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[发明专利]一种重掺磷超低阻硅单晶的制备方法-CN202111594443.4有效
发明人：王万华;李英涛;王凯磊;皮小争;方峰;崔彬 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种重掺磷超低阻硅单晶的制备方法，在等径工序中，所采用的工艺为：(1)等径前期，炉室压力由70‑90Torr升到180‑220Torr；(2)等径中期，炉室压力维持在等径前期升至的高压不变；(3)等径后期，炉室压力由所述高压降到120‑150Torr；在整个等径过程中，晶体拉速以每毫米等径长度下降0.01‑0.2mm/hr的速度下降，在整个等径过程中，晶体拉速由55‑60mm/hr降至20‑25mm/hr。本发明通过控制晶体的拉速和炉室压力，能够克服等径后期因分凝导致杂质浓度过大出现位错的现象，从而获得无位错的完整单晶。
一种重掺磷超低阻硅单晶制备方法

[发明专利]一种有效去除背封硅片背面背封点的工艺方法-CN201910519243.9有效
发明人：林霖;史训达;刘云霞;陈克强;杨少坤;周莹莹;李奇;李兰军 -专利权人： 有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种有效去除背封硅片背面背封点的工艺方法。该工艺方法包括以下步骤：(1)使用单面抛光机对背封片的背封面进行清洁处理，抛光机提供的压强为50～100g/cm2，清洗液为纯水，流量4～20L/min，抛光时间为1～100分钟；(2)对步骤(1)处理过的背封片进行清洗并甩干，清洗液为含过氧化氢和氨的混合溶液；(3)用有蜡贴片的方式对背封片做粗、中、精抛光。本发明能够消除背封点对抛光后的硅片表面形貌造成影响，降低后道CMP工序的Dimple缺陷发生率，从而提升硅衬底材料制造过程的整体成品率。
一种有效去除硅片背面背封点工艺方法

[发明专利]一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺-CN202310967122.7在审
发明人：何丙才;郑宇;韩萍;李广振;刘鹏亮;张亮;姜伟;田凤阁;陈克强;韩佩鑫 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种用于大型晶圆研磨机改善晶圆形貌的研磨工艺，属于半导体晶圆加工技术领域。该研磨工艺包括以下步骤：(1)使用A磨砂研磨晶圆，A磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为：A磨砂15％‑38％、研磨剂1.5％‑2.8％，其余为水；研磨晶圆时使用的磨液流量为900‑1500mL/min；研磨压力为600‑1500kg；研磨转速为25‑50rpm，转速比为0.3‑0.6；(2)使用B磨砂研磨晶圆，B磨砂配制的研磨液各组分所占质量百分比为：B磨砂13％‑36％、研磨剂2.2％‑3.8％，其余为水；研磨晶圆时使用的磨液流量为900‑1500mL/min；研磨压力为600‑1500kg；研磨转速为25‑50rpm，转速比为0.3‑0.6。本发明通过改善研磨工艺可以得到平坦度高的晶圆，并且能够避免晶圆的边缘塌陷。
一种用于大型研磨机改善圆形研磨工艺

[发明专利]一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测方法-CN202310616131.1在审
发明人：王学锋;张宏浩;朱晓彤;杨寿亮;赵振辉;朱秦发 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G01N23/20 文献下载
摘要：本发明公开一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测方法，属于直拉硅单晶检测技术领域。该检测方法包括：原生重掺砷硅单晶拉制完成后截取一定厚度的样品；对样品进行表面研磨、清洗处理获得平整和洁净的表面；对清洗后的样品进行化学抛光处理，去除表面损伤；对样品进行分段式加强热氧化获得微缺陷的放大缀饰缺陷，所述热氧化包括三个阶段：第一阶段加热温度为950~1100℃，时间为30~300min；第二阶段加热温度为1100~1200℃，时间为30~300min；第三阶段加热温度为950~1100℃，时间为30~300min；使用XRT对样品检测；对检测结果进行判定，确定缺陷类型和区域。本发明的检测方法可以快速实现重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测，操作简便易实现，缺陷检出率高，且具有检测结果直观化和检测无铬化的特点。
一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷检测方法

[实用新型]一种用于区熔炉内轴定位结构-CN202223264078.3有效
发明人：付斌;王永涛;刘建涛;李清宝;尚锐刚 -专利权人： 有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：一种用于区熔炉内轴定位结构，包括内轴轴尖本体，该内轴轴尖本体包括杆状的第一本体；该第一本体外周设有第二本体；该第二本体一侧依次设有第一定位套、支撑筒、第二定位套及锁紧螺母；该第一定位套和第二定位套均包括环状的第三本体，该第一本体位于该第三本体内且二者之间无间隔；该第三本体外周设有若干截面呈圆弧型的定位板，各定位板对应的圆弧同心且该圆弧的圆心位于该第三本体的中轴线上；各定位板内侧与该第三本体外壁之间通过弹性连接件连接；该支撑筒包括圆筒状的第四本体，该第一本体位于该第四本体内；该第四本体两端分别设有圆形的支撑板，各支撑板分别与该第一定位套和第二定位套的侧面紧贴；该锁紧螺母与该第一本体通过螺纹连接。
一种用于熔炉定位结构

