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[发明专利]应力层结构-CN200710102832.4有效
发明人：杨进盛;刘志建 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-05-09 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种应力层结构，配置于基底上，基底包括元件区与非元件区，元件区包括多个有源区与非有源区，应力层结构包括多个应力图案、至少一条分隔线及至少一个伪应力图案。应力图案分别配置于各个有源区的基底上。分隔线暴露出部分基底，且分隔相邻两个应力图案。伪应力图案配置于分隔线中的基底上。
应力结构

[发明专利]应变记忆作用的半导体器件的制造方法及应力层结构-CN201010567123.5有效
发明人：鲍宇;张彬 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种应变记忆作用的半导体器件的制造方法及应力层结构，包括：在衬底上形成NMOS管；形成覆盖于所述NMOS管上的、向NMOS管提供拉伸应力的第一应力层；形成覆盖于所述第一应力层上的、杨氏模量大于第一应力层的第二应力层；对所NMOS管的有源区进行退火处理；去除所述第一应力层和第二应力层；本发明提供的应力层结构中，所述应力层结构覆盖于NMOS管上，所述应力层结构包括第一应力层、位于第一应力层上的第二应力层，所述第一应力层对NMOS管提供拉伸应力，所述第二应力层的杨氏模量大于第一应力层的杨氏模量。
应变记忆作用半导体器件制造方法应力结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201610237031.8有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供表面形成有鳍部的衬底；形成横跨鳍部的栅极结构；在栅极结构两侧的鳍部内形成凹槽；形成填充满凹槽的应力层，应力层包括位于凹槽底部和侧壁的第一应力层、第一应力层表面的第二应力层、以及第二应力层顶部的第三应力层，其中，第一应力层和第三应力层适用于抑制第二应力层内离子的扩散；在应力层内形成源区或漏区。本发明使第一应力层和第三应力层包夹第二应力层，防止第二应力层内的离子横向扩散进器件的沟道区，从而可以更好地抑制短沟道效应；此外，还可以防止第二应力层内的离子在纵向方向上向应力层顶部表面扩散，从而可以防止应力层表面阻值增大的现象
半导体结构及其形成方法

[发明专利]降低钝化层应力的方法及钝化层应力缓冲结构-CN202011164359.4在审
发明人：蒙飞 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低钝化层应力的方法及钝化层应力缓冲结构。降低钝化层应力的方法包括提供设计版图，用于定义一带状金属层的结构，所述带状金属层包括至少一个拐角区域，拐角区域内包括一个大于180°的第一拐角和一个小于180°的第二拐角，且第一拐角和第二拐角相加为360°；修改设计版图中的第一拐角和第二拐角，以在第一拐角和第二拐角处形成应力缓冲结构；根据所述设计版图在一衬底的表面依次形成金属层和钝化层，所述钝化层的第一拐角和第二拐角处形成有钝化层应力缓冲结构。本发明提供的降低钝化层应力的方法通过改变带状金属层的结构来改变钝化层的结构，从而缓解钝化层的内部应力影响，进而减少或避免钝化层的特殊位置出现缺陷。
降低钝化应力方法缓冲结构

[发明专利]发光二极管外延片的制备方法-CN201911337984.1有效
发明人：姚振;从颖;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：应力释放层的生长温度从N型GaN层的生长温度降低至第一生长温度，应力释放层内积累的热应力的方向与N型GaN层内热应力的方向相反，应力释放层内的热应力与N型GaN层内热应力相互抵消部分，应力释放层内会积累的应力较少后续再使应力释放层的生长温度从第一生长温度逐渐升高至第二生长温度，应力释放层的生长温度从第二生长温度逐渐降低至有源层的生长温度，应力释放层内部的热应力可以自我抵消部分，使得应力释放层内最终积累的应力较少，应力释放层释放应力的效果较好，后续生长有源层时会延伸至有源层的应力少，可以提高有源层的晶体质量。
发光二极管外延制备方法

