“虞国新”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果122个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]p-GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202310202138.9有效
发明人：张子敏;钱振华;张艳旺;虞国新;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种p‑GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法，该p‑GaN高电子迁移率晶体管包括：基础结构、P型氮化镓区和至少一个外延P型氮化镓区；P型氮化镓区和外延P型氮化镓区均处于基础结构上表面；各外延P型氮化镓区依次连接后与P型氮化镓区的一端连接；基础结构顶部还设置有电极结构。由于本发明在基础结构顶部设置有P型氮化镓区和至少一个外延P型氮化镓区，并各外延P型氮化镓区依次连接后与P型氮化镓区的一端连接，相比于现有的，本发明采用多个P型氮化镓区，将耗尽区引入的负电荷进行延伸，等效地在表面引入所需的负电荷，进而提高击穿电压的效果。
gan 电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]具有分段式栅结构的沟槽型场效应晶体管及其制备方法-CN202210190331.0在审
发明人：张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本申请是关于一种具有分段式栅结构的沟槽型场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、屏蔽栅、控制栅、绝缘层、源极、漏极及金属栅极；漂移区、基体区、源区及源极依次设置在衬底区上方，漏极设置于衬底区下方；控制栅和屏蔽栅由上至下依次设置在漂移区的一侧，并通过绝缘层分别与漂移区、基体区以及源区相接；控制栅和屏蔽栅之间通过绝缘层相隔；屏蔽栅从上至下由不同功函数的金属材料构成；控制栅从上至下由不同功函数的金属材料构成；源极设置于源区上方；金属栅极设置于控制栅上方。本申请提供的方案，能够提高晶体管器件的击穿电压。
具有段式结构沟槽场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]变掺杂浓度结构的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及制备方法-CN202210192925.5在审
发明人：张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本申请是关于变掺杂浓度结构的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、沟槽区、漏极以及源极；沟槽区包括屏蔽栅、控制栅、绝缘层和金属栅极；屏蔽栅以及漂移区为变掺杂浓度结构，漂移区的掺杂浓度由上至下逐级递减，屏蔽栅的掺杂浓度由上至下逐级递减。当晶体管正向阻断时，第三级漂移区和沟槽区拐角处之间的电场被削弱。因此，本申请实施例所示的变掺杂浓度结构的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管能够平衡耐压层在基体区和漂移区交界面处的尖峰电场，使得电场峰值更加改善，达到提高了击穿电压以及降低了比导通电阻。
掺杂浓度结构屏蔽沟槽场效应晶体管制备方法

[发明专利]低导通电阻的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法-CN202210192931.0在审
发明人：张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本申请是关于一种低导通电阻的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、沟槽区、漏极以及源极；沟槽区包括屏蔽栅、控制栅、绝缘层和金属栅极；屏蔽栅为变掺杂浓度结构，屏蔽栅的掺杂浓度由上至下逐级递减。当晶体管正向阻断时，屏蔽栅在靠近衬底区的部分掺杂浓度较低。因而，屏蔽栅靠近衬底区的部分在相同外加电压下更容易耗尽，即靠近衬底区的部分具有更厚的耗尽层宽度。而耗尽层的宽度与寄生电容的电容大小成反比，因此，本申请实施例中的屏蔽栅与衬底区之间形成的寄生电容更小，削弱了屏蔽栅与衬底区之间形成的寄生电容，进而提高了器件的开关速度。
通电屏蔽沟槽场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]具有高电容率材料的屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法-CN202210143115.0在审
发明人：张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本申请是关于一种具有高电容率材料的屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、高电容率耐压区、沟槽区、源极、漏极以及金属栅极；漂移区设置在衬底区与基体区之间，漏极设置在衬底区下方；漂移区包括：N型耐压区和高电容耐压区；高电容耐压区采用高电容率材料；N型耐压区和高电容耐压区并排分部在衬底区上方；沟槽区包括：由上至下依次设置的控制栅和屏蔽栅，以及将控制栅和屏蔽栅相互隔离的绝缘层；沟槽区设置在高电容率耐压区的上方，使得高电容率耐压区的顶面与屏蔽栅的底面相接。本申请提供的方案，能够提高晶体管的击穿电压。
具有电容材料屏蔽场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]双沟槽型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法-CN202210102628.7在审
发明人：张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请是关于一种双沟槽型屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括：第一沟槽区、第二沟槽区以及主体区；第一沟槽区和第二沟槽区分别设置在主体区两侧；第一沟槽区包括：金属栅极、第一绝缘层以及纵向设置的控制栅和屏蔽栅；控制栅和屏蔽栅通过第一绝缘层与主体区贴合；主体区包括：漏极、衬底区、漂移区、基体区、N型源区、P型源区以及源极；第二沟槽区包括：由下至上依次设置的浮空金属电极和对称P型区，以及第二绝缘层；浮空金属电极和对称P型区通过第二绝缘层与主体区贴合；屏蔽栅的掺杂类型为P型掺杂。本申请提供的方案，能够有效提高晶体管的击穿电压。
沟槽屏蔽场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管及其制备方法-CN202210111178.8在审
发明人：张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供一种具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、第一沟槽区、漏极以及源极；所述漂移区与所述衬底区相接，以所述衬底区指向所述漂移区的方向为上方，所述基体区和所述源区依次设置在所述漂移区的上方；所述第一沟槽区设置在所述基体区侧方，并分别与所述漂移区、所述基体区和所述源区相接；所述控制栅和所述屏蔽栅由上至下依次设置在所述第一沟槽区内，且经所述第一绝缘层分隔；所述控制栅通过所述第一绝缘层分别与所述基体区和所述源区相接，所述屏蔽栅通过所述绝缘层与所述漂移区相接；所述N型源区设置于所述基体区的上方，所述P型源区设置于所述基体区与所述第一沟槽区相对的侧方。
具有纵向型源区沟槽场效应晶体管及其制备方法

