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[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202311184376.8在审
发明人：和巍巍;汪之涵;温正欣 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2023-09-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体技术领域，并提供一种半导体器件的制造方法。所述半导体器件的制造方法包括提供包括半导体衬底、栅极结构和刻蚀停止层的叠层；于所述刻蚀停止层的远离所述半导体衬底的一侧形成多个介电层，于所述多个介电层的远离所述半导体衬底的一侧形成图案化的光刻胶层；以所述图案化的光刻胶层为掩膜，多次干法刻蚀所述多个介电层，以形成暴露所述刻蚀停止层的开孔；利用氧气处理所述开孔的内壁，以去除形成所述开孔的过程中形成在所述开孔内的反应产物；以及干法刻蚀所述开孔内的所述刻蚀停止层，形成所述刻蚀停止层的损失，进而得到接触孔。
半导体器件制造方法

[实用新型]功率模块-CN202320431555.6有效
发明人：丁宇鹏;和巍巍;周福鸣;汪之涵 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体设备技术领域，具体是涉及功率模块，包括：散热组件以及功率组件，所述散热组件贴设在所述功率组件的底部，所述散热组件一体成型，所述散热组件内部具有腔体，所述散热组件的两侧分别设有进液口以及出液口，所述进液口和所述出液口分别与所述腔体连通，所述腔体内部设有多个散热针翅，所述腔体靠近所述进液口设有用于引导冷却液从所述进液口均匀分流至所述腔体的第一导流槽，所述腔体靠近所述出液口设有用于引导所述冷却液从所述腔体汇流至所述出液口的第二导流槽。本实用新型使得冷却液由进液口进入后可以均匀地通过整个腔体，从而达到对功率模块所有芯片的均匀散热效果；散热针翅也进一步提高了提高散热效果。
功率模块

[发明专利]一种屏蔽分裂栅SiC MOSFET的制备方法及结构-CN202310472017.6在审
发明人：张帅;汪之涵;张良关;蔡雄飞 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种屏蔽分裂栅SiC MOSFET结构的制备方法以及结构，所述制备方法包括步骤：S1：通过离子注入在SiC外延片上形成P base区、N plus区和P Plus区并高温退火激活；S2：刻蚀形成沟槽；S3:形成第一介质层；S4：去除与所述外延层上表面对应的第一介质层，保留与所述沟槽的槽壁和槽底对应区域的第一介质层；S5：形成屏蔽栅N+区域；S6：形成PN区；S7:淀积栅氧化层；S8：去除所述外延层顶部的栅氧化层并在所述沟槽内的栅氧化层上形成栅槽；S9：在步骤S8所得栅槽内生长N+Poly Si形成分裂栅。采用本发明所述制备方法得到的屏蔽分裂栅SiC MOSFET结构适用于高压场景、提升了开关速度、降低了开关损耗。
一种屏蔽分裂 sic mosfet 制备方法结构

[发明专利]一种TEC封装结构及电路结构-CN202311069243.6在审
发明人：丁宇鹏;和巍巍;汪之涵 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10N19/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种TEC封装结构及电路结构，其中封装结构包括第一TEC制冷器，第二TEC制冷器，以及设置在所述第一TEC制冷器和所述第二TEC制冷器之间的导热绝缘层、覆铜区和半导体芯片；所述第一TEC制冷器的制冷侧与所述导热绝缘层相贴合，所述第一TEC制冷器的侧壁设置有TEC制冷端子；所述第二TEC制冷器的制热侧与所述半导体芯片相贴合，所述第二TEC制冷器的制冷侧设置有TEC制热端子；所述覆铜区的顶部设置有信号端子，所述信号端子与所述覆铜区的接触端设置有贴片式热电偶，所述信号端子、所述TEC制冷端子和所述TEC制热端子的另一端均与温度控制单元连接，从而突破了传统液冷散热模式所带来的散热瓶颈，实现了对半导体芯片的精准散热。
一种 tec 封装结构电路

[发明专利]一种平面型绝缘栅双极晶体管及其制造方法-CN201710179876.0有效
发明人：张振中;颜剑;和魏巍;汪之涵;孙军 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面型绝缘栅双极晶体管及其制造方法，该绝缘栅双极晶体管包括为半导体材料的基底，和设于所述基底表面上的发射区以及栅区；所述基底包括衬底，形成于所述衬底上的阱区，和位于所述阱区上的源区，以及形成于所述阱区中的掺杂区；所述发射区包括绝缘介质层，和设于所述绝缘介质层中的发射电极，所述发射电极与所述掺杂区相连；所述发射电极包括用于减小空穴电流路径、提高空穴接触面积的纵深电极和接触电极层；所述接触电极层由所述纵深电极中心处外延扩展至所述阱区中，直至位于所述源区的下方；本发明能够从根本上抑制闩锁现象的产生，极大的提升器件的安全工作区，改善器件性能。
一种平面绝缘双极晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体器件的接触孔制备及金属填充方法-CN202310971332.3在审
发明人：张帅;汪之涵;张良关 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件的接触孔制备及金属填充方法，包括：提供晶圆，晶圆包括依次层叠的基底、外延片、层间介质层；在层间介质层背离基底的表面形成一层光刻胶，对光刻胶进行曝光、显影，去除部分的光刻胶以使接触孔区域露出；湿法蚀刻层间介质层；干法蚀刻层间介质层直到贯穿层间介质层达到外延片，该干法蚀刻步骤中，沿逐渐靠近基底的方向，接触孔的开口逐渐减小；在接触孔的孔壁上沉积金属钨层；在接触孔中沉积导电金属直到填满接触孔。本申请通过湿法蚀刻和干法蚀刻结合的方式形成接触孔，并在接触孔中预先设置金属钨层，有效避免后续沉积导电金属于接触孔中出现顶部闭合而导致填充不满出现空洞的问题。
半导体器件接触制备金属填充方法

