专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种超高性能混凝土及其制备工艺-CN202310875040.X在审
  • 蒙飞;徐宏刚;肖晗;杨小敏;朱延斌;刘凯;张恒帅;张锋;王珂 - 陕西建工集团混凝土有限公司
  • 2023-07-17 - 2023-10-13 - C04B28/04
  • 本申请涉及混凝土领域,具体公开了超高性能混凝土及其制备工艺,混凝土包括以下原料:水泥、玻璃微珠、矿粉、硅灰、细骨料、水、减水剂、钢纤维、膨胀剂、改性纳米多孔碳纤维、镁渣粉以及干酪素‑吸水组合物;改性纳米多孔碳纤维由纳米多孔碳纤维经过硫酸铯溶液浸泡后改性得到;干酪素‑吸水组合物由干酪素和壳聚糖基吸水聚合物以及京尼平混合得到;其制备工艺包括以下步骤:将水泥、玻璃微珠、矿粉、硅灰和细骨料混合,加入膨胀剂、镁渣粉和干酪素‑吸水组合物;将减水剂溶解于水中加入,将钢纤维和改性纳米多孔碳纤维分次加入,加入剩余水,得到超高性能混凝土。本申请具有改善超高性能混凝土的自收缩值,同时具有更高的力学强度的特点。
  • 一种超高性能混凝土及其制备工艺
  • [实用新型]一种图像传感器测试设备-CN202321239694.5有效
  • 郭鹏志;蒙飞;阳启华 - 广东涌固科技有限公司
  • 2023-05-22 - 2023-09-26 - B65G47/90
  • 本实用新型涉及图像传感器测试技术领域,特别涉及一种图像传感器测试设备,点亮治具组件由治具平移模组和连接在传感器治具上的传感器治具组成;上料线组件、点亮治具组件和收料组件沿平移模组的运动方向依次排列;上料线组件上设置有用于将料盘堆叠的料盘堆叠模块、用于将最顶层料盘取出的分盘模块和用于将分盘模块上最顶部的一个料盘转移至传感器上料机械手下方和料盘堆叠模块位置处的料盘转移模块。在使用本实用新型时,该结构中,图像传感器既可以实现自动检测,且料盘的分离和料盘的堆叠都可以通过料盘堆叠模块、分盘模块和料盘转移模块三者配合完成,降低人工转移料盘而导致传感器洒落的风险,而且降低劳动强度,提高检测效率。
  • 一种图像传感器测试设备
  • [发明专利]互联层中空气间隙的形成方法-CN202310944337.7在审
  • 裴梓任;蒙飞;张培根;汤嘉伟 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2023-07-28 - 2023-09-22 - H01L21/768
  • 本发明提供了一种互联层中空气间隙的形成方法,包括:在半导体基底上形成第一介质层;在第一介质层内形成第M‑1金属层,包括若干第一金属线;在第一介质层和第M‑1金属层上形成第二掺氮碳化硅层和第二介质层;在第二介质层内通过大马士革的方法形成第M金属层和通孔结构,通孔结构穿过第二掺氮碳化硅层连通第M‑1金属层,第M金属层包括若干第二金属线;在第一介质层和第二介质层的重叠处,从第二介质层的表面刻蚀第二介质层和第一介质层,以形成同时位于相邻第一金属线之间以及相邻第二金属线之间的深沟槽;在第二介质层和第二金属层上形成第三介质层,第三介质层同时封闭深沟槽的开口,以形成空气间隙。
  • 互联层中空气间隙形成方法
  • [发明专利]一种图像传感器测试设备-CN202310577158.4在审
  • 郭鹏志;蒙飞;阳启华 - 广东涌固科技有限公司
  • 2023-05-22 - 2023-07-25 - B65G47/90
  • 本发明涉及图像传感器测试技术领域,特别涉及一种图像传感器测试设备,点亮治具组件由治具平移模组和连接在传感器治具上的传感器治具组成;上料线组件、点亮治具组件和收料组件沿平移模组的运动方向依次排列;上料线组件上设置有用于将料盘堆叠的料盘堆叠模块、用于将最顶层料盘取出的分盘模块和用于将分盘模块上最顶部的一个料盘转移至传感器上料机械手下方和料盘堆叠模块位置处的料盘转移模块。在使用本发明时,该结构中,图像传感器既可以实现自动检测,且料盘的分离和料盘的堆叠都可以通过料盘堆叠模块、分盘模块和料盘转移模块三者配合完成,降低人工转移料盘而导致传感器洒落的风险,而且降低劳动强度,提高检测效率。
  • 一种图像传感器测试设备
  • [发明专利]深沟槽隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法-CN202110090016.6有效
