[发明专利]晶圆的切割工艺及晶圆的生产方法

摘要

本发明提供了一种晶圆的切割工艺及晶圆的生产方法，涉及半导体晶圆加工技术领域，包括如下步骤：(a)提供晶圆，所述晶圆包括正面和与正面相对应的背面；(b)提供底膜，所述底膜粘附于固定环上，且所述底膜的外缘大于所述固定环的外缘；(c)贴膜，将所述晶圆的背面粘附于所述底膜上；(d)切割，自晶圆的正面向其背面切割粘附有底膜的所述晶圆，以将所述晶圆切割成多个晶粒，且多个晶粒分别粘附于底膜上，解决了现有晶圆切割工艺需要其它附属工具将底膜固定，导致生产效率低的技术问题，达到了利用底膜边缘与固定环外缘的容差进行扩膜固定，提高了生产效率，降低了生产成本的技术效果。

主权项

1.一种晶圆的切割工艺，其特征在于，包括如下步骤：(a)提供晶圆，所述晶圆包括正面和与正面相对应的背面；(b)提供底膜，所述底膜粘附于固定环上，且所述底膜的边缘大于所述固定环的外缘；(c)贴膜，将所述晶圆的背面粘附于所述底膜上；(d)切割，自晶圆的正面向其背面切割粘附有底膜的所述晶圆，以将所述晶圆切割成多个晶粒，且多个晶粒分别粘附于底膜上；还包括设置于步骤(d)之后的步骤(e)扩膜，以将多个晶粒之间的距离拉大，将晶粒取出；所述底膜为正方形或圆形，且底膜与固定环共中心，若底膜为正方形时，底膜的边长大于固定环外缘的直径，若底膜为圆形时，底膜的直径大于固定环外缘的直径；所述底膜的边缘与固定环的外缘之间只有一定的容差，能够直接将粘附有晶粒的底膜的边缘固定于扩膜机的载台上进行扩膜操作，而无需使用其它辅助工具进行固定。