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[发明专利]晶圆的切割工艺及晶圆的生产方法-CN201710039006.3有效
发明人：王斌;张树宝;宋美丽;姜舫 -专利权人：吉林麦吉柯半导体有限公司
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆的切割工艺及晶圆的生产方法，涉及半导体晶圆加工技术领域，包括如下步骤：(a)提供晶圆，所述晶圆包括正面和与正面相对应的背面；(b)提供底膜，所述底膜粘附于固定环上，且所述底膜的外缘大于所述固定环的外缘；(c)贴膜，将所述晶圆的背面粘附于所述底膜上；(d)切割，自晶圆的正面向其背面切割粘附有底膜的所述晶圆，以将所述晶圆切割成多个晶粒，且多个晶粒分别粘附于底膜上，解决了现有晶圆切割工艺需要其它附属工具将底膜固定，导致生产效率低的技术问题，达到了利用底膜边缘与固定环外缘的容差进行扩膜固定，提高了生产效率，降低了生产成本的技术效果。
切割工艺生产方法

[发明专利]去毛边系统及去毛边方法-CN201710080313.6在审
发明人：朱世杰;林昱祯 -专利权人：佳升科技有限公司
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种去毛边系统及去毛边方法，其包括：用于放置晶圆的对位平台，晶圆的边缘具有毛边；以及激光机，激光机设置在对位平台的一侧，激光机以投射角度投射激光线，其中，激光机投射激光线以移除毛边。操作时，将晶圆放置在对位平台，对位平台具有旋转结构，晶圆具有毛边；旋转结构带动晶圆旋转，通过对位装置确认晶圆边缘的偏移量是否相等；偏移量相等时，激光机以投射角度投射激光线并移除毛边。
激光机投射晶圆对位平台去毛边毛边激光线旋转结构偏移量移除相等对位装置晶圆边缘

[发明专利]膜层厚度的测试装置-CN202111202728.9在审
发明人：李弘祥;黄鑫 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，提出了一种膜层厚度的测试装置，用于测量晶圆的膜厚，膜层厚度的测试装置包括：支撑主体；夹具，夹具设置于支撑主体，夹具用于与晶圆的周向外边缘相接触，以使得晶圆竖直固定于夹具；膜厚测量组件，膜厚测量组件包括光源发送端和接收端，膜厚测量组件用于测量晶圆的膜厚。支撑主体上的夹具将晶圆竖直固定，减小了晶圆的重力对晶圆翘曲度的改变，从而通过膜厚测量组件的光源发送端和接收端能够准确测量得到晶圆的膜层厚度。由于晶圆竖直固定，晶圆在膜层厚度测量过程中翘曲度基本不会发生改变，保证了膜厚测量组件的测试光路光程不受翘曲度的影响，以此获得准确的膜层厚度，从而改善了膜层厚度的测试装置的测试性能。
厚度测试装置

[实用新型]一种晶圆覆膜切割机-CN202120436240.1有效
发明人：李志卫;张仕俊 -专利权人：苏州新米特电子科技有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： B26D11/00 文献下载
摘要：本申请涉及晶圆覆膜生产的领域，尤其是一种晶圆覆膜切割机，其包括机架，所述机架上设有供覆膜卷放置的置膜架和供待切割覆膜放置的切割台，所述切割台上方设置有用于切割晶圆覆膜的切割组件，所述切割组件包括切割滚轮，所述切割组件与所述机架间设有用于限定切割组件作圆周运动的转动件，解决了裁切后的晶圆覆膜边缘易产生毛边，不是完整的正圆，导致晶圆覆膜与晶圆不贴合的问题。本申请具有保证晶圆覆膜切割后的完整性，减少晶圆覆膜毛边的产生的效果。
一种晶圆覆膜切割机

[发明专利]一种晶圆处理方法及装置-CN201910371415.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆处理方法及装置，在晶圆处理方法中，在对晶圆进行边缘抛光之前，在所述晶圆的表面形成氧化膜。根据本发明的晶圆处理方法，在对晶圆进行边缘抛光之前，在晶圆的表面形成氧化膜，通过在晶圆的表面形成氧化膜能够在边缘抛光过程中保护晶圆的表面，防止晶圆表面形成表面缺陷，提高晶圆的抛光品质，提高生产良率。
晶圆边缘抛光表面形成氧化膜种晶表面缺陷晶圆表面抛光品质良率生产

