专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]扩片方法-CN202010619237.3有效
  • 王海升;詹新明;曾斌 - 青岛歌尔微电子研究院有限公司
  • 2020-06-30 - 2022-11-22 - H01L21/78
  • 本发明公开一种扩片方法,包括步骤:提供一模组,所述模组包括、贴和安装环,所述贴的外周粘接于所述安装环上,所述的背面粘接在所述贴上,所述具有多个芯片;对所述进行切割,以使任意相邻的两个所述芯片之间具有切缝;提供一工装,设置于所述模组的下方;驱动所述工装上升顶起并撑开所述贴,以对所述贴进行扩片处理,以使所述切缝断开后分离所述贴上的各芯片。本发明的来料切割后利用工装直接对来料UV进行扩片处理,无需进行换或者粘膜操作,节省了换或粘膜材料及操作工序,操作简单方便,减轻了人工劳动强度,提高了生产效率。同时降低污染的风险,提高产品良率,保证产品质量。
  • 晶圆扩片方法
  • [实用新型]一种保护及其涂刷装置-CN201420600605.X有效
  • 周振林 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2014-10-16 - 2015-01-21 - H01L23/29
  • 本实用新型提供一种保护及其涂刷装置,保护形成于所述边缘;所述保护的成宽度范围为2~3mm;所述保护的厚度小于2.7微米,本实用新型在圆周边涂上一层具有一定抗拉强度,抗剪强度,及耐磨性的保护,从而对边缘起到保护作用,有效避免了运输途中颠簸可能导致的边缘产生裂纹或缺角,及边缘裂纹应力延伸致使的破片现象。本实用新型保护铺设于边缘,宽度小于3mm,不影响有效区域,并且保护成型于边缘上表面,不影响后续测试工序。
  • 一种保护膜及其涂刷装置
  • [发明专利]光学器件制作方法-CN201811601726.5在审
  • 刘超群 - 中芯集成电路(宁波)有限公司
  • 2018-12-26 - 2020-07-03 - G02B5/18
  • 本发明提供一种光学器件制作方法,该方法包括:提供玻璃,并在所述玻璃的正面和背面形成掩层;图形化所述玻璃正面的掩所述层,以使所述玻璃正面的所述掩层具有所述光学器件的图案;以所述玻璃正面的所述掩层为掩刻蚀所述玻璃,以在所述玻璃的正面形成所述光学器件的图案;去除所述玻璃的正面和背面的所述掩层;其中所述掩层为非金属层且具备静电夹持/解夹持性能。该光学器件制作方法可以解决刻蚀时玻璃的夹持/解夹持问题,且不会有金属污染问题。此外,成本相对较低。
  • 光学器件制作方法
  • [发明专利]一种超薄镀膜光学及其制备方法-CN202010514934.2在审
  • 王林;李菲;李延凯 - 华天慧创科技(西安)有限公司
  • 2020-06-08 - 2020-08-25 - G02B1/11
  • 本发明提供一种超薄镀膜光学及其制备方法,所述的光学包括一个超薄光学和镀制在超薄光学两个表面上的光学薄膜;通过将光学薄膜镀制在超薄光学的两个表面,形成超薄镀膜光学,能够降低对IR截止的透过率特性要求,缩短成时间;减薄单面镀膜的层厚度。光学的制备方法,在超薄光学的两个表面镀制一层或若干层光学薄膜,得到超薄镀膜光学,两面的光学层具有不同的分光性能,不同分光性能的层互相补偿,相同或者相近层设计叠加,可以达成层的总体分光性能
  • 一种超薄镀膜光学及其制备方法
  • [发明专利]一种提高斜面刻蚀良率的方法-CN202011531146.0在审
  • 吕相林 - 联合微电子中心有限责任公司
  • 2020-12-22 - 2021-04-13 - H01L21/311
  • 本发明公开了一种提高斜面刻蚀良率的方法,属于半导体制造技术领域,所述提高斜面刻蚀良率的方法,包括以下步骤:步骤一:提供一带层的;步骤二:旋转所述,对以中心为圆心、不大于半径80%以内的层喷去离子水形成水性保护;步骤三:对所述边缘区域的层喷化学溶液进行刻蚀,直至边缘区域的层被刻蚀干净。本发明提供的提高斜面刻蚀良率的方法,能够减少对边缘区域的层进行斜面刻蚀时,化学溶液反溅对中心区域层的损坏,从而提高斜面刻蚀后的良率。
