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[发明专利]一种异质结构薄膜衬底的制备方法-CN202011334127.9有效
发明人：黄凯;欧欣;赵晓蒙 -专利权人： 上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N30/072 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料制备领域，本发明公开了一种异质结构薄膜衬底的制备方法。该制备方法的具体步骤如下：提供临时键合连接的第一压电衬底和第二压电衬底，该第一压电衬底设于该第二压电衬底上；向该第一压电衬底进行离子注入，经过离子注入后的第一压电衬底与支撑衬底键合，得到异质结构衬底；对该异质结构衬底进行解键合、退火、剥离转移和后处理，得到异质结构薄膜衬底。本发明提供的异质结构薄膜衬底的制备方法具有降低离子注入后的压电衬底的形变和异质键合结构退火热应力的特点。
一种结构薄膜衬底制备方法

[发明专利]一种提高薄膜CMP抛光厚度均匀性的方法-CN202110524096.1有效
发明人：欧欣;陈阳;黄凯 -专利权人： 上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆制造技术领域，本发明公开了一种提高薄膜CMP抛光厚度均匀性的方法。该抛光方法通过先对薄膜晶圆进行第一CMP抛光，使该薄膜晶圆形成中间薄边缘厚的状态，再对第一CMP抛光后的薄膜晶圆的边缘进行倒角，从而使得边缘区域晶圆整体厚度变小，能够改变晶圆在CMP背压气囊下方的受力分布，再对其进行第二CMP抛光，从而使该状态下边缘去除量大于中间部分去除量，与第一CMP抛光形成相互补偿，从而改善薄膜晶圆的厚度不均匀性。
一种提高薄膜 cmp 抛光厚度均匀方法

[发明专利]一种光学芯片衬底结构及其制备方法-CN202211247027.1在审
发明人：欧欣;陈阳;黄凯 -专利权人： 上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明涉及芯片技术领域，本发明公开了一种光学芯片衬底结构及其制备方法。该光学芯片衬底结构包括依次层叠的衬底结构、压电薄膜层、波导层和硅薄膜层；该波导层包括沿第一方向交替排列的波导和隔离结构；该第一方向为垂直于该衬底结构的轴线的方向；该波导的材料包括氮化硅；该压电薄膜层的材料为铌酸锂。该光学芯片衬底结构可实现铌酸锂光学芯片衬底结构与硅光子芯片的集成，从而利用不同材料的性能优点，提升芯片的性能和降低芯片制备的成本。
一种光学芯片衬底结构及其制备方法

[发明专利]一种带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底及其制备方法和应用-CN201911081884.7有效
发明人：欧欣;鄢有泉;黄凯;赵晓蒙;李忠旭;陈阳;游天桂 -专利权人： 上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底及其制备方法和应用。本发明通过采用一不带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底，包含硅支撑层和钽酸锂单晶薄膜层，其中硅支撑层预先经离子注入处理；先在该衬底薄膜层表面生长一金属层，然后将该金属层与表面沉积金属的氧化硅衬底的金属层键合，其中氧化硅衬底的金属层在氧化硅层表面；最后经过硅的离子剥离及后续抛光，间接地将钽酸锂单晶薄膜和金属层转移至氧化硅衬底上，从而形成带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底。本发明避免了直接剥离钽酸锂并转移其薄膜和金属层至沉积了金属的氧化硅衬底表面的热失配风险，该方法可为高响应度的钽酸锂热释电红外探测器的制备提供厚度定制化的薄膜衬底。
一种电极硅基钽酸锂单晶薄膜衬底及其制备方法应用

[发明专利]一种复合衬底的制备装置和制备方法-CN202210641709.4在审
发明人：欧欣;陈阳;黄凯 -专利权人： 上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本申请涉及薄膜材料制备技术领域，特别涉及一种复合衬底的制备装置和制备方法。装置包括：支撑架和多个卡接结构；多个卡接结构沿支撑架的高度方向间隔布置，多个卡接结构相对设置在支撑架的内框的两侧，相对设置的一组卡接结构间形成功能晶圆容置槽；卡接结构的固定端与支撑架固定连接，卡接结构的自由端设置有键合衬底卡接位，键合衬底卡接位用于与键合晶圆结构的键合衬底晶圆卡接。本申请通过设置多个卡接结构且卡接结构的键合衬底卡接位与键合晶圆结构的键合衬底晶圆卡接，实现了键合晶圆结构中的键合衬底晶圆与功能晶圆的自动剥离，同时利用重力作用辅助键合晶圆剥离，进一步缩短了晶圆剥离的时间，从而提高产品的生产效率和质量。
一种复合衬底制备装置方法