[发明专利]一种能消除晶圆表面彩纹的光刻工艺方法-CN201210081780.8有效
发明人：胡林;陈蕾;鲍晔;周孟兴 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种能消除晶圆表面彩纹的光刻工艺方法，具体包含步骤1、在旋转机带动载片台及晶圆一同旋转时，向晶圆的表面持续涂覆稀释剂；步骤2、在旋转机带动载片台及晶圆一同旋转时，向晶圆的表面涂覆光刻胶；步骤3、光刻胶成膜；步骤4、洗边，利用光阻去除溶剂清洗晶圆边缘位置处的光刻胶；步骤5、旋干残留在晶圆边缘位置处的光阻去除溶剂。本发明方法通过利用旋转机的不同旋转速度带动晶圆旋转，并在各个不同转速阶段持续对晶圆表面涂覆稀释剂，达到预先对晶圆表面进行清洗的作用，从而减少光刻胶涂覆过程中彩纹的产生并降低返工率。
一种消除表面光刻工艺方法

[发明专利]晶边移除方法-CN202011554939.4在审
发明人：黄惠琪;林政锜;苏品全;王健名;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：公开一种晶边移除方法。晶边薄膜移除工具包括套叠在外马达内的内马达，以及固定至外马达的晶边刷具。晶边刷具可在径向上向外调整，以容许晶圆被插入晶边刷具中且固定至内马达。晶边刷具可在径向上向内调整，以接合晶边刷具的一或多个区域，且使晶边刷具与晶圆的晶边部位接触。一旦接合，一溶液可被分配至晶边刷具的接合区域，且内马达及外马达可旋转，使得晶边刷具靠着晶圆旋转，使得晶圆的晶边薄膜被化学地及机械地移除。
晶边移方法

[发明专利]改善光刻胶涂覆过程中晶边缺陷的方法-CN201810676932.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种改善光刻胶涂覆过程中晶边缺陷的方法，包括：以涂覆转速进行光刻胶涂覆；对光刻胶涂覆层进行多段式主要转速处理，包括第一转速处理和转速小于第一转速的第二转速处理，且使其保持湿润；第二转速处理包括第一阶段的对晶圆边缘的稳膜前水洗处理，采用第一清洗管嘴对涂覆有光刻胶涂覆层的晶圆边缘进行稳膜前水洗处理；及第二阶段的膜厚稳定化处理；对晶圆边缘进行稳膜后水洗处理，采用第二清洗管嘴对涂覆有光刻胶涂覆层的晶圆边缘进行稳膜后水洗处理，进行自旋干燥通过上述方案，本发明通过对处理的工艺流程以及清洗管嘴设备的改进，可以有效去除光刻胶涂覆过程中的晶圆边缘的光刻胶，并使产品的良率增加1～2％。
改善光刻胶涂覆过程中晶边缺陷方法

[发明专利]晶边刻蚀设备-CN202310118886.9在审
发明人：伊藤正雄;林源为 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶边刻蚀设备，腔体内部包括晶圆承载区域和位于晶圆承载区域一侧的晶边刻蚀区域；等离子体产生装置设置于腔体的对应晶边刻蚀区域的外部，用于激发晶边刻蚀区域中的工艺气体形成等离子体；卡盘设置于晶圆承载区域中，且卡盘能够旋转，并能够水平移动，以使不同尺寸的晶圆的局部边缘部分均能够伸入晶边刻蚀区域中，并阻挡晶边刻蚀区域中的等离子体进入晶圆承载区域中，并转动；遮挡盘位于晶圆承载区域中，且相对设置于卡盘上方。本发明提供的晶边刻蚀设备，可以兼容不同尺寸的晶圆，从而可以扩大兼容范围，降低生产成本。
刻蚀设备

[发明专利]一种超薄晶圆中超小尺寸晶粒的划切处理方法-CN202311027188.4在审
发明人：郭留阳;罗育红;雷仕焱;罗旺;赵阳;罗文裕 -专利权人：广州天极电子科技股份有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄晶圆中超小尺寸晶粒的划切处理方法，采用了双层覆膜、分步划切的方案，先将晶圆片裁开成若干小片并在正面覆膜加烘烤的方式，有效增大了晶粒在划切过程中和胶膜的接触面积，减少划切过程中晶粒的抖动偏移，极大降低了晶粒飞片的概率，提高晶圆片的产出率，并消除减少了晶圆片的内部应力，有效改善了超薄晶圆片在划切过程中因胶膜粘贴不到位，当超高速刀片磨削时导致晶圆片碎裂的问题，同时，通过降低CH2方向的划切速度，进一步改善了超小尺寸晶粒划切时CH2方向因和胶层黏附面积减小、无晶圆内部连接时造成的晶粒抖动偏移，并通过提高CH1方向的划切速度，提高划切效率，极大缩小了晶圆划切过程中崩边、缺角的问题。
一种超薄晶圆中超小尺寸晶粒处理方法

