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[发明专利]LDMOS器件及其制作方法-CN201911325026.2有效
发明人：刘俊文;陈华伦;陈瑜 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：该LDMOS器件至少包括在衬底中的体区和漂移区，体区内设置有体接触区和源区，漂移区的一端设置有漏区；衬底表面还设置栅极，体接触区、源区、漏区和栅极分别通过接触孔引出层间介质层；层间介质层内还设置有通孔阵列，通孔阵列位于漂移区的上方；通孔阵列包括若干列通孔，每列包括若干个通孔，通孔的开口形状为正方形，通孔的开口尺寸小于接触孔的开口尺寸，通孔的开口尺寸按列逐渐减小；解决了传统的LDMOS器件的击穿电压受到器件尺寸的限制的问题
ldmos 器件及其制作方法

[发明专利]显示装置及制造显示装置的方法-CN201910524989.9在审
发明人：禹俊赫;朴光雨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：所述显示装置包括：第一基底层，具有彼此间隔开的第一通孔、第二通孔和第三通孔；第二基底层，具有第四通孔；第一中间导电层，具有通过第一通孔暴露的第一暴露部分和通过第二通孔暴露的第二暴露部分；第二中间导电层，具有通过第三通孔暴露的第三暴露部分；布线，位于第二基底层上并且通过第四通孔电连接到第二中间导电层；第一电子器件，位于第一基底层上并且电连接到第一暴露部分；以及第二电子器件，位于第一基底层上并且电连接到第二暴露部分和第三暴露部分
通孔暴露基底层中间导电层显示装置电连接电子器件布线制造

[发明专利]埋入式线路高对位层间导通结构的制作方法-CN201010000515.3无效
发明人：张谦为;林定皓;吕育德 -专利权人：苏州统硕科技有限公司
申请日： 2010-01-11 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种埋入式线路高对位层间导通结构的制作方法，其主要是在层板之间压合之前不进行镭射铜窗，而在层板压合后直接执行镭射钻孔制程来形成导通孔，如此一来，尽管层板之间压合时有层间偏差，但由于没有进行镭射铜窗，所以可以避免先做镭射铜窗再进行镭射钻孔时，因外层导通孔对位不良而导致线路短路的风险，故可以在不改善层间偏移量的情况下提高产品制作能力。
埋入线路对位层间导通结构制作方法

[发明专利]抗电磁干扰的MEMS压阻式压力传感器及其制备方法-CN202311091205.0在审
发明人：蔡春华;白翘瑜;毕恒昌;吴幸 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗电磁干扰的MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，涉及压力传感器技术领域，包括硅衬底、硅应变膜、空腔、压敏电阻、重掺杂接触区、金属通孔、膜间通孔、金属PAD、多晶硅屏蔽层；硅衬底的表面沉积有第一二氧化硅层，空腔位于第一二氧化硅层表面中央，硅应变膜覆盖在所述空腔的上方；压敏电阻和所述重掺杂接触区设置在硅应变膜表面；金属PAD与重掺杂接触区通过金属通孔形成电连接；多晶硅屏蔽层覆盖在所述压敏电阻和空腔上方，膜间通孔位于金属本发明通过在器件表面沉积多晶硅屏蔽层，利用膜间通孔使硅应变膜与多晶硅屏蔽层保持相同电位，达到抗电磁干扰的屏蔽效果，提高了器件稳定的效果。
电磁干扰 mems 压阻式压力传感器及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710036237.9有效
发明人：张城龙;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：形成基底，包括衬底、位于衬底上的鳍部、横跨鳍部的栅极结构、位于栅极结构两侧鳍部内的源漏掺杂区、以及覆盖源漏掺杂区的第一刻蚀停止层；在栅极结构顶部上形成保护层；在第一刻蚀停止层和保护层上形成层间介质层；以第一刻蚀停止层为停止层，刻蚀源漏掺杂区上方的层间介质层，形成第一通孔；以保护层为停止层，刻蚀栅极结构上方的层间介质层，形成第二通孔；沿第一通孔刻蚀第一刻蚀停止层，形成露出源漏掺杂区的第一接触孔；对源漏掺杂区进行预非晶化注入工艺；预非晶化注入工艺后，去除第二通孔底部的刻蚀保护层，形成露出栅极结构的第二接触孔。通过所述保护层，可以防止栅极结构和源漏掺杂区受损。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201210336591.0在审
发明人：张海洋;胡敏达 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成一蚀刻停止层和一层间介电层；形成用于填充互连金属的沟槽和通孔；采用等离子体蚀刻工艺去除所述通孔下方的蚀刻停止层，其中所述去除过程包括：先执行一后蚀刻处理过程，以去除形成在所述沟槽和所述通孔中的蚀刻残留物质和杂质；再采用基于CF4、CO2和CO的蚀刻气体执行所述等离子体蚀刻。根据本发明，在蚀刻所述通孔下方的蚀刻停止层时，对所述层间介电层的损伤很小，且在所述通孔的底部不会形成所述后蚀刻处理难以去除的物质，保证所述通孔的侧壁和底部的表面平整度。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种氮氧化物传感器陶瓷芯片-CN201810622527.6有效
发明人：孙卫龙;万筱怡;贺立龙;杨睿;武巧莉;洪向东 -专利权人：西安创联电气科技（集团）有限责任公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G01N27/41 文献下载
摘要：一种氮氧化物传感器陶瓷芯片，第一层膜片上设表面覆盖保护层的氧泵正极，氧泵正极和第一层膜片上设有采集腔，第二层膜片上设第二通孔～第四通孔，第二通孔内设第一扩散障，第一扩散障将第二通孔分成第一测量室和缓冲腔，第一测量室内设主氧泵负极，第二通孔与第三通孔间设第二扩散障，第三通孔为第二测量室内设辅助泵负极，第三通孔与第四通孔间设第三扩散障，第四通孔为第三测量室内设表面覆盖保护层的测量电极，第三层膜片上设有参比通道，参比通道内设表面覆盖保护层的参比电极，第四层膜片与第五层膜片之间设包裹在加热电极绝缘层内的加热电极，加热电极外引线穿过第五层膜片位于第五层膜片下表面，第五层膜片设有填充加热电极绝缘层浆料的应力释放孔。
一种氧化物传感器陶瓷芯片