  • 一种提高斜面刻蚀方法
  • [发明专利]背面监控方法-CN202010004203.3有效
  • 蒋慧超 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2020-01-03 - 2022-08-16 - H01L21/311
  • 本发明公开了一种背面监控方法,提供一还未形成任何图案的圆光片,在圆光片上首先形成一层介质层,然后在介质层上涂一层光刻胶;通过光刻胶定义出最外围的边区域,将所述外圈的边区域的介质层刻蚀去除本发明提供的圆光片能够模拟正常制品或成品在盒内的形态,可用于维护完毕的设备进行合格性检测,或者是造成背面异常的设备的验证,或者是日常搬运测试。
  • 背面监控方法
  • [发明专利]制备方法-CN202310341390.8在审
  • 李哲;秋沉沉 - 上海华力微电子有限公司
  • 2023-03-31 - 2023-06-06 - H01L21/304
  • 本发明提供了一种制备方法,包括步骤:提供,在上形成半导体器件和金属互连层结构,并根据金属互连层结构包含的金属层数量确定光刻洗工艺的洗宽度,以使所述光刻洗工艺的洗宽度随着所述金属层的增加而减小;对所述执行边修剪工艺。本发明提供的制备方法,能够减小光刻洗工艺形成的边区域的宽度,确保边修剪工艺能够有效去除边区域的缺陷或异常结构,从而避免后续的键合异常的问题。
  • 制备方法
  • [发明专利]背胶的制备方法-CN201410616537.0在审
  • 张纪阔;章国伟 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-11-05 - 2016-06-01 - H01L21/56
  • 本发明的背胶的制备方法中,包括:提供以及预制;使用压机将所述预制压制在所述的背面;对所述预制进行加热处理,形成背胶;在所述背胶上标记所述的信息。本发明的背胶的制备方法,采用压制预制的方法,所述预制的平整度、厚度、粘稠度等可以根据要求预先制定,而且所述预制两面均覆盖有一防止所述预制被污染的保护层,使得所述预制不会被环境中的颗粒污染,之后在形成的背胶上标记的信息。本发明的背胶的制备方法,实现背胶的可控制备,提高工艺的可靠性。
  • 晶圆背胶制备方法
  • [发明专利]一种芯片倒方法和芯片倒设备-CN202110723257.X有效
  • 黄达利 - 深圳中科四合科技有限公司
  • 2021-06-29 - 2021-09-28 - H01L21/67
  • 本发明涉及一种芯片倒设备和方法,剥坐台和收料支撑台的底部分别设置剥马达和收料马达,剥输送带的平直部分支撑在剥坐台上;接输送带的平直部分支撑在收料支撑台上;剥时:将切割后的附有切割的正面贴上装片;将切割贴附在剥输送带上,与切割的结合力小于切割与剥输送带的结合力,剥输送带带动切割和装片移动;在剥输送带的拐弯处,剥输送带带动切割转弯,由于是硬质,所以不发生折弯,与切割膜分离,的底面与切割膜分离后逐步压覆在接输送带上,接输送带将剥离切割后的带走;能够实现流水化作业,设备成本低、效率高。
  • 一种芯片方法设备
  • [实用新型]一种切割结构及贴装置-CN202120349626.9有效
  • 施心星 - 苏州镭明激光科技有限公司
  • 2021-02-07 - 2021-11-23 - B65H35/06
  • 本申请公开了一种切割结构及贴装置,切割结构包括贴台、压组件和切组件,贴装置的第一抓料组件用于抓取支撑环放于外围,通过切割结构的贴组件将粘接贴附并裁切于和支撑环上。在外围同轴设置支撑环,支撑环可为贴后的提供支撑,便于的转运以及转运过程中的稳定性。控制切割结构的旋转驱动件带动切刀旋转,并使切刀与粘接接触,可裁切出圆心与中心轴重叠的圆形粘接,裁切方式和裁切结构简单,适用性高,便于提高加工效率。
  • 一种切割结构装置

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