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- [发明专利]CMOS传感器及其制造方法-CN200910052943.8无效
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罗飞;邹立
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中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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2009-06-11
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2010-12-22
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H01L21/8238
- 一种CMOS传感器及其制造方法，其中CMOS传感器制造方法包括：在第一金属层间介质层表面形成第二金属层和电容器第一电极；形成覆盖所述第一金属层间介质层、所述第二金属层和所述电容器第一电极的第二金属层间介质层；在所述第二金属层间介质层内形成暴露所述电容器第一电极的沟槽；在所述沟槽的侧壁和底部形成介质层；在所述第二金属层间介质层内形成暴露所述第二金属层的通孔；用金属填充所述沟槽和通孔；在沟槽上形成与所述电容器第一电极对应的第二电极，在通孔上形成与所述第二金属层对应的第三金属层。本发明节约了工艺步骤，降低了CMOS传感器的第一金属层间介质层和第二金属层间介质层的总厚度，提高CMOS图像传感器敏感度。
- cmos传感器及其制造方法
- [发明专利]硅通孔结构及其制造方法-CN201210100004.8有效
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卢意飞
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上海集成电路研发中心有限公司
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2012-04-06
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2017-05-31
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H01L23/538
- 本发明所述硅通孔结构及其制造方法，通过在形成若干层间介质层之前，在所述金属前介质层和半导体衬底中形成窗口，并在所述窗口中形成第二阻挡层，而形成若干层间介质层之后，形成通孔，其中所述通孔的孔径小于形成第二阻挡层后的窗口的孔径，从而剩余的初始填充介质层在通孔与所述形成第二阻挡层后的窗口之间形成填充介质层，其后在通孔中形成第一阻挡层和通孔金属，从而在所述通孔与所述半导体衬底之间形成三层隔离结构，包括第一阻挡层、填充介质层和第二阻挡层，从而提高了隔离结构的连续性，进而有效避免通孔金属的导电材料扩散入半导体衬底而导致半导体器件劣化的问题，提高了半导体器件的可靠性。
- 硅通孔结构及其制造方法
- [发明专利]阵列基板及其制备方法-CN202011096584.9在审
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艾飞;宋继越;宋德伟
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武汉华星光电技术有限公司
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2020-10-14
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2021-01-22
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H01L27/12
- 本发明提供一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括基板、有源层、第一栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、感光层以及遮挡层，有源层设置于基板上，有源层包括半导体部和第一掺杂部，第一掺杂部设置于半导体部的两侧，第一栅极绝缘层覆盖基板以及有源层，栅极层设置于第一栅极绝缘层上，栅极层位于半导体部之上，层间介质层覆盖第一栅极绝缘层以及栅极层，层间介质层包括第一通孔，第一通孔贯穿第一栅极绝缘层以及层间介质层以暴露第一掺杂部，感光层设置于第一通孔以及层间介质层上，遮挡层设置于感光层上。通过将感光层设置在有源层的第一掺杂部上，降低了生产成本，并提高了阵列基板的良率。
- 阵列及其制备方法
- [发明专利]CIS器件的源漏通孔刻蚀方法-CN202011421466.0在审
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孙少俊;张栋;杨欣
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2020-12-07
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2021-04-09
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H01L27/146
- 本申请公开了一种CIS器件的源漏通孔刻蚀方法，涉及半导体制造领域。该方法包括提供制作有CIS器件的衬底；在衬底上依次形成第一金属硅化物阻挡层、第二金属硅化物阻挡层、通孔刻蚀停止层、层间介质层；通过光刻工艺定义源/漏通孔图案，CIS器件的源/漏区位于栅极结构的两侧；根据源/漏通孔图案，按第一刻蚀选择比自对准刻蚀层间介质层；根据源/漏通孔图案，按第二刻蚀选择比自对准刻蚀通孔刻蚀停止层和第二金属硅化物阻挡层；根据源/漏通孔图案，刻蚀第一金属硅化物阻挡层，形成源漏通孔；解决了目前小关键尺寸的CIS器件容易出现性能不达标的问题；达到了优化CIS产品的通孔工艺窗口，保证产品性能的效果。
- cis器件源漏通孔刻蚀方法
- [发明专利]半导体结构的形成方法-CN201310009273.8有效
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周鸣
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2013-01-10
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2017-02-22
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H01L21/768
- 一种半导体结构的形成方法，包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上由下至上依次形成层间介质层和掩膜层；形成贯穿层间介质层和掩膜层厚度的通孔；在所述通孔内形成铜金属层，所述铜金属层的上表面低于所述层间介质层的上表面；在所述铜金属层和掩膜层的上表面以及铜金属层上方通孔的侧壁上形成氮化铝粘附层；在所述氮化铝粘附层上形成第一阻挡层，位于铜金属层上方第一阻挡层的上表面不低于层间介质层的上表面；进行平坦化工艺，至暴露出所述层间介质层本发明通过在铜金属层和第一阻挡层之间形成氮化铝粘附层，提高了铜金属层和第一阻挡层的结合度，所形成的半导体结构的性能好、成品率高。
- 半导体结构形成方法
- [发明专利]3D NAND闪存及其制备方法-CN201910248617.8有效
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肖莉红
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长江存储科技有限责任公司
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2019-03-29
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2020-04-17
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H01L27/1157
- 本发明提供一种3D NAND闪存及其制备方法，3D NAND闪存包括：半导体衬底；叠层结构，位于半导体衬底上，叠层结构包括交替叠置的栅间介质层及栅极层，栅间介质层包括交替叠置的第一漏电抑制层及第二漏电抑制层；沟道通孔，位于叠层结构内；沟道通孔包括若干个凹槽区域，凹槽区域位于相邻栅极层之间及栅极层与半导体衬底之间；功能侧壁，位于沟道通孔的侧壁表面，功能侧壁位于相邻栅极层之间及位于栅极层与半导体衬底之间的部分填充于凹槽区域内；沟道层，位于沟道通孔内，且位于功能侧壁的表面。本发明3D NAND闪存可以有效减小相邻栅极层之间的漏电，提高相邻栅极层之间的栅间介质层的抗击穿能力，降低相邻栅极层之间的耦合效应。
- nand闪存及其制备方法
- [发明专利]液晶显示装置-CN201110430612.0有效
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中村考雄;石井一树;武藤大祐;关英宪
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株式会社日立显示器
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2011-12-14
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2012-07-04
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G02F1/1362
- 本发明提供一种液晶显示装置，用于防止覆盖形成在有机钝化膜上的通过ITO形成的电极的层间绝缘膜剥离的现象。在顶栅型的TFT上形成有用于与视频信号线连接的接触孔(130)。覆盖TFT并依次形成有无机钝化膜(108)、有机钝化膜(109)，在其上形成公共电极(110)，再在公共电极(110)上形成层间绝缘膜(111)。在层间绝缘膜(111)上形成有用于排气的通孔(140)。使通孔(140)的直径大于接触孔(130)的直径。使来自有机钝化膜(109)的气体从用于排气的通孔(140)放出，防止层间绝缘膜(111)的剥离。
- 液晶显示装置
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