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[发明专利]深沟槽电容器、接合组合件及形成半导体结构的方法-CN202210113804.7在审
发明人：张任远;赖佳平;李建璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种深沟槽电容器、接合组合件及形成半导体结构的方法，深沟槽电容器包括至少一个深沟槽及一层堆叠，该层堆叠包括与至少两个节点介电层交错的至少三个金属电极层且在一基板的顶表面上方连续地延伸且进入该至少一个深沟槽中的每一者中。一接触级介电层覆盖该基板及该层堆叠。接触组合件延伸穿过该接触级介电层。该些接触组合件的一子集垂直地延伸穿过一相应的金属电极层。举例而言，一第一接触组合件包括一第一管状绝缘间隔物，该第一管状绝缘间隔物横向地围绕一第一接触通孔结构且接触一最上金属电极层的一圆柱形侧壁。
深沟电容器接合组合形成半导体结构方法

[发明专利]三维元件结构及其形成方法-CN202210226115.7在审
发明人：张任远;李建璋;赖佳平;蔡子中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种三维元件结构及其形成方法，三维元件结构包括具有第一半导体基板的第一晶粒、设置在第一晶粒上且包括第二半导体基板的第二晶粒、设置在第一晶粒上且围绕第二晶粒的介电封装层、设置在第二晶粒与介电封装层上的再分布层结构，及嵌入介电封装层中且电连接至至第一晶粒及再分布层结构的集成被动元件。
三维元件结构及其形成方法

[发明专利]耦合系统及其使用方法-CN202210074036.9在审
发明人：许隨赢;李玥瑩;吴建瑩;黄振浩;李建璋;赖佳平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G02B6/34 文献下载
摘要：一种耦合系统及其使用方法，耦合系统包含用以承载光信号的光纤。耦合系统进一步包含与光纤光通讯的晶片。光纤与晶片的顶表面之间的角度介于约92度至约88度的范围。晶片包含：光栅，用以接收光信号；及波导，其中光栅用以接收光信号且将光信号沿波导重导向。
耦合系统及其使用方法

[发明专利]光子装置、光学耦合系统及光子装置的制造方法-CN202210173820.5在审
发明人：吴建瑩;李玥瑩;许隨贏;黄振浩;李建璋;赖佳平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种光子装置、光学耦合系统及光子装置的制造方法，光子装置包括一硅层，其中该硅层自该光子装置的一波导区延伸至该光子装置的一装置区，且该硅层包括该波导区中的一波导部分。该光子装置进一步包括一包覆层，该包覆层位于该波导部分上方，其中该装置区没有该包覆层。该光子装置进一步包括一低折射率层，该低折射率层与该包覆层直接接触，其中该低折射率层包含氧化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、氧化铝或氧化铪。该光子装置进一步包括一互连结构，该互连结构位于该低折射率层上方。
光子装置光学耦合系统制造方法

[发明专利]三维装置结构-CN202210216822.8在审
发明人：张任远;李建璋;赖佳平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种三维装置结构包括第一裸晶、配置在第一裸晶上的第二裸晶与连接电路。第一裸晶包括第一半导体基材、配置在第一半导体基材上的第一内连接结构与围绕此内连接结构的第一封环。第二裸晶包括第二半导体基材、配置在第二半导体基材上的第二内连接结构与围绕此内连接结构的第二封环。第一连接电路电性耦合第一封环至第二封环，以供静电放电路径。
三维装置结构

[发明专利]三维装置结构-CN202210323955.5在审
发明人：张任远;李建璋;赖佳平;蔡子中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一种三维装置结构，包括晶粒，该晶粒包括半导体基板、设置在半导体基板上的互连结构、延伸穿过半导体基板且电接触互连结构的金属特征的硅穿孔结构及嵌入半导体基板中且电性连接至硅穿孔结构的集成被动元件。
三维装置结构