[发明专利]印刷布线板和印刷布线板的制造方法-CN202111306408.8在审
发明人：樋口伦也;藤原勇佐;桥本壮一;荒井贵 -专利权人：互应化学工业株式会社
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本公开提供具有导通可靠性高的通路的印刷布线板。本公开的印刷布线板(11)具备第一导体层(8)、第二导体层(3)、层间绝缘层(7)、贯通层间绝缘层(7)的通孔(6)以及配置于通孔(6)内的通路导体(9)。层间绝缘层(7)是含有含羧基树脂(A)、一分子中具有至少一个烯键式不饱和键的不饱和化合物(B)和光聚合引发剂(C)的负型的感光性树脂组合物的固化物。通孔(6)具有第一导体层(8)侧的第一端(61)、第二导体层(3)侧的第二端(62)以及位于第一端(61)与第二端(62)之间且具有比第二端(62)的直径小的直径的小径部(63)。
印刷布线制造方法

[发明专利]多层线路板-CN200410101103.3有效
发明人：小岛敏文;若园诚 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2004-12-15 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明提供一种在阻塞通孔部的开口部的盖状导体及其周围的导体部分上难以发生皲裂和脱层的，连接可靠性优良的多层线路板。构成本发明的多层线路板(11)的中心基板(12)具有通孔部(15)。通孔部(15)的结构为，在直径200μm以下的贯通孔(16)的内壁面上设有通孔导体(17)。层间绝缘层(31、32)至少配置在中心基板(12)的第1主面(13)侧和第2主面(14)侧上。线路层(23、24)配置在层间绝缘层(31、32)的表面上。填料的硬化体(18)填充在通孔部(15)中。盖状导体(21、22)阻塞住通孔部(15)的开口部。
多层线路板

[发明专利]用于硅通孔制作的对准结构及硅通孔的制作方法-CN201410126923.1有效
发明人：严琰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供了一种用于硅通孔制作的对准结构及硅通孔的制作方法。该对准结构包括：衬底；位于衬底上且具有凹槽的层间介质层；沿凹槽的内壁设置的金属层；设置在金属层上的氮化层；以及设置在氮化层上的介电隔离层，其中，介电隔离层的上表面低于层间介质层的上表面。由于介电隔离层的上表面低于层间介质层的上表面，也就是说在对准结构的凹槽中存在凹陷部，因此由于该凹陷部的存在，进而在利用该对准结构进行对准时，利用其表面不平整的特点可以快速定位，而且提高了所形成的硅通孔的对准程度
对准结构硅通孔上表面层间介质层介电隔离凹陷部氮化层金属层制作衬底快速定位内壁对准平整申请

