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- [实用新型]单通道瞬态电压抑制器-CN201620417745.2有效
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周源;唐晓琦;巨长胜
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北京燕东微电子有限公司
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2016-05-10
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2016-09-21
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H01L27/02
- 公开了单通道瞬态电压抑制器。所述单通道瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底中的第一掺杂区；位于所述半导体衬底上的外延层；从所述外延层表面延伸到所述半导体衬底中的导电通道；位于所述外延层中的第二掺杂区；以及位于所述第二掺杂区中的第三掺杂区所述单通道瞬态电压抑制器包括穿通二极管，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及所述第三掺杂区分别作为所述穿通二极管的集电区、基区和发射区,所述导电通道与所述半导体衬底接触，且与所述第一掺杂区和所述外延层中的至少一个接触，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区上方且与所述导电通道分隔开。该单通道瞬态电压抑制器采用穿通二极管降低工作电压，从而提高大功率下的静电释放能力。
- 通道瞬态电压抑制器
- [发明专利]薄膜晶体管-CN200510098566.3有效
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施智仁;方俊雄;邓德华;吕佳谦
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中华映管股份有限公司
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2005-09-02
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2007-03-07
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H01L29/786
- 一种薄膜晶体管，包括基底、栅绝缘层、双栅极结构以及第一、第二浅掺杂区。其中，基底包括分别设置于基底的相对两侧的源极区与漏极区、位于源极区及漏极区之间的重掺杂区、位于重掺杂区及源极区之间的第一通道区以及位于重掺杂区及漏极区之间的第二通道区。栅绝缘层覆盖基底，而双栅极结构包括分别设置于第一通道区以及第二通道区上方之栅绝缘层上的第一栅极以及第二栅极。另外，第一浅掺杂区设置于第二通道区及重掺杂区之间，而第二浅掺杂区设置于第二通道区与漏极区之间，且第二浅掺杂区之长度大于第一浅掺杂区之长度。
- 薄膜晶体管
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