[发明专利]CMOS器件钝化层形成方法-CN200710042153.2有效
发明人：张海洋;韩秋华;韩宝东;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种CMOS器件钝化层形成方法，包括：提供半导体基体，所述半导体基体包含至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管；形成第一应力膜层，并形成第一应力体；去除覆盖第二晶体管的第一应力膜层；形成第二应力膜层，并形成第二应力体；形成覆盖所述第二应力体，并填充所述第二应力体和已覆盖第二应力膜层的第一应力体间的间隔区域，且所述牺牲层表面与覆盖第二应力膜层后的第一应力体上表面平齐的牺牲层；形成图形化的抗蚀剂层；以所述抗蚀剂层为掩膜，去除部分牺牲层和第二应力膜层；去除所述抗蚀剂层；以所述第一应力膜层为刻蚀停止层，去除牺牲层和部分第二应力膜层。可使具有不同应力类型的钝化层间交界处的平滑度满足工艺要求。
cmos 器件钝化形成方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN201510601332.X有效
发明人：陈建国;康冬亮;刘蓬 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，包括：提供一半导体基底，在半导体基底之上依次形成介质层和应力缓冲层，刻蚀介质层和应力缓冲层，然后淀积第一金属层，对第一金属层刻蚀后，进行退火工艺，之后在第一金属层制备钝化层以形成半导体器件其中，应力缓冲层的应力系数介于第一金属层的应力系数与介质层的应力系数之间。可以看出，在第一金属层与介质层之间间隔有应力缓冲层，而由于该应力缓冲层的应力系数在第一金属层的应力系数与介质层的应力系数之间，故该应力缓冲层能够在退火工艺中有效的缓冲第一金属层与介质层产生的应力差，进而有效的避免因退火而致使的金属脱落等缺陷的产生
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]使用简化双应力衬层配置的具有增强性能的半导体结构-CN200780032566.0无效
发明人：杜雷斯蒂·奇德姆巴劳;刘孝诚;威廉·亨森 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-07-06 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：提供了一种半导体结构，其包括具有FUSI栅电极(8)的nFET(22)，其中双应力衬层配置用于提高沟道区中的应力。所述双应力衬层配置包括第一应力衬层(24)，其具有与nFET的FUSI栅电极的上表面平齐的上表面。第一应力衬层不存在于FUSI栅电极的顶上。第一应力衬层部分卷绕具备FUSI栅电极的nFET的侧部。第二应力衬层(26)位于第一应力衬层的上表面上以及包含FUSI栅电极的nFET的顶上。第一应力衬层是拉应力衬层并且第二应力衬层是压应力衬层。
使用简化应力配置具有增强性能半导体结构

[发明专利]应力调整膜层的形成方法以及应力调整膜层-CN201910941111.5在审
发明人：徐文浩;宋月;陈松超;马春龙;张高升 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种应力调整膜层的形成方法以及应力调整膜层，其中，所述方法包括：在晶圆上沉积应力调整子膜层，所述应力调整子膜层为部分厚度的所述应力调整膜层；采用紫外光照射沉积的所述应力调整子膜层，以提高所述应力调整子膜层的张应力
应力调整子膜膜层沉积紫外光照射张应力晶圆

