阱与第一阱相对设置，并与第二源极/漏极区分离。第一源极/漏极区、第二源极/漏极区、和通道掺杂区具有一第一导电类型。第一阱和第二阱具有不同于第一导电类型的一第二导电类型。
半导体结构

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110475581.4在审
发明人：邱奕正;林天声;许胜福;李陈毅;钟久华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：所述半导体器件具有位于衬底中的源极区及漏极区、栅极结构以及金属线。源极区在衬底中环绕漏极区。栅极结构设置在衬底上，且设置在源极区与漏极区之间。栅极结构环绕漏极区。金属线位于源极区及漏极区以及栅极结构上方且电连接到漏极区或源极区。源极区包括掺杂区，所述掺杂区具有位于所述掺杂区的两个相对端部之间的断开区。金属线从漏极区延伸、跨越栅极结构且跨越断开区并超过源极区。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]三维存储器及其制造方法-CN201410647980.4有效
发明人：萧逸璿;陈威臣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：此一薄膜晶体管具有分开设置的一源极区及一漏极区。源极区包括一第一源极区及一第二源极区，第二源极区设置于第一源极区与漏极区之间。第一源极区为p型掺杂，第二源极区为n型掺杂，漏极区为n型掺杂。
三维存储器及其制造方法

[发明专利]高电压半导体元件-CN201010623359.6有效
发明人：黄学义;黄胤富;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电压半导体元件，用于高电压应用，包括一掺杂源基极区、一N+源极区、一P+源极区和一栅极结构。此掺杂源基极区为P型。此N+源极区向下延伸入此掺杂源基极区。此P+源极区邻近此N+源极区并向下延伸入此掺杂源基极区，且相较于此掺杂源基极区是具有较重掺杂。此栅极结构耦接至此N+源极区且邻近此P+源极区。
电压半导体元件

[发明专利]紧凑源极镇流器MOSFET及其制备方法-CN201810312715.9在审
发明人：雷燮光;马督儿·博德;潘继 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种沟槽金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，包括一个第一导电类型的衬底，一个第二导电类型的本体区，一个形成在栅极沟槽中的栅极电极，在本体区和衬底中延伸，一个轻掺杂源极区和一个形成在本体区中的重掺杂源极区，以及一个延伸到本体区的源极接头形成在栅极沟槽附近的源极接触沟槽中。轻掺杂源极区延伸到本体区中比重掺杂源极区更深处。轻掺杂源极区在源极接触沟槽附近。镇流电阻器形成在轻掺杂源极区中，在重掺杂源极区和本体区之间，以及一个肖特基二极管形成在源极接头和轻掺杂源极区之间的接头处。
轻掺杂源极区重掺杂源极源极接触源极接头栅极沟槽衬底延伸镇流器半导体场效应晶体管第一导电类型肖特基二极管掺杂源极区镇流电阻器导电类型沟槽金属栅极电极接头处紧凑源氧化物制备

[发明专利]半导体结构、半导体器件及其制造方法-CN201910768199.5有效
发明人：张盟昇;杨耀仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：读取器件包括耦合到第一字线的第一栅极、耦合到位线的第一源极/漏极区以及第二源极/漏极区。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区位于第一栅极的相对侧上。编程器件包括第二栅极、耦合到第二源极/漏极区的第三源极/漏极区以及第四源极/漏极区。第三源极/漏极区和第四源极/漏极区位于第二栅极的相对侧上。伪器件包括第三栅极、耦合到第四源极/漏极区的第五源极/漏极区以及第六源极/漏极区。第五源极/漏极区和第六源极/漏极区位于第三栅极的相对侧上。本发明的实施例还涉及半导体结构、半导体器件及其制造方法。
半导体结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]晶体管及形成集成电路系统的方法-CN202080056191.7在审
发明人：刘鸿威;S·查杰德;J·B·赫尔;A·A·卡恩德卡尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、竖直地处于所述顶部及底部源极/漏极区之间的沟道区，及以操作方式横向邻近于所述沟道区的栅极。所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区及所述沟道区中的至少一个是结晶的。所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区及所述沟道区中的所述至少一个内的所有晶粒具有彼此相差在0.064pm3内的平均晶体尺寸。公开包含方法的其它实施例。
晶体管形成集成电路系统方法

[发明专利]晶体管结构及其制造方法-CN200610142189.3有效
发明人：林正基;连士进;叶清本 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种晶体管结构，包括一基板、一第一阱区、一源极区及一反熔丝结构。第一阱区具有第一掺杂物并位于基板内。源极区位于第一阱区中，包括一轻掺杂源极区以及一重掺杂源极区，重掺杂源极区位于轻掺杂源极区内。重掺杂源极区的边缘与轻掺杂源极区的边缘基本上保持一距离。反熔丝结构设置于源极区上。
晶体管结构及其制造方法

[实用新型]半导体装置-CN202320187863.9有效
发明人：林哲宇;游明华;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置包含一基板、一鳍片、一隔离区、一栅极结构、一源极/漏极区及一源极/漏极触点。鳍片自基板凸出。隔离区围绕鳍片。栅极结构在鳍片及隔离区上方延伸。源极/漏极区在邻接栅极结构的鳍片中，源极/漏极区的第一晶面平面与源极/漏极区的第二晶面平面之间的一隅角在110°与125°之间。源极/漏极触点在源极/漏极区上。
半导体装置

[实用新型]对称高压MOS器件-CN201120319214.7有效
发明人：胡林辉;吴健;曾金川;黄海涛 -专利权人：上海新进半导体制造有限公司
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种对称高压MOS器件，该对称高压MOS器件包括：栅极；位于栅极下方两侧成对称结构的源极和漏极；位于所述源极和漏极周围，分别环绕所述源极和漏极的源极漂移区和漏极漂移区；位于栅极下方、隔离所述源极漂移区和漏极漂移区的沟道区，且所述沟道区延伸至所述源极漂移区和漏极漂移区的外围。本实用新型所提供的对称高压MOS器件，使沟道区延伸至源极漂移区和漏极漂移区的外围，因此，所述沟道区可将所述源极漂移区和漏极漂移区完全隔离开，从而可减小源极漂移区和漏极漂移区之间的距离，进而减小了沟道区的长度
对称高压 mos 器件

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