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[发明专利]应力层集成及其方法-CN200780014258.5无效
发明人：保罗·A·格吕多斯基;达尔恩·V·格德克;约翰·J·哈肯贝格 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2007-03-07 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在所述衬底之上形成第一应力层(215)，并且在所述第一应力层之上形成牺牲层(216)。在所述牺牲层之上形成第二应力层(219)。
应力集成及其方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201410432213.1有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，半导体器件的形成方法包括：提供衬底；形成覆盖衬底表面的叠层结构，所述叠层结构包括：位于衬底表面的第一应力层、位于第一应力层表面的本征层以及位于本征层表面的第二应力层，其中所述第一应力层的晶格常数小于本征层的晶格常数，所述本征层的晶格常数小于第二应力层的晶格常数；在第二应力层表面形成栅极结构；刻蚀位于栅极结构两侧的叠层结构，形成沟槽；形成填充满沟槽的第三应力层，且第三应力层的晶格常数大于第一应力层的晶格常数。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种储层应力敏感性的确定方法-CN201710891799.1在审
发明人：田巍;李中超;赵磊;许寻;张蕴曼;聂法健;周志龙;袁广均 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司中原油田分公司勘探开发研究院
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G01N33/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种储层应力敏感性的确定方法，属于油气田开发技术领域。本发明根据不同油气储层应力变化方式采用对应的实验方法来确定岩石样品渗透率与净应力关系，并将渗透率与净应力关系曲线沿净应力增加的方向进行外延至当前净应力点，并以实际储层原始净应力为起点来进行确定实际储层的应力敏感性，使得到的应力敏感性更加符合储层的实际情况，得到的储层应力敏感性更加精准，为储层保护，油田开发、开发规划等提供更有价值的数值。
应力敏感性应力关系渗透率油气田开发储层保护方式采用岩石样品应力变化应力增加油气储层油田开发力点规划开发

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201610315837.4有效
发明人：金兰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括用于形成第一晶体管的第一区域和用于形成第二晶体管的第二区域；形成第一应力层和第二应力层，第一应力层和第二应力层的顶部表面高于衬底的表面；形成覆盖层；去除第一应力层和第二应力层相对面上部分厚度的覆盖层本发明通过在形成覆盖层之后，去除第一应力层和第二应力层相对表面上部分厚度的覆盖层，以扩大隔离结构两侧第一应力层和第二应力层之间的距离，有效的改善相邻应力层之间距离太近而引起的器件性能问题，减少了器件短接现象的出现此外，去除部分厚度的覆盖层还可以去除位于第一应力层和第二应力层相对表面上覆盖层表面所形成的堆叠缺陷，从而提高所形成半导体器件的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201210393777.X有效
发明人：秦长亮;尹海洲;殷华湘 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-10-16 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种应力半导体制造方法。本发明中，首先在NMOS区域形成张应力层以在PMOS区域形成压应力层，沉积TEOS并进行平坦化处理，接着全面沉积保护层；采用栅极线条掩模版对保护层进行光刻和刻蚀，打开虚设栅极，由于在张应力层和压应力层之上完全覆盖了保护层，并且保护层在湿法腐蚀液中的腐蚀速率很小，因此张应力层和压应力层不会受到任何损伤，克服了现有技术中的缺陷；接着，形成栅极凹槽后，完成高K栅绝缘层和金属栅极制造，实现了后栅工艺与双应变应力层的工艺集成。
半导体器件制造方法

[实用新型]一种分层应力控制的绝缘管线母线-CN202223581331.8有效
发明人：钟星国;顾占松 -专利权人：雷朋电气集团有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01B7/18 文献下载
摘要：本文提出了一种分层应力控制的绝缘管线母线，母线的导体外侧设有绝缘层，所述的绝缘层层叠式的设有若干层，绝缘层的中部层开始逐层向下的设有应力堆，绝缘层的最外层设有护套层，所述的应力堆为单圆弧突出式设在绝缘层的层叠之间，应力堆的右端设有屏蔽层，所述的屏蔽层设在应力上下的绝缘层之间，通过对多层电容均压绝缘屏蔽端部采用逐层端部电应力控制带进行应力疏散，大幅度减少均压屏蔽层数和产品合格率，应力控制效果明显，产品局放检测合格率提高到
一种分层应力控制绝缘管线母线

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201310754214.3在审
发明人：毛刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/8232 文献下载
摘要：在半导体衬底的栅极结构周边形成应力层，所述应力层上形成保护层；在半导体衬底上形成覆盖栅极结构的介质层后，刻蚀介质层形成贯穿保护硅层的通孔，之后，沿着通孔向应力层内沉积金属原子，在所述应力层表面形成金属硅化物导电层上述技术方案中，直接在应力层表面形成金属硅化物导电层，并使得应力层直接与金属插塞电连接，免除了向覆盖在应力层上的保护层中注入离子的步骤，从而降低了降低嵌入式应力晶体管制备难度。
半导体器件形成方法

[实用新型]多层防断输送胶带-CN201320692090.6有效
发明人：曹彦宾;仝西朝;高长信 -专利权人：山东晨光胶带有限公司
申请日： 2013-11-06 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： B65G15/34 文献下载
摘要：多层防断输送胶带，防滑层、防撕裂层、支撑层、应力监测器、弹性防振层、应力监测层、耐磨层组成，其特征是支撑层的上面设置防撕裂层，防撕裂层的上面设置防滑层，支撑层的下面设置应力监测层，应力监测层的下面设置弹性防振层，弹性防振层的下面设置耐磨层，应力监测层的内部设置应力监测器，本实用新型有益效果是多层防断输送胶带设计有防断监测方案，可有效防止使用过程中输送胶带的突然断裂，减少安全事故发生。
多层输送胶带

