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[发明专利]形成互连结构的方法-CN201410136507.X有效
发明人：张城龙;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种形成互连结构的方法，包括在衬底上形成层间介质层；在层间介质层上形成阻挡层；在阻挡层上形成硬掩模，硬掩模中形成有贯穿硬掩模厚度的第一开口；在第一开口中填充牺牲层，直至牺牲层覆盖硬掩模；图形化牺牲层，在位于第一开口中的牺牲层中形成露出阻挡层第二开口，第二开口小于第一开口；去除第二开口露出的阻挡层；对图形化后的牺牲层以及牺牲层中第二开口露出的层间介质层进行刻蚀，以形成通孔；以硬掩模为掩模，刻蚀第一开口露出的层间介质层以及通孔露出的层间介质层，在第一开口露出的层间介质层中形成沟槽并使通孔贯穿层间介质层。本发明形成互连结构的方法减少了对层间介质层的损伤。
形成互连结构方法

[发明专利]半导体器件的制作方法、清洗方法和清洗系统-CN201210393608.6有效
发明人：袁竹根 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-16 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：所述制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中包括铜金属层；在所述半导体衬底上形成层间介质层，所述层间介质层的材料为多孔材料；在所述层间介质层上形成光刻胶图案；以所述光刻胶图案为掩模，刻蚀所述层间介质层，在所述层间介质层中形成至少暴露出部分所述铜金属层的通孔或沟槽；去除所述光刻胶图案；采用清洗液清洗所述通孔或沟槽后，对所述清洗液进行去除铜离子和聚合物的处理；在所述通孔或沟槽中填充满金属材料，形成金属插塞或互连线
半导体器件制作方法清洗方法系统

[发明专利]HDI电路板及其层间互连结构以及加工方法-CN201310442533.0在审
发明人：黄立球;刘宝林 -专利权人：深南电路有限公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种HDI电路板的层间互连结构，所述层间互连结构包括贯穿所述HDI电路板包括的N层线路层的金属化通孔；其中，需要层间互连的M层线路层包括环绕所述金属化通孔的金属连接环，使所述M层线路层通过所述金属连接环和所述金属化通孔实现互连，M为整数且2≤M<N；其它N-M层线路层包括环绕所述金属化通孔的绝缘隔离环，使所述其它N-M层线路层不能通过所述金属化通孔互连。
hdi 电路板及其互连结构以及加工方法

[发明专利]通孔形成方法-CN200810113995.7有效
发明人：郑春生;胡亚威;张文广 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种通孔形成方法，包括，经由第一管路和第二管路向反应腔室分别通入经由流量控制器控制的第一气体和第二气体，在基底上形成层间介质层；图形化所述层间介质层，形成接触孔；清洗所述接触孔，形成通孔；特别地，在通入所述第一气体和第二气体之前，至少预清洗所述第一管路和第二管路内由所述流量控制器至所述反应腔室间的管路。可在符合产品要求的图形化工艺条件下减少经历清洗操作后形成的通孔底角凹陷。
形成方法

[发明专利]阵列基板及其制备方法-CN202011097651.9有效
发明人：艾飞;宋德伟;宋继越 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括基板、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层以及感光层，有源层设置于基板上，有源层包括半导体部和第一掺杂部，第一掺杂部设置于半导体部的两侧，栅极绝缘层覆盖基板以及有源层，栅极层设置于栅极绝缘层上，栅极层位于半导体部之上，层间介质层覆盖栅极绝缘层以及栅极层，层间介质层包括第一通孔，第一通孔贯穿栅极绝缘层以及层间介质层以暴露第一掺杂部，感光层设置于第一通孔以及层间介质层上通过将感光层设置在有源层的第一掺杂部上，降低了生产成本，并提高了阵列基板的良率。
阵列及其制备方法