[发明专利]一种单晶压电衬底结构、制备方法及声波器件-CN202210398264.1在审
发明人：欧欣;柯新建;黄凯 -专利权人： 上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L41/053 文献下载
摘要：本申请涉及一种单晶压电衬底结构，包括：支撑衬底、表面隔离层、载流子陷阱层、绝缘层和压电层；表面隔离层设置于支撑衬底的一侧表面上；载流子陷阱层设置于表面隔离层远离支撑衬底的一侧表面上；绝缘层设置于载流子陷阱层远离支撑衬底的一侧表面上；压电层设置于绝缘层远离支撑衬底的一侧表面上，压电层与绝缘层键合；表面隔离层的厚度小于等于20nm；表面隔离层的材料包括第一预设比例含量的硅和第二预设比例含量的隔离材料。本申请在支撑衬底与载流子陷阱层之间沉积表面隔离层或在支撑衬底表面自然氧化形成表面隔离层，有效防止了载流子陷阱层的重结晶现象，提高了载流子陷阱层的载流子俘获效率，有效降低高频时器件的射频损耗，提高器件性能。
一种压电衬底结构制备方法声波器件

[发明专利]一种单晶压电薄膜及其制备方法-CN202210641726.8在审
发明人：欧欣;陈阳;黄凯 -专利权人： 上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L41/39 文献下载
摘要：本申请公开了一种单晶压电薄膜及其制备方法，包括对单晶压电衬底的加工表面进行第一退火处理，以在加工表面形成钝化层；单晶压电衬底为铌酸锂；从加工表面对单晶压电衬底进行离子注入处理，使得单晶压电衬底内形成压电薄膜层与损伤层，得到包括压电薄膜层的单晶压电衬底；采用清洗剂进行清洗处理，得到清洗后的单晶压电衬底；将清洗后的单晶压电衬底沿加工表面与支撑衬底键合，得到键合结构；对键合结构进行剥离处理，使键合结构沿损伤层分离，得到单晶压电薄膜。本申请通过在单晶压电衬底表面形成钝化层，能够有效避免压电薄膜层在制备过程中被腐蚀，降低制备工艺的复杂度，提升产品厚度的准确性与均匀性，提升产品良率。
一种压电薄膜及其制备方法

[发明专利]一种压电薄膜结构及其制备方法-CN202210639479.8在审
发明人：欧欣;陈阳;黄凯 -专利权人： 上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L41/39 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种压电薄膜结构及其制备方法。该压电薄膜结构包括依次层叠的衬底结构、压电薄膜层和钝化层，该钝化层包括层叠的多个子钝化层；该多个子钝化层中的每个子钝化层的材料元素包含至少部分该压电薄膜层的材料元素；该多个子钝化层中的子钝化层越靠近该压电薄膜层，该子钝化层的材料组分中的第一类元素含量越小，第二类元素的含量越大；该第一类元素为非金属元素；该第二类元素为金属元素。该钝化层能够有效避免了压电薄膜在清洗溶剂中，清洗溶剂对其的腐蚀，有效保证了压电薄膜结构的压电性能和后续键合的稳定性。
一种压电薄膜结构及其制备方法

[发明专利]一种用于声波器件的衬底结构及其制备方法-CN202210398409.8在审
发明人：欧欣;柯新建;黄凯 -专利权人： 上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请涉及材料制备技术及射频器件领域，特别涉及一种用于声波器件的衬底结构，包括：支撑衬底、载流子俘获层、绝缘层和压电层；载流子俘获层包括功能层和粘附层；粘附层形成于支撑衬底的一侧表面上，功能层形成于粘附层上远离支撑衬底的一侧表面上；绝缘层形成于功能层远离支撑衬底的一侧表面上；压电层形成于绝缘层远离支撑衬底的一侧表面上，压电层与绝缘层键合；粘附层为多晶材料或非晶材料，多晶材料的晶粒形状为过度形态的细晶粒结构。本申请通过设置粘附层，且粘附层为非晶材料或具有细晶粒结构的多晶材料，其生长温度较低，晶粒尺寸较小，同时晶粒在各方向上尺寸相差较小，排列较为密集，提供了较好的粘附效果。
一种用于声波器件衬底结构及其制备方法

[发明专利]一种异质压电结构及其制备方法-CN202210641713.0在审
发明人：欧欣;陈阳;黄凯 -专利权人： 上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种异质压电结构及其制备方法。该异质压电结构包括衬底结构、压电薄膜层和钝化层，该压电薄膜层位于该衬底结构的顶部；该钝化层位于该压电薄膜的顶部；该钝化层包含至少两种该压电薄膜层的材料元素。该钝化层能够有效避免了压电薄膜在清洗溶剂中，清洗溶剂对其的腐蚀，有效保证了异质压电结构的压电性能和后续键合的稳定性。
一种压电结构及其制备方法