[发明专利]一种非易失性存储器供电电路及其方法-CN202010003751.4有效
发明人：王伟;黄辉;付俊寅;高跃;汪之涵 -专利权人：深圳青铜剑技术有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器供电电路，集成于具有非易失性存储器的集成芯片中，包括电源输入端及电源输出端，电源输入端与集成芯片的电源引脚电连接，用于输入第一电压，电源输出端用于为非易失性存储器供电。非易失性存储器供电电路还包括电压检测模块、开关控制模块及电压恢复模块，电压检测模块用于检测第一电压是否在预设电压范围内。开关控制模块用于在第一电压在预设电压范围内时导通，使得电源输入端提供第一电压至电源输出端。电压恢复模块用于在第一电压不在预设电压范围内时提供第二电压至电源输出端。本发明还提供了一种非易失性存储器供电方法。如此，可简化设计，节约成本。
一种非易失性存储器供电电路及其方法

[发明专利]SiC器件背面激光退火后碳析出去除方法-CN202211716701.6在审
发明人：张帅;张良关;汪之涵 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请提供了一种SiC器件背面激光退火后碳析出去除方法，方法包括：SiC器件包括一SiC芯片和设置于芯片的合金层，SiC芯片具有背面和与背面相反的正面，背面经过金属溅射处理和激光退火处理，以在背面上形成合金层；在SiC芯片的正面上设置保护膜；将合金层进行氧气等离子处理，氧气与合金层上析出的碳反应，以除去合金层析出的碳，得到去除析出的碳的SiC器件。本申请中，在SiC器件正面使用保护膜对其进行保护，随后通过氧气等离子处理释放氧等离子体，氧等离子体与合金层上的碳(反应生成碳的气体化合物，并以气体方式排出)从而通过化学反应的方式彻底地清除去合金层上析出的碳，以解决SiC器件背面激光退火后碳析出的问题。
sic 器件背面激光退火析出去除方法

[发明专利]MOS结构自对准工艺的制备方法-CN202310977261.8在审
发明人：张帅;汪之涵;张良关 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种MOS结构自对准工艺的制备方法，包括：提供基底和外延片，通过离子注入使外延片中形成JFET区域；在外延片背离基底的表面制备掩膜层，掩膜层开设有贯穿孔以露出外延片，通过离子注入使外延片中形成P阱区域；保留掩膜层，在P阱区域背离基底的表面形成多晶硅材质侧墙，侧墙附着在贯穿孔的孔壁上且使P阱区域局部露出；以掩膜层和侧墙作为遮蔽，对露出的P阱区域进行离子注入，使P阱区域中形成N+区域，然后移除掩膜层和侧墙；对外延片进行离子注入中形成P+区域。本申请采用自对准的方法，一方面减少了一层N+掩模版的使用，另一方面突破了MOS器件沟道长度于光刻机套刻精度以及偏差的限制，能制备沟道长度极小的MOS器件。
mos 结构对准工艺制备方法

[发明专利]一种硅衬底上3C碳化硅二极管器件结构及其制备方法-CN202210949684.4在审
发明人： 汪之涵;喻双柏;温正欣 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅衬底上3C碳化硅二极管器件结构，包括p型轻掺杂硅衬底，其上方依次为n型高掺杂3C碳化硅外延层与n型掺杂3C碳化硅漂移层。在3C碳化硅漂移层的顶部有p型结区域。p型硅衬底的底部有沟槽结构，沟槽底部直到n型3C碳化硅外延层，使欧姆接触金属与n型3C碳化硅外延层相接触。n型3C碳化硅漂移层的上方为二氧化硅ILD结构，二氧化硅ILD结构中间开口，依次填充有肖特基接触金属和pad金属。pad金属之上覆盖有钝化层，钝化层中央开口使pad金属裸露。本发明还公开了器件的制备方法。与常规4H碳化硅二极管相比，本发明具有晶圆尺寸大、材料成本低廉、制造工艺成本低廉等特点，适合进行大规模生产。
一种衬底碳化硅二极管器件结构及其制备方法

