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[发明专利]三五族化合物半导体晶圆的加工方法-CN202211210867.0在审
发明人：孙萱;叶武阳;李闯;姜舫 -专利权人：长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体三五族化合物晶圆加工方法，包括以下步骤：S1、制作带有中心孔的晶圆环；S2、将晶圆放置在晶圆环的中心孔处，并将晶圆与晶圆环进行粘贴固定；S3、将粘贴后的晶圆和晶圆环放置在设备承片位置，确认成片位置压力显示为35‑50区间后，选择相应程序晶圆完成自动加工，受晶圆材质影响需降低使用压力，压力范围：RR:1.5‑3.5、Z1:0.5‑2.5、Z2:0.5‑2.5；S4、晶圆加工完成后，通过自动解胶机将晶圆与晶圆环分开，得到独立晶圆。本发明提出的加工方法更加简单、有效。通过制作晶圆环的方式，实现小尺寸化合物半导体晶圆的有效化学机械抛光自动加工，提升晶圆表面状态及后续键合效果，且更加适合量产化加工。
三五化合物半导体加工方法

[实用新型]CMOS图像传感器封装载具-CN202222221286.9有效
发明人：王佳龙;叶武阳;王冠智;李闯;吕磊;姜舫 -专利权人：长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种CMOS图像传感器封装载具，其中CMOS图像传感器封装载具包括：载具主体；限位结构，设置于载具主体，限位结构用于放置CMOS图像传感器，限位结构使CMOS图像传感器被夹具吸附或夹持；传送耳边，设置于载具主体，传送耳边用于被传送带传输；夹持槽，设置于载具主体，夹持槽用于使载具主体被夹持。采用本技术方案的CMOS图像传感器封装载具能够适应多种载具运输方式和工艺载台的吸附方式，减少不同工艺机台转换时人为参与程度，减少CMOS图像传感器表面污染，从而提高CMOS图像传感器产品表面洁净度，提高生产的CMOS图像传感器的质量。
cmos 图像传感器装载

[发明专利]优化湿法腐蚀后晶圆表面厚度范围方法-CN202211018411.4在审
发明人：姜舫;叶武阳;方小磊;李闯;孙萱 -专利权人：长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种优化湿法腐蚀后晶圆表面厚度范围方法，包括如下步骤：S1、将外延片与纯硅片以及器件晶圆与逻辑电路晶圆进行键合工艺，形成一片晶圆；S2、通过采用机械研磨方式，将外延片或逻辑晶圆的背面研磨至13‑15μm之间并且晶圆总厚度范围至少为2～3μm，通过第一次调整研磨参数以及调整研磨设备内部非接触测量厚度补偿值，使晶圆的厚度呈中间薄，两边厚的状态；S3、通过第二次调整硅片转速、刻蚀反应时间、喷射刻蚀液位置与流量参数，使整片晶圆刻蚀反应速率达到中间最慢，边缘快的状态，刻蚀液将外延片刻蚀到P型外延层，最终得到晶圆总厚度范围在0.05～0.1μm，并且使背部外延片的晶圆厚度达到目标值，最主要是可有效控制晶圆表面厚度范围。
优化湿法腐蚀后晶圆表面厚度范围方法

[发明专利]CMOS图像传感器封装载具、设计方法及洁净度提高方法-CN202211012533.2在审
发明人：王佳龙;叶武阳;王冠智;李闯;吕磊;姜舫 -专利权人：长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器封装载具、设计方法及洁净度提高方法，其中CMOS图像传感器封装载具包括：载具主体；限位结构，设置于载具主体，限位结构用于放置CMOS图像传感器，限位结构使CMOS图像传感器被夹具吸附或夹持；传送耳边，设置于载具主体，传送耳边用于被传送带传输；夹持槽，设置于载具主体，夹持槽用于使载具主体被夹持。采用本技术方案的CMOS图像传感器封装载具能够适应多种载具运输方式和工艺载台的吸附方式，减少不同工艺机台转换时人为参与程度，减少CMOS图像传感器表面污染，从而提高CMOS图像传感器产品表面洁净度，提高生产的CMOS图像传感器的质量。
cmos 图像传感器装载设计方法洁净提高

[实用新型]肖特基二极管-CN202020634011.6有效
发明人：刘彦涛;孟鹤;邢文超;杨硕;杨旭;魏春雨;吕飞;王斌;姜舫;宋美丽 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种肖特基二极管，涉及半导体器件制造领域。在本实施例中，通过在氧化层开设朝向外延层凹陷的防水槽，并在氧化层上制作填充于防水槽并在该防水槽对应的位置处形成与防水槽相互咬合并凸起的钝化层。钝化层与氧化层通过上述凹凸咬合结构层叠在一起，在肖特基二极管使用过程中，即便工作温度发生变化，钝化层与氧化层结合处的剪切力也不足以形成供水汽侵入肖特基结的微小缝隙。同时，因氧化层开设有防水凹槽，即便环境中存在水汽，水汽在侵入时也会聚集在防水凹槽，不会进入到肖特基结，确保肖特基二极管不会失效。
肖特基二极管

[发明专利]肖特基二极管及其制造方法-CN202010330986.4在审
发明人：刘彦涛;孟鹤;邢文超;杨硕;杨旭;魏春雨;吕飞;王斌;姜舫;宋美丽 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种肖特基二极管及其制造方法，涉及半导体器件制造领域。本实施例中，通过在氧化层开设朝向外延层凹陷的防水槽，并在氧化层上制作填充于防水槽并在该防水槽对应的位置处形成与防水槽相互咬合并凸起的钝化层。钝化层与氧化层通过上述凹凸咬合结构层叠在一起，在肖特基二极管使用过程中，即便工作温度发生变化，钝化层与氧化层结合处的剪切力也不足以形成供水汽侵入肖特基结的微小缝隙。同时，因氧化层开设有防水凹槽，即便环境中存在水汽，水汽在侵入时也会聚集在防水凹槽，不会进入到肖特基结，确保肖特基二极管不会失效。
肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]晶圆的切割工艺及晶圆的生产方法-CN201710039006.3有效
发明人：王斌;张树宝;宋美丽;姜舫 -专利权人：吉林麦吉柯半导体有限公司
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆的切割工艺及晶圆的生产方法，涉及半导体晶圆加工技术领域，包括如下步骤：(a)提供晶圆，所述晶圆包括正面和与正面相对应的背面；(b)提供底膜，所述底膜粘附于固定环上，且所述底膜的外缘大于所述固定环的外缘；(c)贴膜，将所述晶圆的背面粘附于所述底膜上；(d)切割，自晶圆的正面向其背面切割粘附有底膜的所述晶圆，以将所述晶圆切割成多个晶粒，且多个晶粒分别粘附于底膜上，解决了现有晶圆切割工艺需要其它附属工具将底膜固定，导致生产效率低的技术问题，达到了利用底膜边缘与固定环外缘的容差进行扩膜固定，提高了生产效率，降低了生产成本的技术效果。
切割工艺生产方法

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