[实用新型]整合肖特基二极管的沟槽MOS功率器件-CN202122801221.7有效
发明人：陈宏;张子敏;王宇澄;虞国新 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种整合肖特基二极管的沟槽MOS功率器件，它包括N‑型硅衬底、栅极氧化层、屏蔽栅多晶硅、栅极导电多晶硅、P‑型体区、N+型源区、第一正面金属、掩蔽层、势垒合金、P‑型柱、第二正面金属与背面金属。本实用新型将高功效沟槽MOS与肖特基二极管集成并联在一个元胞里，缩减电路的器件个数，同时也集成双器件的功能，有效保证开关的恢复效率，减少了并联体内寄生二极管的导通损耗，也整体降低器件的应用成本。
整合肖特基二极管沟槽 mos 功率器件

[发明专利]三维隔离型超结结构场效应晶体管及其制备方法-CN202111547163.8在审
发明人：张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请是关于一种三维隔离型超结结构场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、屏蔽栅、控制栅、沟槽绝缘层、源极、漏极、金属栅极、P型超结柱以及三维绝缘层；P型超结柱以及漂移区沿着第一方向设置在衬底区上，三维绝缘层设置在P型超结柱及漂移区之间；基体区设置在漂移区上方，使得基体区的顶面与P型超结柱的顶面平齐；源区包括P型源区和N型源区；源区设置在基体区与P型超结柱上方；控制栅和屏蔽栅由上至下依次设置在漂移区的侧方，并通过绝缘层分别与漂移区、基体区、源区和P型超结柱相接；源极设置在源区上方；漏极设置在衬底区下方；金属栅极设在控制栅上方。本申请提供的方案，能够有效降低晶体管的导通电阻。
三维隔离型超结结构场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]具有三角型排列源区的屏蔽栅沟槽型晶体管及其制备方法-CN202111642816.0在审
发明人：张子敏;王宇澄;黄海猛;虞国新 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请是关于一种具有三角型排列源区的屏蔽栅沟槽型晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、屏蔽栅、控制栅、绝缘层、源极、漏极以及金属栅极；漂移区、基体区和源区依次设置在衬底区顶部，漏极位于衬底区底部；控制栅和屏蔽栅由上至下依次设置在漂移区的侧方，并通过绝缘层分别与漂移区、基体区和源区相接；源区包括P型源区和N型源区；P型源区为横截面呈三角形的三角型源区，三角型源区的顶角与绝缘层相接；N型源区包括第一N型源区和第二N型源区；第一N型源区和第二N型源区分设在顶角的两边，并分别与绝缘层相接。本申请提供的方案，能够有效地抑制寄生三极管开启，有效地提高雪崩耐量。
具有三角排列屏蔽沟槽晶体管及其制备方法