[发明专利]一种复合衬底结构及其形貌改善方法-CN202111312110.8在审
发明人：欧欣;陈阳;黄凯 -专利权人：上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：结构包括依次设置的第一应力平衡层、衬底层、第二应力平衡层、介质层和功能薄膜层；第一应力平衡层和第二应力平衡层材质相同，且制作工艺相同；第一应力平衡层用于根据复合衬底结构中的应力分布调整第一应力平衡层的厚度，以使复合衬底结构的形貌改善；第二应力平衡层用于平衡制作第一应力平衡层时所产生的应力。该复合衬底结构中，通过在衬底层的背面设置第一应力平衡层，第一应力平衡层作为应力补偿层，在制备异质集成衬底时，通过调节该层的厚度实现晶圆形貌的优化，从而使异质晶圆的整体形貌能够更有利于后续的流片加工。
一种复合衬底结构及其形貌改善方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201210435410.X有效
发明人：秦长亮;尹海洲;殷华湘 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-03 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种应力半导体制造方法。在本发明的方法中，首先在NMOS区域沉积张应力层以在PMOS区域沉积压应力层，接着全面沉积压应力保护层；通过第一次CMP工艺，打开虚设栅极，由于在张应力层和压应力层之上剩余了部分厚度的压应力保护层，并且压应力保护层在湿法腐蚀液中的腐蚀速率很小，因此，张应力层和压应力层被其上的压应力保护层保护而在腐蚀虚设栅极绝缘层时不会受到损伤，克服了现有技术中的缺陷；接着，形成栅极凹槽后，可选地可以进行第二次CMP工艺以去除剩余的压应力保护层，随后完成高K栅绝缘层和金属栅极制造，实现了后栅工艺与双应变应力层的工艺集成。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种熊猫型保偏光纤及其制作方法-CN202011137843.8在审
发明人：但锦;涂峰;廉正刚;徐知芳;陈国群;徐江河;夏祖明;谢利华;刘璇;陈未萍;皮亚斌 -专利权人：武汉长盈通光电技术股份有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G02B6/024 文献下载
摘要：本发明公开了一种熊猫型保偏光纤及其制作方法，所述光纤包含有芯层、应力层、内包层和外包层，其中其应力层分为若干个应力圆，对称分布在芯层的中轴十字区域内，并相切；应力圆由2组交叉分布的对称应力圆组成，其中一组为收缩应力层、另一组为膨胀应力层。应力层外围被内包层包裹，内包层采用与芯层同材料组分体系，通过掺杂材料组分优化设计，热膨胀系数介于收缩应力层与膨胀应力层之间，匹配对称应力施加设计，强化应力层对芯层的应力施加效果。外包层在最外围对整个保偏光纤起着结构保持和应力支撑的作用。该光纤能实现保持偏振状态光传输，具有良好的温度环境稳定性和偏振保持均匀性的传输效果。
一种熊猫偏光及其制作方法

[发明专利]一种光电器件、太阳能电池以及探测器-CN202111585241.3在审
发明人：吴真龙 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电器件、太阳能电池以及探测器，该光电器件包括了衬底以及光电器件有源区，光电器件有源区又包括了至少两个子吸收层，在相邻两个子吸收层之间还设置有多层应力调控层，该应力调控层的晶格常数与吸收层的晶格常数存在较大差异由于应力调控层的晶格常数与吸收层的晶格常数不同，在子吸收层之间设置应力调控层时，应力调控层会提供与吸收层反方向的应力，用来平衡晶格失配产生的应力作用。当吸收层的热膨胀系数与衬底的热膨胀系数不同且产生热应力时，在子吸收层之间设置应力调控层，应力调控层会提供与吸收层相反的应力，来平衡热膨胀失配导致的热应力作用。
一种光电器件太阳能电池以及探测器

[发明专利]晶体管及其形成方法-CN201510904217.X有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，基底包括衬底以及依次位于衬底表面的应力限制层和沟道层；在基底上形成栅极结构；去除栅极结构两侧的沟道层，并在剩余沟道层侧壁内形成凹槽；去除栅极结构两侧的应力限制层和部分厚度的基底，形成第一开口；填充第一开口形成应力层。本发明通过在基底内设置应力限制层，使位于栅极两侧基底内的应力层分为位于沟道层内具有凸出的部分以及位于应力限制层和衬底内的部分。位于沟道层内应力层的凸出能够向沟道层内的沟道引入应力，位于应力限制层和衬底内的应力层能够增大应力层的体积，以增大沟道区的应力。以提高沟道内载流子的迁移率，达到改善晶体管的性能。
晶体管及其形成方法

[发明专利]应力绝缘体上硅场效应晶体管及其制作方法-CN200810002950.2有效
发明人：杜雷塞蒂·奇丹巴拉奥;威廉·K·亨森;刘孝诚 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-01-11 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种制作绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法，该SOI底包括通过(ii)掩埋氧化物(BOX)层与(ii)体半导体层分离的单晶硅的绝缘体上硅(SOI)层，该BOX层包括掺杂的硅酸盐玻璃层。在该方法中，沉积牺牲应力层以覆盖SOI层并蚀刻透过牺牲应力层并进入SOI层的沟槽。SOI衬底与牺牲应力层被充分加热以引起玻璃层软化，因此引起所述牺牲应力层施加应力到SOI层以形成应力SOI层。然后电介质材料沉积在沟槽中以形成与应力SOI层的外围边缘接触的隔离区，该隔离区从应力SOI层的主表面向BOX层延伸。然后，移除牺牲应力层以暴露应力SOI层。
应力绝缘体场效应晶体管及其制作方法

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