|
钻瓜专利网为您找到相关结果 3918836个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [实用新型]一种晶圆外观检测装置-CN202221365719.1有效
-
李林稳;林昌达;郭海兵;曾志东;叶胜浓
-
深圳华工量测工程技术有限公司
-
2022-06-02
-
2023-02-03
-
G01N21/01
- 本实用新型涉及晶圆生产技术领域,具体涉及一种晶圆外观检测装置,包括底板,所述底板上设有外观检测工位、视觉检测机构以及XY直线模组,所述外观检测工位设置于所述XY直线模组的一侧,所述视觉检测机构安装于所述XY直线模组上;所述外观检测工位包括基板、晶圆定位治具、旋转驱动机构以及寻边纠偏机构;所述旋转驱动机构和所述寻边纠偏机构均设置于所述基板上,所述晶圆定位治具转动安装于所述基板上,且所述晶圆定位治具与所述旋转驱动机构连接本实用新型将寻边纠偏机构设置在基板上,通过旋转驱动机构带动晶圆定位治具转动,配合寻边纠偏机构,可以实现自动寻边纠偏功能,且结构简单,易于操作,成本低。
- 一种外观检测装置
- [发明专利]量产型激光直写光刻机及其控制方法-CN202110310281.0有效
-
曲鲁杰;关远远
-
合肥芯碁微电子装备股份有限公司
-
2021-03-23
-
2023-08-15
-
G03F7/20
- 本发明公开了一种量产型激光直写光刻机及其控制方法,应用于集成电路制造,量产型激光直写光刻机包括移动平台、对准相机、光学引擎和移载装置,移动平台包括多个区域,每个区域内安装有单个或多个光学引擎;光学引擎带有同轴或旁轴的对准相机,光学引擎根据晶圆上的Mark位置对每个镜头进行图形数据变换处理,并根据变换后得到的图形位置数据在各晶圆相对应的位置进行曝光;利用寻边器对晶圆位置进行预对准处理;移载装置将预对准过的晶圆移入移动平台相对应的区域本发明能够同时对多个区域的多片晶圆进行曝光,解决了集成电路曝光效率低的问题,极大提高了曝光产能,利于实现集成电路制造和晶圆级封装的量产。
- 量产激光光刻及其控制方法
- [实用新型]一种晶圆级芯片封装用薄膜涂覆台-CN202220825169.0有效
-
徐红波
-
宁波福驰科技有限公司
-
2022-04-11
-
2022-07-19
-
H01L21/67
- 一种晶圆级芯片封装用薄膜涂覆台,包括箱体,所述箱体内侧底部焊接安装有第一电动推杆,所述第一电动推杆的自由端焊接安装有活动板,所述箱体的内部设置有顶板与底板,所述顶板与底板的顶部均开设有圆槽,所述箱体的左右两侧壁均焊接安装有第三电动推杆通过第二电动推杆带动推板调整晶圆级芯片与底板的底面齐平,通过第三电动推杆带动夹块横向移动,通过两组夹块将晶圆级芯片进行固定夹持,使得晶圆级芯片能与顶板的顶面与底板的对面齐平,通过顶板上方与底板下方的电动机带动螺纹杆转动,螺纹杆带动涂覆板横移动,通过涂覆板与晶圆级芯片的顶面与底面接触实现对晶圆级芯片的两个端面进行涂覆。
- 一种晶圆级芯片封装薄膜涂覆台
- [发明专利]提升晶边良率的方法-CN201510557758.X有效
-
陈亚威;顾费东
-
无锡华润上华科技有限公司
-
2015-09-02
-
2019-07-23
-
H01L21/768
- 本发明涉及一种提升晶边良率的方法,包括以下步骤:提供晶圆衬底;在晶圆衬底上涂胶形成第一光刻胶层,并进行有源区洗边;在晶圆衬底上未被第一光刻胶层覆盖的位置形成氧化硅隔离结构;在晶圆衬底上形成有源区;在有源区上形成层间介质;在层间介质上涂胶形成第二光刻胶层,并进行接触孔洗边;在第二光刻胶层的掩蔽下刻蚀层间介质形成接触孔;通过沉积工艺向接触孔内填充金属;对填充了金属的层间介质进行平坦化处理;有源区洗边步骤中的洗边区域至少从晶圆边缘延伸至沉积区域边缘本发明通过设定合适的洗边区域,无需额外的成本就可提升晶边良率。
- 提升晶边良率方法
- [实用新型]一种晶圆理片装置-CN202223581103.0有效
-
束伟;陶胜;蒋敏;葛银良;陈挺
-
杭州士兰明芯科技有限公司
-
2022-12-30
-
2023-05-12
-
H01L33/00
- 本申请公开了一种晶圆理片装置,其特征在于,包括:支撑模块,支撑模块具有花篮支撑单元和晶圆支撑单元,晶圆支撑单元穿过花篮底部对花篮中的晶圆进行支撑;升降模块,升降模块包括转轴,通过调节升降模块升降,可使转轴与晶圆的侧边接触或分离;驱动模块,与升降模块的转轴相连,驱动模块用于驱动升降模块的转轴进行转动;其中,升降模块的转轴的直径小于晶圆的V型口的宽度。驱动模块驱动转轴转动,通过调节升降模块使转轴与晶圆的侧边相接触,转轴带动晶圆旋转直至转轴卡入晶圆的V型口中,从而使多个晶圆的V型口沿转轴对齐,该晶圆理片装置可实现V型口晶圆的快速理片,进而提升生产效率。
- 一种晶圆理片装置
- [发明专利]晶圆键合方法、晶圆及晶圆键合结构-CN202110476268.2在审
-
缪威
-
武汉新芯集成电路制造有限公司
-
2021-04-29
-
2021-08-03
-
H01L21/68
- 本发明提供一种晶圆键合方法、晶圆及晶圆键合结构,本实施例通过承载晶圆上预设较小尺寸的第二缺口,在将所述器件晶圆和所述承载晶圆对准键合后,使所述第二缺口在所述器件晶圆上的投影完全落入所述第一缺口内;对所述第二缺口修边,去适配所述第一缺口,使修边后的所述第二缺口与所述第一缺口重合;在键合设备对准精度不高的条件下,最终实现器件晶圆和承载晶圆的精确对准,满足后续光刻工艺对键合对准的精度要求。在承载晶圆上不需要经过光刻工艺制作对准标记,可以减少承载晶圆的工艺流程,节约成本。可以降低键合设备性能要求,以便于低成本制作键合设备。
- 晶圆键合方法结构
|