  • 刘张李;蒙飞;刘宪周 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2021-01-22 - 2023-06-02 - H01L21/762
  • 本发明提供一种深沟槽隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法,在所述深沟槽隔离结构的形成方法中,通过先形成浅沟槽隔离结构,然后,在第二绝缘层和所述浅沟槽隔离结构上形成图形化的光刻胶层,所述图形化的光刻胶层中具有一开口,所述开口对准所述浅沟槽隔离结构,并且所述开口的宽度小于所述浅沟槽隔离结构的宽度;接着,以所述图形化的光刻胶层为掩膜,采用湿法刻蚀工艺依次刻蚀所述浅沟槽隔离结构和第一绝缘层,以形成深沟槽,由于,在刻蚀浅沟槽隔离结构和第一绝缘层时,采用湿法刻蚀工艺,由此,可以避免产生副产物,从而可以避免形成的深沟槽隔离结构与所述半导体衬底之间存在副产物,进而可以避免造成污染。
  • 深沟隔离结构形成方法半导体器件
  • [发明专利]金属互连结构的形成方法-CN202211431188.6在审
  • 董佳莹;谭艳琼;蒙飞 - 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-11-14 - 2023-05-09 - H01L21/768
  • 本申请公开了一种金属互连结构的形成方法,包括:在层间介质层中形成沟槽,层间介质层形成于晶圆上,晶圆上集成有半导体器件;在层间介质层和沟槽暴露的表面形成阻挡层;在阻挡层上形成铜籽晶;在真空环境下进行热处理,使铜籽晶中铜的晶向转为[111];在铜籽晶上电镀形成铜层,铜层填充沟槽;进行平坦化,去除沟槽外的阻挡层、铜籽晶和铜层。本申请通过在金属互连结构的形成过程中,在接触通孔的沟槽形成后,依次形成阻挡层和铜籽晶,在真空环境下进行热处理,使铜籽晶中铜的晶向转为[111],从而增加大铜晶粒的颗粒尺寸且降低其方块电阻,有利于后续的电镀工艺的填充,在一定程度上提高了器件的可靠性。
  • 金属互连结构形成方法
  • [发明专利]射频开关管及其制造方法-CN202211520453.8在审
  • 杨忠博;蒙飞;刘张李;裴梓任 - 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-11-29 - 2023-05-02 - H01L23/538
  • 本发明提供一种射频开关管,包括衬底,衬底上依次形成有多个半导体器件结构;其中,部分半导体结构上均包括:栅极结构以及形成于栅极结构两侧的源区和漏区;覆盖栅极结构的刻蚀停止层;形成于刻蚀停止层上的第一层间介质层;分别用于引出源区和漏区的第一、二金属层;形成于第一、二金属层、第一层间介质层上的第一介质阻挡层,以及形成于第一介质阻挡层上的第二层间介质层,第一、二层间介质层的材料均为低介电常数;第二层间介质及其下方的第一介质阻挡层上形成有第一凹槽,第一凹槽中填充有第三金属层,第三金属层分别与第一、二金属层电性连接。本发明只需使用一层光刻,使成本大大降低;对器件的谐波性能不会造成大的影响。
  • 射频开关及其制造方法
  • [发明专利]高功率器件的栅极结构及其制造方法-CN202211511514.4在审
  • 刘洋;蒙飞 - 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-11-29 - 2023-04-18 - H01L21/28
  • 本发明提供一种高功率器件的栅极结构及其制造方法,其中方法包括:提供一其上形成有栅氧化层和栅极的衬底;在栅极的表面上形成保护层;形成氧化硅层和氮化硅层;形成侧墙结构;去除栅极两侧的部分侧墙结构和部分保护层,以及去除栅极两侧的栅氧化层以露出栅极底部边角;对衬底以及所述栅极底部边角进行氧化以得到微笑形貌的栅极。本申请通过先去除栅极两侧的部分侧墙结构和部分保护层以露出栅极底部边角,然后对栅极底部边角进行局部氧化从而增厚栅极底部边角位置的氧化硅以得到微笑形貌的栅极,可以在避免器件电学性能发生改变的同时,避免晶圆翘曲,避免沟道长度变短,提高了栅极的控制能力,优化Cj、GIDL及非线性,改善了谐波性能。
  • 功率器件栅极结构及其制造方法

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