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[发明专利]激光切割机及电子芯片加工系统-CN202310529316.9在审
发明人：周维超 -专利权人：安徽小南瓜机械设备有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：该种电子芯片加工用晶圆激光切割机，包括激光切割探头、机械手臂及放置在支撑台上的晶圆本体，所述机械手臂上安装有安装框，所述激光切割探头安装在安装框上，所述安装框上设置有用于晶圆本体切割过程中切槽边缘凸起抹平的抹平组件该种电子芯片加工用晶圆激光切割机，在激光烧蚀切割的过程中，通过各个第一弹簧对U型架上挤压辊的挤压作用及挤压辊与晶圆本体上表面之间的摩擦作用，使挤压辊在移动的同时进行转动，对高温激光烧蚀过程中切割两侧产生的凸起进行靠向切割的内侧挤压推动，对晶圆本体上端产生的凸起进行抹平，便于晶圆本体后续的加工操作。
激光切割机电子芯片加工系统

[实用新型]一种ABM光刻机用晶圆去边治具-CN201821958262.9有效
发明人：席庆男;刘军强;许南发;王晓慧 -专利权人：山东元旭光电股份有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型属于晶圆加工设备技术领域，提供了一种ABM光刻机用晶圆去边治具，包括治具本体，治具本体的一侧设有用以实现其于光刻机上安装的安装部，治具本体的另一侧开设有光刻板放置槽、晶圆放置槽和取片槽，光刻板放置槽与晶圆放置槽对应设置，且晶圆放置槽位于光刻板放置槽的下方，取片槽位于晶圆放置槽的下方，且取片槽的一端延伸至治具本体的外周边设置。本实用新型结构简单，相较传统的晶圆去边加工方法，利用该治具与ABM光刻机配合使用，晶圆去边加工后，边缘光刻胶无锯齿型，且该治具有效避免了因晶圆中心不正导致边缘去边尺寸不均匀的现象发生，进而使得对晶圆的去边加工质量跟加工效率均大大提高
晶圆放置槽去边治具本体光刻板光刻机取片槽治具本实用新型加工晶圆加工设备加工效率晶圆中心边缘光不均匀传统的锯齿型外周边光刻胶无延伸

[发明专利]晶圆表面损伤的检测方法及检测系统-CN202110506336.5在审
发明人：李嗣晗;曾怀望;杨睿峰;焦文龙;王淼 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：一种晶圆表面损伤的检测方法及检测系统，包括：提供晶圆，所述晶圆的表面具有金属‑介质层的堆叠结构；测量所述晶圆表面的第一平带电压；自所述晶圆的另一表面，对所述晶圆进行工艺处理；测量所述晶圆表面的第二平带电压；根据所述第一平带电压以及第二平带电压，确定所述金属‑介质层的堆叠结构周围预设范围内的晶圆表面损伤。
表面损伤检测方法系统

[发明专利]一种超薄晶圆置入凹槽型载盘的方法-CN202111672126.X在审
发明人：严立巍;符德荣;陈政勋 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开一种超薄晶圆置入凹槽型载盘的方法，包括以下步骤：(1)将超薄晶圆基板置于带喷气机构的机械臂上，通过机械臂吹气使超薄晶圆基板悬浮于机械臂上方；(2)使用带夹持机构的机械臂夹持凹槽式载板，将凹槽式载板的凹面朝下，由上方与超薄晶圆基板对准，然后将超薄晶圆基板与凹槽式载板嵌合；(3)嵌合完成后，夹持机械臂和喷气机械臂整体翻转180°，完成超薄晶圆基板置入载盘，移走喷气机械臂即可。本发明利用伯努利原理由下向上吹平超薄晶圆基板并使其悬浮，然后将超薄晶圆基板嵌合入载盘的凹槽中，实现薄晶圆基板置入凹槽型载盘，同时防止了超薄晶圆基板的翘曲，以便进行后续的晶圆制程。
一种超薄置入凹槽型载盘方法

[实用新型]一种晶圆的托举组件-CN202223337455.1有效
发明人：阎勇;尤梦琪 -专利权人：南京华易泰电子科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提出一种晶圆的托举组件，涉及半导体制造技术领域，包括横杆，横杆的一端固设有连杆，横杆的长边方向与连杆的长边方向垂直，连杆远离横杆的一端固设有放置晶圆的回型板，回型板的上表面开设有若干个锯齿形凹槽，若干个锯齿形凹槽在水平方向上呈阵列式排布，该晶圆的托举组件，多个晶圆通过锯齿型凹槽稳定的放置在回型板上，通过锯齿型凹槽的作用，使得每个晶圆可以独立放置，且保持相同距离，减少了晶圆和连杆的接触或多个晶圆之间抵触而刮伤晶圆表面的可能性，也减少晶圆在移动过程中脱出回型板的可能性，同时提高了清洗晶圆的数量，提高清洁效率，回型板的设置不影响晶圆的清洗，减少清洗死角。
一种托举组件