[发明专利]晶粒与三维元件结构-CN202210580440.3在审
发明人：张任远;李建璋;赖佳平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种晶粒与三维元件结构，晶粒包括半导体基板、互连结构以及第一硅通孔结构。互连结构设置于半导体基板上且包括金属间介电层、嵌入于金属间介电层中的金属特征与第一保护环结构。第一保护环结构包括延伸通过金属间介电层的至少一子集的同心的第一与第二保护环。第一硅通孔结构延伸通过半导体基板与金属间介电层的子集，以电性接触金属特征的其中一个。第一保护环围绕第一硅通孔结构。第二保护环围绕第一保护环，第二保护环配置用以降低第一保护环结构与第一硅通孔结构之间的寄生电容。
晶粒三维元件结构

[发明专利]晶粒堆叠及系统集成电路结构-CN202210252087.6在审
发明人：张任远;赖佳平;李建璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种晶粒堆叠及系统集成电路结构，晶粒堆叠包含：第一晶粒，包含第一半导体基板；第一重分布层(RDL)结构，设置在第一晶粒的前表面上且电连接至第一半导体基板；第二晶粒，接合至第一晶粒的前表面且包含第二半导体基板；第三晶粒，接合至第一晶粒的前表面且包含第三半导体基板；第二RDL结构，设置在第二晶粒及第三晶粒的前表面上且电连接至第二半导体基板及第三半导体基板；及介电穿孔(TDV)结构，在第二晶粒与第三晶粒之间延伸且电连接至第一RDL结构及第二RDL结构。第二晶粒及第三晶粒设置在垂直于晶粒堆叠的垂直堆叠方向延伸的平面中。
晶粒堆叠系统集成电路结构

[发明专利]耦合系统、晶片以及晶片的制造方法-CN202210524495.2在审
发明人：黄振浩;卢皓彦;许隨赢;李玥瑩;吴建瑩;李建璋;赖佳平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G02B6/34 文献下载
摘要：一种耦合系统、晶片以及晶片的制造方法，耦合系统包括一光纤，光纤用以载运一光学信号。耦合系统进一步包括一晶片，晶片与光纤光学通信。晶片包括一基材。晶片进一步包括一光栅，光栅在基材的一第一侧上，其中光栅用以接收光学信号。晶片进一步包括一互连结构，互连结构处于在基材的第一侧上的光栅上方，其中互连结构界定与光栅对准的一空腔。晶片进一步包括一第一多晶硅层，第一多晶硅层在基材的一第二侧上，其中基材的第二侧与基材的第一侧对置。
耦合系统晶片以及制造方法

[发明专利]电容器晶片、半导体结构及其形成方法-CN202210106731.9在审
发明人：张任远;赖佳平;李建璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种电容器晶片、半导体结构及其形成方法。在基板中形成侧向围绕装置区域的壕沟沟槽。在壕沟沟槽中形成导电金属基板外壳结构。在基板中形成深沟槽，且在深沟槽中形成沟槽电容结构。可通过移除基板的背侧部分来减薄基板。导电金属基板外壳结构的背面经物理暴露。背侧金属层形成于基板的背面及导电金属基板外壳结构的背面上。可形成金属互连外壳结构及金属盖板，以提供金属屏蔽结构，金属屏蔽结构用以阻止电磁辐射冲击至沟槽电容结构中。
电容器晶片半导体结构及其形成方法

[实用新型]一种辅助多功能坡度测量的装置-CN202220165578.2有效
发明人： 李建璋 -专利权人：广东商立科技有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G01C9/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种辅助多功能坡度测量的装置，包括指示杆，所述指示杆的顶端固定设置有圆头，所述圆头的内部安装有转轴，所述转轴的两端设置有底座，所述两个底座的顶端设置有固定壳，所述固定壳的一端表面贯穿设置有固定螺杆，且所述固定杆贯穿于两个底座的顶端连接于固定壳的内部，所述固定壳的另一侧设置有L形连接杆，所述固定壳靠近L形连接杆的表面与底端的表面设置有滑槽，所述滑槽的内部设置有滑块固定连接于L形连接杆。本实用新型通过固定壳，使得整体可以对设备进行单独更换，降低使用成本，并且使得时检测方便，同时便于收纳，方便携带。
一种辅助多功能坡度测量装置