[发明专利]屏蔽栅沟槽型场效应晶体管、晶体管模块及其制备方法-CN202111679643.X在审
发明人：张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请是关于一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、沟槽区、漏极以及源极；所述源区由第一N型源区、第二N型源区和P型源区组成；所述P型源区设置于所述源区远离所述沟槽区的一角，在所述P型源区相邻的两个侧面，分别设置并连接所述第一N型源区和所述第二N型源区；所述第一N型源区和所述第二N型源区的侧面所包围的区域设置所述沟槽区。基体区内的沟道沿着所述沟槽区与所述源区的连接的侧面形成，增加了沟道面积，从而降低了器件的沟道电阻。沟道面积的提高可降低所述N型源区下方的空穴电流密度，降低寄生三极管发射结的压降，抑制寄生三极管的开启，提高晶体管的耐雪崩能力。
屏蔽沟槽场效应晶体管模块及其制备方法

[发明专利]基于电荷补偿的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法-CN202111679647.8在审
发明人：张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请是关于一种基于电荷补偿的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、沟槽区、漏极以及源极；所述漂移区与所述衬底区相接，以所述衬底区指向所述漂移区的方向为上方，所述基体区和所述源区依次设置在所述漂移区的上方；所述屏蔽栅与所述漂移区之间还设置有电荷补偿区，所述屏蔽栅依次通过所述绝缘层和所述电荷补偿区和所述漂移区相接；所述电荷补偿区在所述屏蔽栅的下方以及侧方通过所述绝缘层包围所述屏蔽栅。本申请实施例提供了一种基于电荷补偿的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，通过电荷补偿区提高器件的击穿电压，并使得晶体管在相同击穿电压下获得更低的导通电阻。
基于电荷补偿屏蔽沟槽场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管及其制备方法-CN202111567345.1在审
发明人：张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请是关于一种屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管及其制备方法，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、沟槽区、漏极以及源极；所述源区由P型源区和N型源区组成，所述P型源区、所述N型源区和所述沟槽区依次沿所述基体区的顶面设置；在以所述衬底区指向所述漂移区的方向上，所述基体区的底面在所述P型源区上的投影面积小于或者等于所述P型源区的底面的面积；所述N型源区与所述沟槽区连接。当发生雪崩击穿时，空穴电流能够从基体区的底面沿最短的直线距离直接注入P型源区，使得空穴的移动路径变短，延缓寄生三极管的开启，提高了屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管的雪崩耐量。
屏蔽沟槽场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]阶梯型基体区的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法-CN202111510748.2在审
发明人：张子敏;王宇澄;黄海猛;虞国新 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请是关于一种阶梯型基体区的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、屏蔽栅、控制栅、绝缘层、源极、漏极以及金属栅极；漂移区与衬底区相接，基体区和源区依次设置在漂移区上方；控制栅和屏蔽栅依次设置在漂移区的侧方，并通过绝缘层分别与漂移区、基体区和源区相接；源区包括相互平行设置的P型源区和N型源区；P型源区和N型源区的排列方向垂直于控制栅的长度方向；基体区的底面呈阶梯型，且基体区靠近控制栅一侧的基体区底面高度高于另一侧的基体区底面高度；源极设置在源区上方；漏极设置在衬底区下方；金属栅极设在控制栅上方。本申请提供方案能够提高晶体管的雪崩耐量。
阶梯基体屏蔽沟槽场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]电荷补偿型屏蔽栅沟槽功率器件及其制备方法-CN202111178363.0在审
发明人：张子敏;王宇澄;虞国新 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请是关于一种电荷补偿型屏蔽栅沟槽功率器件及其制备方法。该功率器件包括：衬底区、漂移区、绝缘层、屏蔽栅、控制栅、基体区、源区、源极、漏极以及电荷补偿层；漏极、衬底区、漂移区、基体区及源极依次设置；绝缘层包括：第一绝缘层和第二绝缘层；第一绝缘层和第二绝缘层分设于电荷补偿型屏蔽栅沟槽功率器件的两侧，第二绝缘层与基体区的侧面相贴合，且第二绝缘层与漂移区的结合面上设有电荷补偿层；源区设置在基体区与源极的结合面上；电荷补偿层的掺杂类型与漂移区的掺杂类型相反。本申请提供的方案，能够在不增加功率器件版图设计的同时，实现有效调制电场、提高击穿电压的作用，还能起引导空穴电流和电子电流的作用。
电荷补偿屏蔽沟槽功率器件及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
下一页»
尾页
共 122 条