[发明专利]智能型晶圆贴膜机-CN200810201310.4无效
发明人：张健欣 -专利权人：秦拓微电子技术（上海）有限公司;张健欣;宋军辉
申请日： 2008-10-17 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：智能型晶圆贴膜机减少了操作中因人为因素所造成的不利影响，解决了多种尺寸晶圆在加工中的兼容问题，达到晶圆对贴膜保护的严格要求。主要采用了以下结构：可兼容多尺寸的工作台、可切除V型定位边及水平定位边的切刀结构、可进行1mm内可控微调的切刀结构、可顶起晶圆上升的升降结构及PLC编程控制系统和触摸屏操作。图2为可兼容多尺寸晶圆的工作台的剖视图。
智能型晶圆贴膜机

[发明专利]晶圆保持器-CN201510107099.X在审
发明人：大石隆宏;黄健宝;黄灿华;薛士雍 -专利权人：汉民科技股份有限公司
申请日： 2015-03-12 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明揭露一种晶圆保持器，其包含保持器主体、支撑件及限制件。保持器主体具有圆形通孔。支撑件包含支撑主体及多数个支撑脚。支撑主体固定于圆形通孔上，而支撑脚间隔环设于支撑主体的内侧壁，用以支撑晶圆。限制件固定于支撑主体上，且位于相邻两支撑脚之间，其中限制件设置对应朝向该晶圆的一平边，用以限制晶圆产生转动。借由上述技术方案，本发明一种晶圆保持器不但能够限制晶圆在制造过程中产生转动或位移，而且使晶圆的表面可有效均匀受热，从而大幅提升工艺良率。
保持

[发明专利]一种提高平边产品晶棒线切割入刀稳定性的方法-CN202010564568.1有效
发明人：陈奎;贺贤汉;吉远军 -专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明的公开了一种提高平边产品晶棒线切割入刀稳定性的方法，将两根待切割的平边产品晶棒根据面方位要求旋转，待旋转至达到面方位要求的角度后，将待切割的平边产品晶棒固定在工件板上；测定两根平边产品晶棒的旋转角度；当旋转角度大于等于阈值时，设定为有旋转角度的平边产品晶棒；当旋转角度小于阈值时，设定为无旋转角度的平边产品晶棒；对于有旋转角度的平边产品晶棒，将2根树脂条靠近平边产品晶棒底部入刀口处两侧粘接，此处底部入刀口处为平边产品晶棒的平边与弧边之间的交接点；对于无旋转角度的平边产品晶棒，将2根树脂条靠近平边产品晶棒的平边两侧粘接；使钢线在切入晶棒切割过程中能够稳定入刀。
一种提高产品晶棒线切割稳定性方法

[实用新型]一种在注入机上优化的寻边传感装置-CN202121627224.7有效
发明人：亓信中;李帅 -专利权人：江苏联芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-17 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种在注入机上优化的寻边传感装置，包括：机架，在机架上设置有注入器与旋转托盘，旋转托盘与电机转轴相连，在电机转轴上固定连接有金属圆盘，在金属圆盘上开设有一个平口，在机架上设置有升降机构，在升降机构上设置有寻边传感装置，所述寻边传感装置包括：上下对齐的发射器与接收器，发射器与接收器通过中控装置与注入器电连接，在发射器与接收器之间留有能够容纳金属圆盘的感应间隙。本实用新型的优点在于：实现一台注入机能够对平口晶圆及缺口晶圆进行加工，无需额外购买能够对缺口晶圆进行加工的注入机，降低了生产成本。
一种注入优化传感装置

[发明专利]镭射打印装置及其方法-CN201510730865.8在审
发明人：吴文仁;钟卓君 -专利权人：钛昇科技股份有限公司
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种镭射打印装置及其方法，其包括镭射系统，镭射系统上侧具有一移动系统，移动系统上侧具有一晶圆整平系统，晶圆整平系统上侧具有一第一影像系统；其特征在于晶圆整平系统承载并整平翘曲待处理的一晶圆，由下侧的移动系统调整晶圆至适当位置由第一影像系统观测晶圆确认品项及定位，通过下侧的镭射系统对晶圆进行镭射盖印处理。本发明利用移动系统做出旋转及平移动作避免重复全面按压晶圆，使晶圆表面应力降低，能减少晶圆与加工过程所产生的损害，并使得晶圆结果可检查及确认。
镭射打印装置及其方法