[发明专利]半导体结构-CN202110652726.3在审
发明人：张任远;赖佳平;李建璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本案描述的一些实施例提供了一种半导体结构。半导体结构包括一电容器元件，此电容器元件位于基板的凹入部分中。此凹入部分具有侧壁及位于基板的顶表面下方的底表面。半导体结构包括设置在电容器元件下方且在凹入部分内的介电材料。半导体结构包括邻近凹入部分的侧壁中的一或多者的第一导电结构。第一导电结构可包括基板的导电部分或设置在凹入部分内的导电材料。半导体结构包括耦接至第一导电结构的第二导电结构，其中第二导电结构提供从第一导电结构至电压源极或电压漏极的电连接。
半导体结构

[发明专利]晶粒、半导体封装体与形成硅穿孔结构的方法-CN202210014819.8在审
发明人：张任远;赖佳平;陈世昌;蔡子中;李建璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种晶粒、半导体封装体与形成硅穿孔结构的方法，晶粒包含半导体基板、介电结构、互连结构、硅穿孔结构与硅穿孔阻障结构。半导体基板具有前侧与相对的背侧。介电结构可包含置于半导体基板的前侧上的基板氧化层与置于基板氧化层上的多个层间介电层。互连结构置于介电结构中。硅穿孔结构在垂直方向上从半导体基板的背侧延伸贯穿至半导体基板的前侧，使得硅穿孔结构的第一端部置于介电结构中。硅穿孔阻障结构可包含接触硅穿孔结构的第一端部的阻障线与第一密封环，第一密封环置于基板氧化层中并在横向上环绕硅穿孔结构，横向与垂直方向垂直。
晶粒半导体封装形成穿孔结构方法

[实用新型]一种滑动式绝壁岸标-CN202220006724.7有效
发明人：谭波;习倩倩;徐晓明;杨增理;牟文豪;江学伟;幸航;张飞;李斌;万文才;马巧萍;徐兴明;涂波;牟斌;周立;毛雄磊;李金;李建璋;周书墨;冉涛;马兆雄 -专利权人：万州区钟鼓楼勤斌船舶修造厂
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及岸标技术领域，公开了一种滑动式绝壁岸标，包括升降驱动机构、导轨、航标灯和灯座，所述航标灯安装在灯座上，所述导轨沿着绝壁的高度方向设置，所述升降驱动机构驱动灯座沿着导轨的长度方向移动；本实用新型提供的一种滑动式绝壁岸标，解决了现有设计不安全、操作费时费力的问题。
一种滑动绝壁岸标

[发明专利]一种适用于三峡库区的绝壁航标-CN202210003146.6在审
发明人：习倩倩;谭波;徐晓明;杨增理;徐晓文;牟文豪;江学伟;幸航;张飞;李斌;万文才;马巧萍;徐兴明;涂波;牟斌;周立;毛雄磊;李金;李建璋;周书墨;冉涛;马兆雄 -专利权人：万州区钟鼓楼勤斌船舶修造厂
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： F21S9/03 文献下载
摘要：本发明涉及航标技术领域，公开了一种适用于三峡库区的绝壁航标，包括导轨、航标灯和浮体，所述导轨沿着绝壁的高度方向延伸设置，所述浮体随着河道水位的升降沿着导轨移动，所述航标灯安装在浮体上；所述浮体上设有安装槽，所述航标灯包括灯座、灯体和灯罩，所述灯座设置在安装槽内，所述灯座与安装槽的内侧壁之间周向均匀设有多个弹性件，所述灯体安装在灯座上，所述灯体与灯座之间设有减震结构，所述灯座内设有安装腔，所述安装腔内设有蓄电池，所述灯座上设有太阳能板，所述太阳能板与蓄电池电连接，所述蓄电池为灯体供电；本发明提供的一种适用于三峡库区的绝壁航标，解决了现有岸标设计建设成本高、维护成本高且维护困难的问题。
一种适用于三峡库区绝壁航标

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