[发明专利]一种提高离子束剥离薄膜厚度均匀性的方法-CN202010553378.X有效
发明人：黄凯;欧欣;赵晓蒙;李忠旭;陈阳 -专利权人： 上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L41/332 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高离子束剥离薄膜厚度均匀性的方法，包括：采用离子溅射的方法进行薄膜减薄，离子减薄后采用化学机械抛光工艺降低薄膜粗糙度。本发明的方法成功改善了薄膜厚度均匀性，且没有在薄膜表面额外引入缺陷层，在提高晶圆内不同区域间的器件性能一致性的同时不引起器件性能恶化，具有良好的应用前景。
一种提高离子束剥离薄膜厚度均匀方法

[发明专利]一种基于离子束增强腐蚀的压电晶圆表面处理方法-CN202010553381.1有效
发明人：黄凯;欧欣;赵晓蒙;李忠旭;陈阳 -专利权人： 上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L41/332 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于离子束增强腐蚀的压电晶圆表面处理方法，包括：首先在压电薄膜内注入He离子，在压电薄膜近表面形成缺陷层；然后利用Ar离子轰击晶圆表面，形成光滑表面；再利用Kr离子轰击晶圆表面，使得缺陷层转变为非晶层；最后利用酸性腐蚀液腐蚀，去除形成的非晶层，得到具有低表面粗糙度的薄膜表面。本发明有效降低了压电薄膜表面粗糙度，降低了表面粗糙度引起的声波损耗和光学损耗，方法简单、成本低，具有良好的应用前景。
一种基于离子束增强腐蚀压电表面处理方法

[发明专利]一种压电薄膜高温极化方法-CN202010553392.X有效
发明人：黄凯;欧欣;赵晓蒙;李忠旭;陈阳 -专利权人： 上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L41/257 文献下载
摘要：本发明涉及一种压电薄膜高温极化方法，包括：制备压电薄膜、热致相变材料与支撑衬底的复合结构；然后对复合结构进行高温退火，再以热致相变材料作为底电极，在压电薄膜上施加极化电场；最后对极化后的压电薄膜进行表面处理。本发明通过引入相变材料，一方面，相变材料在退火温度下金属化，作为底电极施加极化电压，可以提高压电薄膜的极化一致性；另一方面，相变材料在器件工作温度下绝缘化，可以作为高阻隔离层提升压电器件的射频性能。
一种压电薄膜高温极化方法

[发明专利]一种低损耗衬底及制备方法-CN202111624327.2在审
发明人：欧欣;柯新建;黄凯 -专利权人： 上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低损耗衬底及制备方法，其中，一种低损耗衬底包括衬底层和位于衬底层上的第一缺陷层；第一缺陷层远离衬底层的一侧设有第二缺陷层，第二缺陷层的表面具有凸起结构，凸起结构的高度为预设高度；在第一缺陷层和/或第二缺陷层是由双面沉积生成的情况下，经过不完全热氧化，在衬底层远离第一缺陷层的一侧得到应力调整层，在第二缺陷层远离第一缺陷层的一侧得到第一氧化层，第一氧化层的密度为预设密度；第一氧化层远离第二缺陷层的一侧设有压电单晶层。本低损耗衬底通过调整应力调整层的厚度，改善了晶圆整体形貌。此外，第二缺陷层晶粒尺寸较大，由第二缺陷层制得的氧化层结构更加致密，这有利于压电单晶层与氧化层键合。
一种损耗衬底制备方法

[发明专利]一种异质薄膜衬底、其制备方法和滤波器-CN202111505907.X在审
发明人：欧欣;李忠旭;黄凯 -专利权人： 上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本申请涉及射频器件制备技术领域，特别是涉及一种异质薄膜衬底、其制备方法和滤波器。方法包括：提供支撑衬底，所述支撑衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述第二表面为粗糙面；在所述第二表面上沉积缺陷层；所述缺陷层朝向所述支撑衬底的一侧表面和远离所述支撑衬底的一侧表面均为粗糙面；在所述缺陷层远离所述支撑衬底的一侧表面上形成绝缘层；对所述绝缘层进行抛光处理；在所述绝缘层远离所述支撑衬底的一侧表面上形成压电层，得到所述异质薄膜衬底。本申请通过设置缺陷层朝向支撑衬底的一侧表面和远离支撑衬底的一侧表面为粗糙表面，通过缺陷层的粗糙表面可以散射传播至此的体声波，解决了滤波器中的界面声波能量反射问题。
一种薄膜衬底制备方法滤波器

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