[发明专利]直拉法制备超高电阻率硅衬底的方法-CN202211727056.8在审
发明人：张健华;张欢;连庆伟;宁永铎;方峰;徐继平;钟耕杭;朱晓彤;李钧宏;颜俊尧 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉法制备超高电阻率硅衬底的方法，该方法的工艺流程为：直拉法制备硅单晶→单晶棒滚磨→多线切割→边缘倒角→双面研磨→化学腐蚀→热处理→化学机械抛光；其中，在所述直拉法制备硅单晶的工序中，单晶生长过程中使用水平超导磁场，磁场强度为1000‑5000高斯，同时，采用特定的晶体转速和坩埚转速相配合，晶体转速为1‑12rpm，坩埚转速为0.1‑2rpm；在所述热处理工序为POLY+LTO薄膜生长；或者为高温退火。该方法适用于制备直径在8英寸及以上、电阻率在3000Ω·cm以上、氧含量在5ppma以下的P型硅衬底。所制备的单晶氧含量低于5ppma，退火后电阻率能够达到3000Ω·cm以上，并且氧含量均匀性小于10％，电阻率均匀性小于5％。
法制超高电阻率衬底方法

[发明专利]一种重掺砷硅单晶的放肩工艺-CN202211553223.1在审
发明人：王凯磊;李英涛;王万华;皮小争;方峰;崔彬 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种重掺砷硅单晶的放肩工艺。该放肩工艺的参数设定为：根据放肩长度将放肩过程分为放肩初期、放肩中期和放肩后期，其中，放肩初期为放肩长度为1‑40mm的区间；放肩中期为放肩长度为40‑220mm的区间，放肩后期为放肩长度为220mm以上的区间；将降温速度定义为放肩温度差值除以放肩长度差值；将降温速率定义为放肩温度差值除以原始温度；在放肩初期，每20mm降温1‑3SP值，降温速度为0.05‑0.15，降温速率降低；在放肩中期，每20mm降温1‑12SP值，降温速度为0.05‑0.6，降温速率呈现增大、减小、增大的趋势；在放肩后期，每20mm降温3‑15SP值，降温速度为0.15‑0.75，降温速率较小。该放肩工艺可大大提高放肩成活率。
一种重掺砷硅单晶工艺

[发明专利]一种APCVD背封炉喷头的冷却装置及方法-CN202211534901.X在审
发明人：冯瑞琪;何宇;陈鲁锋;杨先瑞 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种APCVD背封炉喷头的冷却装置及方法，冷却装置包括冷却主体和底板，二者之间通过若干支撑板固定连接；该冷却主体呈筒型，且横截面呈矩形；该冷却主体包括相对设置的两个第一侧板和两个第二侧板，且该第一侧板的长度大于该第二侧板的长度；各第一侧板顶面设有定位螺孔；该冷却主体内壁为中空，内部设有冷却盘管，该第二侧板外壁穿设有进水管和出水管，该冷却盘管的两端分别与该进水管和出水管的内端连接；该底板呈矩形，各支撑板两端分别与该第一侧板与该底板固定连接。本发明APCVD背封炉喷头的冷却装置及方法，能起到加快喷头冷却的作用，有利于提高喷头清洁效率。
一种 apcvd 背封炉喷头冷却装置方法

[发明专利]一种重掺红磷单晶炉管道清理的方法-CN202211534968.3在审
发明人：皮小争;李英涛;王万华;王凯磊;崔彬;方峰 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B08B9/035 文献下载
摘要：一种重掺红磷单晶炉管道清理的方法，A、停炉取晶后二次氧化；B、调整吸尘器吸力；C、清理抽气管道：两位工作人员，其中一人为第一人，另外一人为第二人；将该炉体内热场保温部分抬出，露出该第一分管道、第二分管道、第三分管道和第四分管道的顶部开口，并使用金属堵头封堵；分别依次清理第一主管道、第一分管道、第一主管道、第二分管道、第一主管道、第二主管道、第三分管道、第二主管道、第四分管道、第二主管道。清理各个管道时，需要确认其他的管道端口处于关闭状态，只能打开当前需要清理的管道口进行清理。本发明可以避免在清理含有红磷元素的氧化硅粉尘挥发物时，发生爆燃、自燃等危险现象，从而达到使用红磷掺杂元素安全生产的目的。
一种红磷炉管清理方法

[发明专利]一种重掺杂硅单晶放肩生长工艺-CN202211568782.X在审
发明人：王万华;李英涛;王凯磊;皮小争;崔彬 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种重掺杂硅单晶放肩生长工艺。其中，放肩Recipe中长度按照1mm、4mm、5mm、20mm、40mm、60mm、80mm、100mm、120mm、140mm、160mm、180mm、200mm编写，放肩长度在4mm之前，拉速为引晶的平均拉速增加20‑30mm/hr，5mm之后拉速为40‑42mm/hr保持不变。该工艺可以在放肩初期再进行一次排位错，从而提高放肩的成功率。
一种掺杂硅单晶放肩生长工艺