[发明专利]晶圆洗边侦测装置和方法-CN201910938169.4在审
发明人：王赫 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆洗边侦测装置，设置在电镀机台的晶圆洗边工艺腔的下一级的晶圆传送位置上；晶圆洗边侦测装置包括探测器和旋转装置，旋转装置用于对晶圆进行旋转并选定侦测位置，侦测位置位于晶圆的边缘上；探测器固定设置在晶圆上方并对晶圆的侦测位置处晶圆的边缘进行在线侦测本发明还公开了一种晶圆洗边侦测方法。本发明能提高晶圆洗边侦测的准确性，减少误判断，提高产品良率。
晶圆洗边侦测位置探测器旋转装置在线侦测侦测装置侦测种晶机台产品良率传送位置固定设置侦测结果电镀工艺腔误判断

[发明专利]晶圆压膜机及托盘-CN202210179689.3在审
发明人：韩佳伟;孔跃春;孙汉富;张志杰;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种托盘及晶圆压膜机，晶圆压膜机包括：机体，包括工作盘，工作盘具有工作面；托盘，可活动地设置于工作面上；以及真空吸附装置，设置于工作盘背离工作面的一侧，用于将晶圆吸附在托盘上。本申请通过在工作盘上设置托盘来承载晶圆，可以将晶圆与工作盘进行隔离，有效防止压膜后的残留物黏附晶圆与工作盘，避免晶圆被取出过程中因受力不均导致损坏的发生，大大降低晶圆的破损率，有利于提高晶圆的压膜质量。另外，通过设置托盘，避免了压膜过程后膜体残留在工作盘上，降低工作盘的清理难度，极大地提高晶圆的压膜效率。
晶圆压膜机托盘

[发明专利]晶圆的键合方法及系统-CN202110772546.9有效
发明人：田应超 -专利权人：湖北三维半导体集成制造创新中心有限责任公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆的键合方法及系统，将器件晶圆与绷膜环固定之后，将所述绷膜环的标识和所述器件晶圆的标识绑定，然后在多个机台上完成所述器件晶圆的键合步骤，直至将所述器件晶圆中的合格芯片分别键合至目标晶圆上，由于绷膜环的标识可以通过激光打标方式制备，可以兼容键合步骤中的工艺，无需在绷膜环或器件晶圆上贴纸质标签，每个所述机台通过识别所述绷膜环的标识即可识别出所述器件晶圆，完成所述器件晶圆的键合之后再将所述绷膜环的标识与所述器件晶圆的标识解绑，也可以回收并重复利用所述绷膜环，不会造成原材料的浪费。
方法系统

[发明专利]SOI晶圆的制造方法-CN201380045827.8有效
发明人：阿贺浩司;石塚徹 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，其具有如下工序在贴合前，至少在接合晶圆的整个表面形成绝缘膜，在保护接合晶圆的与贴合面相反侧的背面的绝缘膜的同时，通过使在离子注入层剥离接合晶圆之前的贴合晶圆接触可溶解绝缘膜的液体，或者暴露在可溶解绝缘膜的气体中，将位于接合晶圆与基底晶圆之间的绝缘膜从贴合晶圆的外周端向中心方向蚀刻。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，其在接合晶圆上形成绝缘膜进行贴合时，在控制平台的宽度，并防止产生SOI岛的同时，能够抑制擦痕及SOI膜厚分布异常。
soi 制造方法

[发明专利]一种改善晶圆表面微颗粒残留的方法-CN201910643539.1在审
发明人：聂钰节;聂珊珊;钱洋洋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供一种改善晶圆表面微颗粒残留的方法，包括：首先提供等离子反应刻蚀腔体和位于该等离子反应刻蚀腔体中的晶圆，晶圆上设有半导体结构，半导体结构处于第一层金属沟槽刻蚀完成的工序状态；然后在晶圆表面形成聚合物保护层；接着在等离子反应刻蚀腔体中通入等离子体源，去除晶圆表面电荷；最后停止通入所述等离子体源，静置晶圆。本发明通过在第一层金属沟槽刻蚀工艺对沟槽刻蚀结束后，在后续工艺处理过程中，使用沉积聚合物的气体源在晶圆表面形成一层保护层，在随后的去静电过程中使用大分子气体源辅助去静电工艺，将腔体中的细小颗粒吸附带出刻蚀腔体，解决由于晶圆去电荷过程中带来的颗粒附着物。
晶圆表面刻蚀腔体晶圆等离子反应半导体结构等离子体源金属沟槽电荷第一层去静电微颗粒残留聚合物保护层沉积聚合物大分子气体附着物工序状态沟槽刻蚀后续工艺刻蚀工艺细小颗粒保护层气体源吸附带刻蚀腔体去除