[实用新型]射频消融碳化硅电极及射频消融装置-CN202223578337.X有效
发明人：李碧波;蔡雄飞;汪之涵 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： A61B18/14 文献下载
摘要：本申请提供了一种射频消融碳化硅电极及射频消融装置，包括电极主体和碳化硅半导体器件，所述电极主体的端部设有内镜，碳化硅半导体器件与所述内镜位于所述电极主体的同一端部并设置于所述内镜上，碳化硅半导体器件用于射频消融。在本申请中，碳化硅半导体器件作为消融电极，替代现有的金属射频电极或其它复合材料制备的电极，能够提高射频消融电极的精准性和设计性，降低手术并发症发生的概率。同时，本申请将碳化硅半导体器件与内镜镜头进行集成化/或单独安装在内镜镜头上，利用碳化硅半导体器件的高光学透明性及良好的生物相容性材料，在可视化下直接进行射频消融，实时控制消融面积并快速反馈消融情况，有效降低手术并发症，减少手术时间。
射频消融碳化硅电极装置

[发明专利]一种双面散热气密封装器件、组件及其封装方法-CN202310876472.2在审
发明人：杨柳;罗岷;和巍巍;汪之涵;傅俊寅 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及气密性封装技术领域，特别是涉及一种双面散热气密封装器件，所述双面散热气密封装器件用于封装芯片，其包括开口凹陷形成凹槽的金属管壳、设于所述金属管壳上的金属盖板以及装配于所述金属管壳和所述金属盖板之间的陶瓷耐压环，所述金属盖板、所述陶瓷耐压环和所述金属管壳依次装配形成容纳腔，所述容纳腔内设有连接于所述金属管壳和所述金属盖板之间的连接组件，所述连接组件包括装设有芯片并连接于所述凹槽内的第一连接片、远离所述第一连接片并连接所述芯片和所述金属盖板的钼片以及连接于所述钼片和所述芯片之间的第二连接片，从而发挥金属封装散热性良好和陶瓷封装耐受性高这两种优势。
一种双面散热气密封装器件组件及其方法

[实用新型]一种雪崩能量测量电路及测量设备-CN202222820757.8有效
发明人：黄健聪;黄辉;傅俊寅;汪之涵 -专利权人：深圳青铜剑技术有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请提供了一种雪崩能量测量电路及测量设备。其中，雪崩能量测量电路包括发生电路、积分电路和计算电路，发生电路使被测器件发生雪崩击穿以使被测器件与发生电路构成放电回路；积分电路在放电回路放电的过程中采集被测器件的电压及电流，并对电压与电流进行第一积分运算以得到第一积分运算结果，以及对电流进行第二积分运算以得到第二积分运算结果；计算电路在放电回路放电完成后根据能量计算公式对第一积分运算结果、第二积分运算结果与发生电路的等效电阻进行运算以得到被测器件的雪崩能量，且其中的第二积分运算结果与等效电阻用于修正能量计算公式的计算结果。本申请有效地提升了对被测器件的雪崩能量进行测量时的精度。
一种雪崩能量测量电路设备

[发明专利]一种硅衬底上3C碳化硅材料外延生长方法-CN202210963178.0在审
发明人： 汪之涵;和巍巍;喻双柏 -专利权人：基本半导体（南京）有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅衬底上3C碳化硅材料外延生长方法，选择商业化的硅衬底并清洗；在硅衬底正面涂覆光刻胶，经光刻、显影、坚膜后刻蚀以形成刻蚀道；沉积SiO2填充刻蚀道，并使晶片表面平坦化；使用H2气体高温刻蚀硅衬底结构表面，去除晶片表面损伤层；在外延炉中通入H2气体为载气，并通入碳源气体，对衬底表面进行碳化；在外延炉中通入H2气体为载气，通入硅源气体、碳源气体及掺杂气体，并在高温下反应生成3C碳化硅。本发明相比于传统的4H碳化硅同质外延，在外延生长前预先在硅衬底上形成应力释放结构，降低了外延生长过程中由于晶格失配及热膨胀失配带来的缺陷、孔洞和碎片等问题。
一种衬底碳化硅材料外延生长方法

[发明专利]碳化硅双沟道型功率器件及其制备方法-CN202310458751.7在审
发明人：杜蕾;张学强;汪之涵;和巍巍 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，公开了一种碳化硅双沟道型功率器件及其制备方法。该方法包括：在N型碳化硅衬底的正面依次生长第一沟道层、中间接引电极层、第二沟道层以及欧姆接触层；在欧姆接触层上注入P型杂质，以形成杂质层；从欧姆接触层至第一沟道层刻蚀出栅极槽，并在栅极槽内形成栅电极；在欧姆接触层以及杂质层上，通过淀积隔离介质形成隔离栅电极与源电极的阻挡层；在阻挡层上刻蚀出用于连接金属引线的连接部，并通过淀积金属工艺以及光刻工艺，形成栅电极与源电极的接触层；在碳化硅衬底的背面淀积金属以形成金属层。通过上述方式，本发明能够降低光刻层数，节约成本且提升光刻精度，同时能够提升耐压，无需依靠终端来维持耐压。
碳化硅沟道功率器件及其制备方法

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