[发明专利]一种MOS晶体管结构及其制造方法-CN201310713804.1在审
发明人：李睿;尹海洲;刘云飞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种MOS晶体管的制造方法，包括：a.提供半导体衬底，伪栅叠层，侧墙，以及源漏区；b.形成第一层间介质层，其的高度小于伪栅叠层的高度；c.去除所述第一层间介质层位于远离伪栅叠层的两端的部分，形成第一空位；d.在所述第一空位中填充第二层间介质层,其顶部位于第一层间介质层顶部和栅极叠层顶部之间；e.形成第三层间介质层覆盖第一层间介质层和第二层间介质层；f.在所述第三层间介质层中形成暴露出所述第一层间介质层的通孔；g.通过所述通孔去除所述第一层间介质层，形成第二空位；h.形成盖层填充所述通孔。
一种 mos 晶体管结构及其制造方法

[发明专利]多层印制线路板及其制造方法,填充通孔的树脂组合物-CN02148010.9有效
发明人：浅井元雄;岛田宪一;野田宏太;苅谷隆;濑川博史 -专利权人：揖斐电株式会社
申请日： 1998-10-12 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： H05K1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种由具有通孔的基板和位于该基板上并嵌在层间绝缘树脂层中的印制线路所构成的多层印制线路板，通孔有粗糙化的内表面并充满填料，通孔中的填料外露部分是被覆盖通孔的导体层覆盖的，位于通孔正上方的通道孔是与覆盖通孔的导体层相连接的通孔与填料之间不会发生剥离现象，该印制线路板中通孔与内层电路间具有令人满意的连接可靠性，该印制线路板还具有高的布线密度。
多层印制线路板及其制造方法填充树脂组合

[发明专利]多层印制线路板及其制造方法，填充通孔的树脂组合物-CN200410057893.X有效
发明人：浅井元雄;岛田宪一;野田宏太;苅谷隆;濑川博史 -专利权人：揖斐电株式会社
申请日： 1998-10-12 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种由具有通孔的基板和位于该基板上并嵌在层间绝缘树脂层中的印制线路所构成的多层印制线路板，通孔有粗糙化的内表面并充满填料，通孔中的填料外露部分是被覆盖通孔的导体层覆盖的，位于通孔正上方的通道孔是与覆盖通孔的导体层相连接的通孔与填料之间不会发生剥离现象，该印制线路板中通孔与内层电路间具有令人满意的连接可靠性，该印制线路板还具有高的布线密度。
多层印制线路板及其制造方法填充树脂组合

[发明专利]多层印制线路板及其制造方法,填充通孔的树脂组合物-CN98809583.1有效
发明人：浅井元雄;岛田宪一;野田宏太;苅谷隆;濑川博史 -专利权人：揖斐电株式会社
申请日： 1998-10-12 - 公布日： 2000-11-01 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种由具有通孔的基板和位于该基板上并嵌在层间绝缘树脂层中的印制线路所构成的多层印制线路板,通孔有粗糙化的内表面并充满填料,通孔中的填料外露部分是被覆盖通孔的导体层覆盖的,位于通孔正上方的通道孔是与覆盖通孔的导体层相连接的通孔与填料之间不会发生剥离现象,该印制线路板中通孔与内层电路间具有令人满意的连接可靠性,该印制线路板还具有高的布线密度。
多层印制线路板及其制造方法填充树脂组合

[发明专利]显示面板及其制备方法-CN202011150143.2在审
发明人：何家庆;龚吉祥;彭浩 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种显示面板及其制备方法，显示面板包括衬底基板、第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、金属层、第一层间介质层、第一源极以及第一漏极，第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层以及第二栅极绝缘层依次层叠设置于衬底基板上，所述第二栅极绝缘层设置有第一通孔和第二通孔，金属层包括第一金属部和第二金属部，第一金属部和第二金属部分别填充于第一通孔和第二通孔，且电连接第一有源层的两侧，第一层间介质层覆盖第二栅极绝缘层以及金属层，第一层间介质层设置有第三通孔和第四通孔，第一源极设置于第三通孔中，且电连接第一金属部，第一漏极设置于第四通孔中，且电连接第二金属部。
显示面板及其制备方法