[发明专利]一种改善硅单晶直拉炉加热器寿命的方法-CN202211601075.6在审
发明人：颜俊尧;李英涛;边永智;宁永铎;方峰;徐继平 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善硅单晶直拉炉加热器寿命的方法，包括以下步骤：(1)制作几何形状适配于电极柱和加热器脚形态的石墨纸环；(2)将制作的不同内外径尺寸的石墨纸环装入对应的直拉单晶炉内加热器脚与电极柱连接部位，正常运行拉制单晶；(3)记录不同单晶炉加热器脚与电极柱连接部位氧化物沉积产生的有无以及程度，得到能改善直拉单晶炉加热器寿命合适的内外径石墨纸环参数。本发明利用石墨纸环特异几何形状与石墨电极柱、加热器脚二者形成良好接触，有利于减少硅直拉单晶炉内氧化物在石墨加热器部件连接处的沉积，防止沉积物结块硬化、有利于减少间隙打火，有利于增强加热器电连接鲁棒性从而改善加热器的使用寿命。
一种改善硅单晶直拉炉加热器寿命方法

[发明专利]一种区熔硅单晶的分段式转肩方法-CN202211559984.8在审
发明人：尚锐刚;王永涛;刘建涛;李明飞;闫志瑞;高源;聂飞 -专利权人： 有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B13/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种区熔硅单晶的分段式转肩方法，包括步骤：(1)设定分段式转肩直径位置，设定值比目标直径小5mm；(2)设定单晶加热功率曲线参数及生长角度；在单晶直径到达转肩直径前，单晶加热功率按照单晶直径的增长而增加；在单晶直径超过转肩直径后，单晶加热功率不再与单晶直径正相关，而与单晶生长长度正相关；单晶直径接近目标直径时，单晶生长角度会有先减小后增加，然后逐渐减小，单晶直径到达目标直径时，减少至0；(3)按照设定的加热功率参数和生长角度进行单晶生长。本发明可将转肩直径波动可降低至1mm以内，减小了转肩长度，并且显著提高了转肩成功率和产品收率。
一种区熔硅单晶段式方法

[实用新型]一种用于半导体晶棒NOTCH槽的测量装置-CN202223019847.3有效
发明人：江国兴;赵振晖;张宏浩;杨寿亮;王学峰;朱秦发 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G01B5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于半导体晶棒NOTCH槽的测量装置。该装置包括百分表、表针和外壳，其中，外壳具有主体部分和延伸部分；表针连接在百分表下端的测量轴上，百分表和表针整体容纳在外壳内，其中百分表被容纳在外壳主体部分，表针被容纳在外壳延伸部分内；当表针测量端与外壳延伸部分的端部齐平时，即为百分表零点所在位置。采用本实用新型的装置能够更加方便的测量单晶硅棒的NTOCH槽深度而不需要百分表底座的参与，在准确设置了百分表的零点后，其同样可以测量单晶硅片的NOTCH槽，降低了百分表测量过程中可能造成的单晶硅棒损失，提高了测量可信度。
一种用于半导体 notch 测量装置

[实用新型]一种用于硅单晶棒连续取样的装置-CN202223072825.3有效
发明人：王学锋;赵振辉;江国兴;张宏浩;朱秦发 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于硅单晶棒连续取样的装置。该装置包括设置在基座上的三个导轮，其中，第一导轮为主动切割轮，提供切割工件时导轮转动的动力；第二导轮为从动切割导轮；第三导轮为张力调节导轮，连接重力压块和压力传感器，为加工工件的金刚砂线提供所需的张力；各导轮具有多线槽环形线锯导轮结构，包括金属导轮以及导轮涂覆层，在涂覆层沿圆周开设有多个开槽，在各导轮的对应的开槽内分别布置有金刚砂线，各金刚砂线之间以非平行的方式布置。针对不规则原生硅单晶棒，能够实现在截断硅棒的同时连续截取两片以上的样片。
一种用于硅单晶棒连续取样装置

[发明专利]一种半导体单晶硅片金刚线切割的工艺方法-CN202211670509.8在审
发明人：褚天宇;蔡明;朱秦发;王学峰;李亚光;皇志威 -专利权人：山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体单晶硅片金刚线切割的工艺方法。该方法中使用的原辅材料包括切割辊涂覆材料、过线轮材料、水性切削液、金刚线，其中，所述切割辊涂覆材料为高分子聚乙烯材料；过线轮线圈材质选用高分子聚乙烯材料，支撑框架采用铝合金材质，使用高温压制法将支撑框架及高分子聚乙烯线圈压制为一整体；水性切削液与水配比采用1：200±20比例；金刚线选用母线线径为90‑110μm，粒径为5‑12μm的电镀金刚石线；采用分段式往复切割法，根据单晶长度和切片厚度分步骤和切割阶段针对性设定往复距离、切削液温度、切削液流量、切割耗线等参数，根据切片表面形貌个性化调整不同切割阶段的工艺。本发明的工艺方法能够在提高切片效率的基础上，提高产品收率。
一种半导体单晶硅金刚切割工艺方法

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