[发明专利]曝光晶圆的调平方法及光刻曝光的方法-CN202011355386.X在审
发明人：田范焕;梁时元;贺晓彬;李亭亭;杨涛;刘金彪 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种曝光晶圆的调平方法及光刻曝光的方法，包括以下步骤：获取所述晶圆上不同图形的原始调平数据；根据掩膜版上设计图形的位置来获得不同图形的调平数据；根据所述调平数据对所述原始调平数据进行补偿本发明的实施例中曝光晶圆的调平方法能够改善晶圆曝光制程中晶圆调平的性能，提高曝光效率。
曝光平方光刻方法

[实用新型]一种用于碳化硅预对准晶圆-CN202022815115.X有效
发明人：杜蕾;孙军;张振中;和巍巍;汪之涵 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于碳化硅预对准晶圆。所述用于碳化硅预对准晶圆通过在碳化硅晶圆的正面的边缘处设置圆环状的屏蔽结构，其中，所述屏蔽结构包括硅化物层或金属层或硅层，且所述屏蔽结构的宽度在2mm～10mm的范围内。如此，可使得所述用于碳化硅预对准晶圆在后续加工时可顺利采用传统的激光对射技术，以确定所述碳化硅晶圆的平边位置。本实用新型制备工艺简单且成本低，易于实现碳化硅晶圆预对准的目的。
一种用于碳化硅对准

[实用新型]一种兼容4至8寸的提高热蒸发镀膜均匀性的夹具-CN202222879140.3有效
发明人：李燚雷;傅建良;孙猛 -专利权人：绍兴君万微电子科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：包括环形的金属工件盘，所述金属工件盘的中心开设有孔一、孔二，且孔一两面穿透金属工件盘，孔二的开设厚度小于孔二的厚度，所述孔二的径向尺寸大于孔一的径向尺寸，以在两者接攘位置处形成台阶，所述金属工件盘上设有一平边结构，平边结构衔接于孔一和孔二的内侧。本实用新型采用金属工件盘与晶圆嵌合的方式固定，操作简单、晶圆与基板接触更紧密，克服了每次固定晶圆时，贴合紧密度不一致的缺陷，提升的镀膜的均一性；并且兼容不同尺寸的晶圆，操作更加便捷，节约了时间成本。
一种兼容提高蒸发镀膜均匀夹具

[发明专利]一种基于载盘的超薄晶圆切割工艺-CN202210234121.7在审
发明人：严立巍;符德荣;陈政勋 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开一种基于载盘的超薄晶圆切割工艺，具体包括以下步骤：S1、完成正面制程后预切割部分深度；S2、完成晶圆背面减薄；S3、将减薄后晶圆置于载盘中；S4、在晶圆边缘形成环形的光阻封堵，在晶圆背面预切割一定深度；S5、完成背面金属制程，除去光阻封堵；S6、裂片及拉膜机将晶圆未断裂部分断开；S7、将晶圆正面转移至第二切割模框，完成晶圆的切割。本发明利用伯努利原理将超薄晶圆吹平后置于凹槽型载盘承载中，克服了超薄晶圆的翘曲问题，同时利用凹槽型载盘提供应力支撑，进行两次预切割后裂片，也解决了超薄晶圆在直接切割时易发生裂片的问题。
一种基于超薄切割工艺

[实用新型]一种结构改良的贴片式二极管-CN201520445308.7有效
发明人：林茂昌 -专利权人：林茂昌
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种结构改良的贴片式二极管，包括第一、二极片、晶圆以及封装体，其第一极片具有一槽型结构，晶圆位于槽型结构内并且晶圆的第一极与槽型结构的槽底电连接，第二极片由第一直片部、第一斜片部、第二直片部、第二斜片部、第三直片部、第四直片部、第五直片部构成，在第一直片部的靠近第一端端部的位置冲制有一凸点，凸点与晶圆的第二级电连接，封装体将晶圆、第一极片的槽型结构的槽底以及两侧的内槽边、第二极片的第一、二直片部、第一、二斜片部、第三直片部的绝大部分封装在一起，第二极片的第四直片部、第五直片部和第一极片的底面、与底面相邻的四个侧面位于封装体外，第一极片的底面与第二极片中的第五直片部的底面平齐。
一种结构改良贴片式二极管