[发明专利]形成三维半导体结构的方法-CN202010341593.3在审
发明人：施信益 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成三维半导体结构的方法，包括：形成介电穿孔，从第一元件的第一层间介电层的第一表面延伸至第一层间介电层内；通过第一层间介电层的第一表面和第二元件的第二表面粘合第一元件和第二元件，使得第二表面上的通硅接触垫覆盖介电穿孔；执行蚀刻工艺在第一元件的背面上以同时形成第一通孔和第二通孔，并通过第二通孔露出通硅接触垫，前述背面背向第一层间介电层；以及形成第一通孔插塞以填充第一通孔，以及第二通孔插塞以填充第二通孔和介电穿孔。
形成三维半导体结构方法

[发明专利]阵列基板及其制备方法-CN202010008360.1有效
发明人：王东方;刘宁;程磊磊 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：所述阵列基板包括双层层间介质层，其中，所述双层层间介质层包括第一层间介质层和第二层间介质层，其中所述第二层间介质层是平坦化介质层，并且其中存在多个延伸通过所述第一和第二层间介质层的通孔。本公开的阵列基板可以消除由于高金属线厚度导致的高段差，并且其中的通孔能够在不使用光刻胶的情况下在层间介质层中形成，从而可以简化工艺和降低成本。
阵列及其制备方法

[发明专利]基于RS锁存器的单片层间通孔故障检测方法-CN202110699603.5在审
发明人：杨智明;俞洋;肖紫文;方旭 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：基于RS锁存器的单片层间通孔故障检测方法，属于高密度集成电路测试领域。本发明为解决现有MIV故障检测只能检测开路、短路等硬性故障，无法检测参数偏移量较小的MIV故障的问题。包括：通过有限元仿真软件建立通孔的无故障MIV标准电学模型，并对其电学参数进行调整获得参考电学模型，使其电学参数小于并无限接近无故障MIV标准电学模型的电学参数；使充满电的被测MIV与参考电学模型同时放电
基于 rs 锁存器单片层间通孔故障检测方法

[发明专利]一种差分螺线管电感-CN201410247035.5在审
发明人：庄奕琪;李振荣;邱肖;汤华莲;李小明;李聪;刘伟峰;曾志斌;靳刚 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种差分螺线管电感，包括三层金属线圈，三层金属线圈宽度相同，三层金属线圈的厚度不相等；所述上下层金属线圈图形对称；所述金属线圈上有电感端口；所述上下层金属线圈通过层间通孔互连；第一层金属线圈从电感的一个端口开始，经过半圈金属走线，通过两层层间通孔及金属连线和第三层金属线连接；第三层金属经过半圈走线，通过一层层间通孔及金属连线和第二层金属线连接；第二层金属经过一圈走线，通过一层层间通孔和第三层金属线连接；第三层金属线圈经过半圈金属走线，通过两层层间通孔及金属连线和第一层金属线连接；第一层金属线圈经过半圈金属走线，从另一个端口引出。
种差螺线管电感

[发明专利]一种接触孔刻蚀工艺、有机发光显示器件及显示装置-CN201410817320.6有效
发明人：吴梦琳;徐岩;王冰 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔刻蚀工艺、有机发光显示器件及显示装置，刻蚀工艺包括：在栅极层上涂布光刻胶层，曝出通孔图案和栅极图案；根据通孔图案，沿衬底厚度方向依次对栅极层和第一绝缘层进行刻蚀形成接触孔图形，去除光刻胶层通孔图案刻出栅极图形；在成型的栅极图形和接触孔图形中布膜形成层间介质层，对层间介质层进行光刻处理，曝出接触孔图形；对接触孔图形中的层间介质层和剩余第一绝缘层进行刻蚀，即得完整的接触孔图形。本发明仅通过干法刻蚀即可完成对接触孔的刻蚀成型，首先对下层的第一绝缘层进行刻蚀，然后再对上面的层间介质层进行刻蚀，本发明在不增加工艺步骤的前提下，避免了接触孔刻蚀工艺孔深难刻、刻蚀终点难以侦测的困难。
一种接触刻蚀工艺有机发光显示器件显示装置