[发明专利]具有局部应力结构的金属氧化物半导体场效应晶体管-CN200510075361.3有效
发明人：陈建豪;蔡邦彦;张志坚;李资良;陈世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-06-16 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有局部应力结构的金属氧化物半导体场效应晶体管，可于源极/漏极区域形成应力诱导层，该应力诱导层包括第一半导体材料及第二半导体材料。利用一系列作用于第一半导体材料的反应操作形成应力诱导层并迫使第二半导体材料进入应力诱导层下层。该应力诱导层可以位于源极/漏极间的凹陷区域或非凹陷区域。本发明提供一种方法，利用锗硅化物的氮化或氧化工艺使源极/漏极区域产生应力诱导层，此应力诱导层上层可形成氮化或氧化薄膜，并使锗得以进入应力诱导层下层。本发明提供另一方法，产生反应层覆盖于应力诱导层之上，使该反应层与应力诱导层产生交互作用。
具有局部应力结构金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]一种翘曲晶圆应力消除方法-CN202310769716.7有效
发明人：杨云畅;徐浩;刘满满;董鹏;边旭明 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种翘曲晶圆应力消除方法，包括如下步骤：在室温下对翘曲晶圆进行曲率测试得到晶圆的翘曲度；根据晶圆的翘曲度选择粘附层和应力层的种类；在晶圆的背面依次形成粘附层和应力层，使得粘附层和应力层形成的应力与晶圆的应力平衡，从而使室温下的晶圆表面平整；器件工艺完成后，对粘附层和应力层进行第一段温度下的加热，所述第一段温度为25℃～75℃，然后对粘附层和应力层进行第二段温度下的加热，所述第二段温度为‑55℃～10℃，使粘附层和应力层从晶圆背面剥离，并使晶圆背面出现断裂，从而消除晶圆内部的应力。本发明能够消除晶圆翘曲对器件工艺的不利影响，并且能够消除翘曲晶圆内部的应力，防止碎片风险。
一种翘曲晶圆应力消除方法

[发明专利]制作互补型金属氧化物半导体器件的方法-CN201010124554.4无效
发明人：黄敬勇;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作互补型金属氧化物半导体器件(CMOS器件)的方法，所述CMOS器件包括具有张应力层的NMOS区域和具有压应力层的PMOS区域，所述方法包括：提供一个具有NMOS区域和PMOS区域的半导体器件，所述NMOS区域的上方形成具有掺杂剂的张应力层；在所述NMOS区域的具有掺杂剂的张应力层和PMOS区域的上方沉积压应力层；在所述压应力层上形成覆盖PMOS区域、暴露NMOS区域的光刻胶图层；以所述光刻胶图层为掩膜刻蚀NMOS区域的压应力层，在该压应力层的刻蚀过程中检测所述张应力层中的掺杂剂所给出的信号，当信号强度达到预定值时，停止刻蚀，以得到所述CMOS器件。采用本发明的方法不会在该张应力层上残余氧化层，简化了制备具有应力层的CMOS器件的步骤。
制作互补金属氧化物半导体器件方法

[发明专利]强化玻璃-CN201680055620.2有效
发明人：深田睦;木下清贵 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2016-09-16 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： C03C21/00 文献下载
摘要：一种强化玻璃，其特征在于，是在表面具有带压缩应力的压缩应力层、且在压缩应力层的内部侧具备带拉伸应力的拉伸应力层的强化玻璃，在将表示从表面起到应力在压缩应力层与拉伸应力层之间达到零的基准位置为止的深度的零应力深度设为DZ(μm)、且将表示从表面起强力产生上述压缩应力的扩散有碱金属离子的区域层的深度的碱金属扩散深度设为DT(μm)的情况下，满足下式(1)，DZ/DT0.65…(1)。在将最大拉伸应力设为CTM(MPa)的情况下，满足下式(2)。CTM73…(2)。
强化玻璃

[发明专利]MEMS麦克风及其制备方法-CN201610389572.2有效
发明人：胡永刚 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS麦克风，包括基板、下电极层、牺牲层、应力层和上电极层，基板的中部设有第一开口，下电极层横跨于基板上；牺牲层、应力层、上电极层依次层叠在下电极层上，并在牺牲层、应力层上开设第二开口；应力层的厚度与基板的翘曲程度相匹配。上述MEMS麦克风，可根据半导体基板的翘曲或形变程度改变应力层的厚度，使应力层的厚度或应力与基板的翘曲程度相匹配，通过改变应力层的厚度和应力，进而对基板施加与基板变形方向相反的力，以减轻或消除基板的变形
mems 麦克风及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710461421.8有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：形成基底，所述基底上具有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内具有第一应力层；形成所述栅极结构之后，对所述第一应力层进行回刻处理，在所述第一应力层内形成开口；在所述开口内形成第二应力层通过在所述第一应力层内形成开口；在所述开口内形成第二应力层；所述第一应力层和所述第二应力层一同用于构成所述半导体结构的源漏掺杂区；由于所述第二应力层在所述栅极结构之后形成，因此能够降低所述栅极结构形成工艺对所述第二应力层的影响，能够有效减少所述第二应力层出现应力释放问题的几率，从而有利于提高所形成半导体结构源漏掺杂区的性能，有利于改善所形成半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构和形成集成电路结构的方法-CN201910637637.4有效
发明人：赖韦仁;陈燕铭;李宗霖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：该方法包括在半导体衬底上形成复合应力层，其中复合应力层的形成包括形成具有第一压缩应力的介电材料的第一应力层和在第一应力层上形成具有第二压缩应力的介电材料的第二应力层，第二压缩应力大于第一压缩应力；以及使用复合应力层作为蚀刻掩模
半导体结构形成集成电路方法