[发明专利]阵列基板及其制备方法-CN202010787785.7在审
发明人：艾飞;宋继越;宋德伟;龚帆 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括基板、第一薄膜晶体管、第一层间介质层、感光传感器以及第一金属层，所述第一薄膜晶体管设置于所述基板上，所述第一层间介质层覆盖所述第一薄膜晶体管以及所述基板，所述第一层间介质层包括第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第一层间介质层以暴露所述第一薄膜晶体管层，所述感光传感器设置于所述第一层间介质层上，并位于所述第一薄膜晶体管之上，所述第一金属层设置于所述第一通孔，
阵列及其制备方法

[发明专利]具有多层互连结构的半导体器件及其制造方法-CN200310122396.9无效
发明人：高山稔雄;生川邦幸;水谷宽 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-12-19 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种多层互连结构，它包括具有铜互连图案的第一互连层和具有铝互连层并且通过中间的层间绝缘膜形成在所述第一互连层上的第二互连层，其中一钨栓形成在所述层间绝缘膜中的通孔中从而使所述第一互连层和所述第二互连层电连接所述通孔具有1.25或更大的深度/直径比，并且在钨栓的外壁和通孔的内壁之间形成有一层导电氮化物薄膜，整个该导电氮化物薄膜由导电氮化物形成。
具有多层互连结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]晶粒与三维元件结构-CN202210580440.3在审
发明人：张任远;李建璋;赖佳平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种晶粒与三维元件结构，晶粒包括半导体基板、互连结构以及第一硅通孔结构。互连结构设置于半导体基板上且包括金属间介电层、嵌入于金属间介电层中的金属特征与第一保护环结构。第一保护环结构包括延伸通过金属间介电层的至少一子集的同心的第一与第二保护环。第一硅通孔结构延伸通过半导体基板与金属间介电层的子集，以电性接触金属特征的其中一个。第一保护环围绕第一硅通孔结构。第二保护环围绕第一保护环，第二保护环配置用以降低第一保护环结构与第一硅通孔结构之间的寄生电容。
晶粒三维元件结构

[发明专利]液晶显示装置及其制造方法-CN200710126816.9有效
发明人：服部孝司;园田大介;龙崎大介;鸟居和功 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2007-06-27 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：在第1基板10A上形成的有源元件的上层依次层叠形成的门绝缘膜12B、门电极2、层间绝缘膜12C、图像线D与源电极4。层间绝缘膜12C由至少含有高电介质微粒或溶胶凝胶的相对介电常数为4.0以上的涂布型透明绝缘膜形成。门绝缘膜12B上具有第1通孔SH3，在第1通孔SH3内的层间绝缘膜12C上形成第2通孔SH4，通过第2通孔SH4将源电极4电连接在有源元件上，门电极2、图像线D、源电极4及层间绝缘膜12C构成保持电容。
液晶显示装置及其制造方法

[实用新型]盖板组件及扣式电池-CN202222396932.5有效
发明人：季德力;请求不公布姓名;胡大林;廖兴群;周燕 -专利权人：广东省豪鹏新能源科技有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01M50/153 文献下载
摘要：本实用新型属于电池技术领域，尤其涉及一种盖板组件及扣式电池，包括盖板、极柱以及绝缘胶层；极柱包括第一柱体和第二柱体，第二柱体的截面面积大于第一柱体的截面面积；盖板开设有通孔，盖板通过通孔套设于第一柱体，通孔的内壁和第一柱体的外周壁之间存在第一间隙，盖板的底面和第二柱体的顶面之间存在第二间隙；绝缘胶层包括第一胶层及溢胶层，溢胶层包括中间胶层，第一胶层连接中间胶层并环绕中间胶层，中间胶层环绕第一柱体，中间胶层至少部分填充第一间隙以粘接盖板和第一柱体，第一胶层至少部分填充第二间隙并以粘接盖板和第二柱体。根据本实用新型实施例的盖板组件，第一间隙和第二间隙均被绝缘胶层填充，减少异物进入的几率。
盖板组件电池